一种中高频隔离变换器功率模块

    公开(公告)号:CN115242080B

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202210776119.2

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明提供一种中高频隔离变换器功率模块。综合考虑宽范围输入电压和负载变化、隔离、高功率密度和有限空间约束条件下,进行包括功率组件模块、高频谐振隔离整流、低感功率链路、热源器件散热器布局、整体散热空间、低阻电容链、综合紧凑型布局等的优化设计。中高频隔离变换器功率模块谐振参数可通过改变电容的并联数量来进行修改,所述的叠层母排采用L型设计结构,并利用耦合原理有效降低杂散电感,其结构紧凑、参数可调,系统的开关频率及功率密度有效提高,充分减小变换器中磁性元件的体积和重量,所述的空间布局能够尽量兼顾紧凑性,并提高安装维护条件。

    一种考虑半导体结电容大小的LLC十一模态时域分析方法

    公开(公告)号:CN117009918A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310794041.1

    申请日:2023-06-30

    Abstract: 本发明涉及LLC谐振电路分析技术领域,具体涉及一种考虑半导体结电容大小的LLC十一模态时域分析方法;本方案在设计适应谐振电容电压电流值等约束条件的谐振参数的基础上,考虑了杂散电容等非理想因素,分析了死区时间内谐振,即一个开关周期内并包括了死区时间,将整个过程分为十一个模态进行分析;本方案在LLC变换器中,充分考虑了寄生电容对电路正常运行的不良影响,同时对不同模态下的电路模型进行了对比分析,对实际电路的设计有更大的参考价值,方法更加清晰简单,适用于实际工程。

    一种交直流功率模块热管理系统及方法

    公开(公告)号:CN115479691A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202210858716.X

    申请日:2022-07-21

    Abstract: 本发明提供一种交直流功率模块热管理系统及方法,根据不同功率等级的功率开关模块的温升大小,在散热器风道进风口附近选取温度相对均衡的功率开关模块的组合放置方式,并在合适的位置安装温度传感器以实时监控散热器温度状态,通过间歇模式调整功率模块的工作状态将系统温度控制在合适的范围内,在保证结构紧凑的基础上提高系统的散热效率,通过电流传感器进行电流监测,电流为影响功率的主要因素,对未来一段时间的温升起到一定的预警作用,通过电压传感器进行功率开关管的电压监测,因高温环境下,功率管耐压会受到影响,需要和温度传感器采集到的实时温度进行联合监测预警,使器件一直工作在安全工作范围内。

    一种中高频隔离变换器功率模块

    公开(公告)号:CN115242080A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210776119.2

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本发明提供一种中高频隔离变换器功率模块。综合考虑宽范围输入电压和负载变化、隔离、高功率密度和有限空间约束条件下,进行包括功率组件模块、高频谐振隔离整流、低感功率链路、热源器件散热器布局、整体散热空间、低阻电容链、综合紧凑型布局等的优化设计。中高频隔离变换器功率模块谐振参数可通过改变电容的并联数量来进行修改,所述的叠层母排采用L型设计结构,并利用耦合原理有效降低杂散电感,其结构紧凑、参数可调,系统的开关频率及功率密度有效提高,充分减小变换器中磁性元件的体积和重量,所述的空间布局能够尽量兼顾紧凑性,并提高安装维护条件。

    一种功率半导体器件的结温提取方法

    公开(公告)号:CN113064042B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110134810.6

    申请日:2021-02-01

    Abstract: 本发明涉及了一种功率半导体器件的结温提取方法,通过仿真软件搭建双脉冲实验电路,以SiC MOSFET为例,选其作为开关管,测量功率器件漏源电压vds的电压尖峰和功率半导体的结温,分析发现引起电压尖峰的原因包括跨导系数、门极阈值电压以及栅漏电容,而这些影响因素同样受到结温影响,通过仿真实验得到结温和关断电压尖峰存在着负的对应关系。该方法对开关管两端的电压波动有着很好的屏蔽作用,只需通过测量漏源电压vds的尖峰即可得到结温大小,该方法测量过程相较于其他结温提取方法读数更容易,精确度更高。

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