-
公开(公告)号：CN109716492B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780054582.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 三垦电气股份有限公司 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。
-
公开(公告)号：CN106068547A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580011736.1
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L29/2003
Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。
-
公开(公告)号：CN119816631A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380065254.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种带氮化物半导体层的单晶硅基板，其具有单晶硅基板、在所述单晶硅基板上外延生长而成的3C‑SiC单晶膜及在所述3C‑SiC单晶膜上外延生长而成的氮化物半导体层，所述带氮化物半导体层的单晶硅基板的特征在于，在所述单晶硅基板整体形成有位错，将所述位错平面投影于所述单晶硅基板时的长度(位错长度)为1mm以上，所述位错的密度为10/cm2以上。由此，可提供带氮化物半导体层的单晶硅基板及带氮化物半导体层的单晶硅基板的制造方法，该带氮化物半导体层的单晶硅基板为200mm或300mm这样的大直径的带氮化物半导体层的单晶硅基板，其使用了一般厚度的Si基板，降低了翘曲，尤其没有产生破裂。
-
公开(公告)号：CN109716492A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780054582.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 三垦电气股份有限公司 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。
-
公开(公告)号：CN108886000A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680081872.2
申请日：2016-02-26
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/20 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 该半导体基体的特征在于具有：硅系基板；硅系基板上的缓冲层，所述缓冲层包括反复配置的一层，其中第一层由包含第一材料的氮化物系化合物半导体形成，第二层由包含第二材料的氮化物半导体形成，所述第二材料的晶格常数比第一材料大；以及通道层，其由包含第二材料的氮化物系化合物半导体形成，所述通道层形成在缓冲层上。半导体基体的特征还在于：缓冲层具有作为第一层上的至少一层，所述一层位于第一层和第二层之间，第一组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第一组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第二材料组成比例，以及在向上方向上逐渐减小的第一材料组成比例，并且，作为在所述第二层上的至少一层，所述一层在第二层和第一层之间，第二组成倾斜层由氮化物系化合物半导体形成，所述第二组成倾斜层具有在向上方向上逐渐增加的第一材料组成比例，和向上方向上逐渐减少的第二材料组成比例；第一组成倾斜层比第二组成倾斜层厚。因此，提供了即使在多层缓冲层的层之间提供组成倾斜层的情况下也能够抑制结晶度劣化和裂缝长度增加的半导体基体，所述组成倾斜层的晶格常数变化量大于0.7％/nm。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119998503A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380073269.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体外延片的制造方法，其为具有复合基板和外延生长于复合基板上的氮化物半导体层的氮化物半导体外延片的制造方法，该复合基板具有含陶瓷基板和贴合于含陶瓷基板上的单晶层，该制造方法包括以下工序：准备具备含陶瓷基板且具有‑150＜弯曲度(μm)≤40、翘曲度(μm)＜150且翘曲度(μm)＜90‑弯曲度(μm)的形状的复合基板的工序，该含陶瓷基板具有在氮化物半导体层的热膨胀系数的±10%以内的热膨胀系数；在复合基板的单晶层上形成对氮化物半导体层施加压缩应力的中间层的工序；及，在中间层上外延生长氮化物半导体层的工序，通过调整中间层的膜厚，从而具有翘曲度(μm)＜50、｜弯曲度(μm)｜≤40的形状。由此，提供一种翘曲较小，且无龟裂、剥落的氮化物半导体外延片的制造方法。
-
公开(公告)号：CN106068546B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201580011705.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：制作步骤，其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆；观察步骤，其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部；以及，去除步骤，其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此，提供一种半导体外延晶圆的制造方法，该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。
-
公开(公告)号：CN106068546A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201580011705.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/20
CPC classification number: C30B33/00 , C23C16/34 , C23C16/56 , C30B25/00 , C30B25/183 , C30B29/406 , C30B33/10 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/7806 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/2003 , H01L29/32
Abstract: 本发明是一种半导体外延晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：制作步骤，其使半导体层外延生长在硅系基板上来制造外延晶圆；观察步骤，其观察所述制作而成的外延晶圆的外周部；以及，去除步骤，其将在所述观察步骤中观察到的裂痕、外延层剥落及反应痕迹的部分加以除去。由此，提供一种半导体外延晶圆的制造方法，该方法可获得完全无裂痕的半导体外延晶圆。
-
-
公开(公告)号：CN115997271A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180045965.0
申请日：2021-07-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体晶圆，其为在单晶硅基板上具有由氮化物半导体构成的器件层的氮化物半导体晶圆，其中，所述单晶硅基板为CZ单晶硅基板，其电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度为5.0×1016原子/cm3(JEIDA)以上2.0×1017原子/cm3(JEIDA)以下、氮浓度为5.0×1014原子/cm3以上。由此，提供一种即便使用适合用于高频器件的通过CZ法制造的高电阻低氧单晶硅基板，也不易发生塑性变形，且基板的翘曲较小的氮化物半导体晶圆。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.038 seconds)
