公开(公告)号：CN117594662A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311811566.8

申请日：2023-12-26

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 李严

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制备工艺，涉及半导体技术领域，以抑制环栅晶体管中寄生沟道漏电，利于提升环栅晶体管的工作性能。所述半导体器件包括半导体基底、有源结构、栅堆叠结构、第一内侧墙、半导体材料结构、第二内侧墙。有源结构包括源区、漏区和沟道区。栅堆叠结构环绕在沟道区的外周。第一内侧墙形成在栅堆叠结构与源区之间、以及栅堆叠结构与漏区之间。半导体材料结构位于有源结构的下方；半导体材料结构位于源区、漏区和部分第一内侧墙下方的部分的高度小于自身具有的其余部分的高度。沿栅堆叠结构的长度方向，第二内侧墙位于半导体材料结构与源区之间、以及半导体材料结构与漏区之间；第二内侧墙的厚度小于第一内侧墙的厚度。

公开(公告)号：CN117790567A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311723090.2

申请日：2023-12-14

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 李严

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以在鳍式场效应晶体管包括的沟道区的材料包括锗的情况下，降低甚至消除沟道区内的晶格缺陷。所述半导体器件包括硅基衬底、浅槽隔离结构、鳍式场效应晶体管和缓冲结构。浅槽隔离结构形成在硅基衬底上，且用于将不同有源区隔离开。鳍式场效应晶体管形成在有源区上。鳍式场效应晶体管包括的沟道区的材料包括锗。缓冲结构位于鳍式场效应晶体管与有源区之间。沿硅基衬底的厚度方向，缓冲结构包括位于有源区上的第一锗层、以及交替层叠设置在第一锗层上的锗硅层和第二锗层。交替层叠设置的锗硅层和第二锗层中，与第一锗层接触的膜层为锗硅层。浅槽隔离结构围绕在缓冲结构的外周。

公开(公告)号：CN116259668A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310132294.2

申请日：2023-02-17

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 邓伟 ,  倪晓明 ,  吴秋新 ,  李严 ,  殷树娟 ,  杨鹏飞

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

Abstract: 本申请涉及一种降低关态功耗的薄膜晶体管结构及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域，该结构包括：设置在衬底上的源极和漏极；其中，源极、漏极之间的间隔区域设置有有源层；漏极与有源层接触的一侧设置有漏极隔离层。本申请通过在有源层中靠近漏极一端制备绝缘层，从而达到降低薄膜晶体管在关态时漏电流的目的，从而解决薄膜晶体管在保持阶段液晶偏压不稳定的问题。

公开(公告)号：CN117637852A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311811585.0

申请日：2023-12-26

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 李严

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，以抑制环栅晶体管中寄生沟道漏电，利于提升环栅晶体管的工作性能。所述半导体器件包括半导体基底、有源结构、半导体材料结构、栅堆叠结构、第一内侧墙和第二内侧墙。有源结构包括源区、漏区和沟道区。半导体材料结构仅位于部分沟道区的下方。栅堆叠结构形成在半导体基底上、且环绕在沟道区的外周。第一内侧墙形成在栅堆叠结构与源区之间、以及栅堆叠结构与漏区之间。第二内侧墙形成在半导体材料结构沿栅堆叠结构的长度方向的两侧、且位于半导体材料结构与有源结构之间。沿栅堆叠结构的长度方向，第二内侧墙的厚度大于第一内侧墙的厚度。

公开(公告)号：CN204926092U

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201520569190.9

申请日：2015-07-31

Applicant: 北京信息科技大学

Inventor： 田杨萌 ,  王宏伟 ,  李严 ,  杨明明 ,  殷树娟

IPC: G06F21/32

Abstract: 本实用新型提供了一种身份识别终端及系统。上述身份识别终端包括：光电式脉搏传感器，包括：多个光源、多个光敏元件，其中，光敏元件中的一部分光敏元件位于身份识别终端中与光源相对的一侧，接收经由人体局部区域的透射光，光敏元件中的另一部分光敏元件位于身份识别终端中与光源相同的一侧，接收经由人体局部区域的反射光；PPG预处理芯片，与光电式脉搏传感器相连接，对光敏元件输出的脉搏波信号进行滤波和放大处理；处理器，与PPG预处理芯片相连接，将来自于PPG预处理芯片的脉搏波信号进行模数转换；无线发送器，与处理器相连，将模数转换后的脉搏波信号发送给远端的身份识别中心进行身份识别。上述身份识别方案，安全可靠且方便快捷。