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公开(公告)号：CN106844860B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201611192363.5
申请日：2016-12-21
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F30/3308
Abstract: 一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法，获取费米能级与栅电压的关系模型；根据所述三栅FinFet器件的栅电容与栅电压落在绝缘层部分的压降的关系、所述栅电压落在绝缘层部分的压降与费米能级的关系、及所述费米能级与栅电压的关系模型获取单位面积栅电容；根据所述单位面积栅电容分别获取三栅FinFet器件的顶面的栅电容和侧面的栅电容，进而获取总的栅电容。本方案简化了求单位面积栅电容方法。
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公开(公告)号：CN106844860A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611192363.5
申请日：2016-12-21
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种获取三栅FinFet器件的栅电容的方法，获取费米能级与栅电压的关系模型；根据所述三栅FinFet器件的栅电容与栅电压落在绝缘层部分的压降的关系、所述栅电压落在绝缘层部分的压降与费米能级的关系、及所述费米能级与栅电压的关系模型获取单位面积栅电容；根据所述单位面积栅电容分别获取三栅FinFet器件的顶面的栅电容和侧面的栅电容，进而获取总的栅电容。本方案简化了求单位面积栅电容方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204926092U
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201520569190.9
申请日：2015-07-31
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G06F21/32
Abstract: 本实用新型提供了一种身份识别终端及系统。上述身份识别终端包括：光电式脉搏传感器，包括：多个光源、多个光敏元件，其中，光敏元件中的一部分光敏元件位于身份识别终端中与光源相对的一侧，接收经由人体局部区域的透射光，光敏元件中的另一部分光敏元件位于身份识别终端中与光源相同的一侧，接收经由人体局部区域的反射光；PPG预处理芯片，与光电式脉搏传感器相连接，对光敏元件输出的脉搏波信号进行滤波和放大处理；处理器，与PPG预处理芯片相连接，将来自于PPG预处理芯片的脉搏波信号进行模数转换；无线发送器，与处理器相连，将模数转换后的脉搏波信号发送给远端的身份识别中心进行身份识别。上述身份识别方案，安全可靠且方便快捷。
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公开(公告)号：CN101098123B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200710118647.4
申请日：2007-07-11
Applicant: 清华大学
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明属于低压低功耗运算放大器领域中的一种低压低功耗伪两级Class-AB OTA结构。该结构为交互控制的运算放大器的电流镜Class-AB输出级，由交互控制输入级、Class-AB输出级、偏置输出级以及频率补偿四部分组成；采用伪两级Class-AB结构，通过精确控制尾电流源和偏置电流可以不改变输入晶体管尺寸增加开环直流增益。本发明解决了在低压低功耗系统中，如何实现针对开关电容应用的高增益高带宽大输出摆幅设计。电流镜Class-AB输出级在增加输出摆幅的同时降低了电路的功耗。偏置电路的引入增加了电路的电源抑制比。利用双输入交互控制进行频率补偿，增加了电路的稳定性，并且降低了补偿电容的容值。
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公开(公告)号：CN101098123A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710118647.4
申请日：2007-07-11
Applicant: 清华大学
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明属于低压低功耗运算放大器领域特的一种低压低功耗伪两级Class-AB OTA结构。该结构为交互控制的运算放大器的电流镜Class-AB输出级，由交互控制输入级、Class-AB输出级、偏置输出级以及频率补偿四部分组成；采用伪两级Class-AB结构，通过精确控制尾电流源和偏置电流可以不改变输入晶体管尺寸增加开环直流增益。本发明解决了在低压低功耗系统中，如何实现针对开关电容应用的高增益高带宽大输出摆幅设计。电流镜Class-AB输出级在增加输出摆幅的同时降低了电路的功耗。偏置电路的引入增加了电路的电源抑制比。利用双输入交互控制进行频率补偿，增加了电路的稳定性，并且降低了补偿电容的容值。
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公开(公告)号：CN101098137B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710118648.9
申请日：2007-07-11
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/687 , H01L27/092 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了属于集成电路中全数字工艺电容设计技术领域的一种针对低压应用的全互补MOS耗尽区电容电路。该电容电路主要由5个PMOS管M1～M5和1个NMOS管M6组成。实现了适合于深亚微米设计中低压情况下具有高线性度和低温度相关性的全互补MOS耗尽区电容，全数字工艺设计可以极大的降低设计成本。从而解决了在深亚微米工艺中低压工作条件下如何在不增加工艺成本情况下采用全数字工艺实现开关电容等电路的实现问题。
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公开(公告)号：CN101098137A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710118648.9
申请日：2007-07-11
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/687 , H01L27/092 , H01L23/522
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了属于集成电路中全数字工艺电容设计技术领域的一种针对低压应用的全互补MOS耗尽区电容电路。该电容电路主要由5个PMOS管M1～M5和1个NMOS管M6组成。实现了适合于深亚微米设计中低压情况下具有高线性度和低温度相关性的全互补MOS耗尽区电容，全数字工艺设计可以极大的降低设计成本。从而解决了在深亚微米工艺中低压工作条件下如何在不增加工艺成本情况下采用全数字工艺实现开关电容等电路的实现问题。
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