高效背面接触型太阳能电池单元、太阳能电池组件和光伏发电系统

    公开(公告)号:CN110100317B

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN201680090730.2

    申请日:2016-12-13

    Abstract: 提供一种背面接触型太阳能电池单元,其在第一导电型的半导体基板的作为非受光面的背面上形成有扩散第二导电型的杂质的杂质扩散层,所述背面接触型太阳能电池单元设置有与所述杂质扩散层连接的电极,其中杂质扩散层中杂质的表面浓度为5×1017原子/cm3以上且5×1019原子/cm3以下,杂质扩散层中杂质的扩散深度为从所述基板背面的表面起1μm以上且2.9μm以下。由于该构造,可以提供能够以低成本且利用简便的方法制造的高效背面接触型太阳能电池单元。

    高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:CN109906515A

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201680090416.4

    申请日:2016-10-25

    Abstract: 本发明是太阳能电池的制造方法,具有:在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤,在半导体基板的第一主表面,形成射极层的步骤,在射极层上形成扩散屏蔽的步骤,将扩散屏蔽图案状地除去的步骤,在除去扩散屏蔽的部位,形成基底层的步骤,除去残存的扩散屏蔽的步骤,于第一主表面上形成介电体膜的步骤,于基底层上形成基底电极的步骤,以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此,提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。

    太阳能电池及其制作方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109463019A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201780036800.0

    申请日:2017-04-07

    Abstract: 本发明提供一种太阳能电池,其具备具有第一导电型的半导体基板,在该基板的第一主表面上,具备具有与所述第一导电型相同导电型的第一导电型层及具有与所述第一导电型相反的第二导电型的第二导电型层,在位于所述第一主表面的第一导电型层上具备第一集电极,在位于所述第一主表面的第二导电型层上具备第二集电极,其特征在于,具有所述第二导电型的第二导电型层在所述半导体基板的侧面与位于所述第一主表面的第二导电型层连续地形成。由此,能够提供一种能够有效地收集载流子且转换效率优异的太阳能电池。

    太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池元件

    公开(公告)号:CN103348489A

    公开(公告)日:2013-10-09

    申请号:CN201180066540.4

    申请日:2011-12-21

    CPC classification number: H01L31/18 B41P2215/50 H01L31/022425 Y02E10/50

    Abstract: 本发明提供了太阳能电池元件的制造方法,其可谋求提高在丝网印刷工序中形成的集电极的膜厚,且降低其电阻值,并对转换效率的提高做出贡献。当通过导电性糊的丝网印刷形成太阳能电池元件的集电极时,多次重复该丝网印刷处理。此时,使第二次以后的丝网印刷时的刮涂速度等于或高于第一次丝网印刷时的刮涂速度。在第一次印刷的集电极上重叠进行第二次以后的丝网印刷,因此,刮涂速度越快,糊和基底的印刷板脱离越好,糊的涂布量增大,所形成的集电极的膜厚变厚。

    太阳能电池和太阳能电池模件

    公开(公告)号:CN103329279A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201180065726.8

    申请日:2011-12-01

    Abstract: 本发明涉及太阳能电池,是在至少具有pn结的结晶硅基板上形成钝化膜、经过导电性糊的印刷和热处理的工序形成电极的太阳能电池,其特征在于,具有:以将光生成的载流子从硅基板取出的取出电极与硅基板接触的方式形成的第1电极、和以将在上述第1电极收集的载流子收集的集电极与上述第1电极接触的方式形成的第2电极,上述第2电极和硅基板至少在第1电极和第2电极的接触点以外只部分地相接或完全不相接,根据本发明,通过在集电极与硅之间使钝化膜完全或部分地残留,从而能够使在电极/硅界面的电荷损失减少,改善短路电流、开路电压,提高太阳能电池特性。此外,工序能够采用以往的丝网印刷技术等实现,对于成本削减极其有效。

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