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公开(公告)号：CN119998503A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380073269.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体外延片的制造方法，其为具有复合基板和外延生长于复合基板上的氮化物半导体层的氮化物半导体外延片的制造方法，该复合基板具有含陶瓷基板和贴合于含陶瓷基板上的单晶层，该制造方法包括以下工序：准备具备含陶瓷基板且具有‑150＜弯曲度(μm)≤40、翘曲度(μm)＜150且翘曲度(μm)＜90‑弯曲度(μm)的形状的复合基板的工序，该含陶瓷基板具有在氮化物半导体层的热膨胀系数的±10%以内的热膨胀系数；在复合基板的单晶层上形成对氮化物半导体层施加压缩应力的中间层的工序；及，在中间层上外延生长氮化物半导体层的工序，通过调整中间层的膜厚，从而具有翘曲度(μm)＜50、｜弯曲度(μm)｜≤40的形状。由此，提供一种翘曲较小，且无龟裂、剥落的氮化物半导体外延片的制造方法。
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公开(公告)号：CN118414455A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280079606.1
申请日：2022-10-31
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是由晶面方位为{111}的第一单晶硅基板与晶面方位为{100}的第二单晶硅基板经由氧化膜结合而成的基板，所述第一基板在 方向上形成有缺口，所述第二基板在 方向或 方向上形成有缺口，所述第一基板的 方向与所述第二基板的 方向在‑15°～15°的角度范围内结合，在所述结合基板的所述第一基板的表面上形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种破坏强度较高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体，并且抑制滑移、破裂等的发生。
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公开(公告)号：CN118251519A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202280078328.8
申请日：2022-10-25
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其是在硅单晶基板上形成有氮化物半导体薄膜的氮化物半导体基板，所述硅单晶基板的碳浓度为5×1016个原子/cm3以上且2×1017个原子/cm3以下。由此，可提供一种对塑化变形具有耐性的氮化物半导体基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN117413345A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280038611.8
申请日：2022-03-03
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体基板，其具备成膜用基板与在该成膜用基板上成膜的氮化物半导体薄膜，所述成膜用基板包含结合有多个层的复合基板及形成在该复合基板上的单晶硅层，所述氮化物半导体基板的特征在于，所述氮化物半导体薄膜包含GaN层，所述GaN层至少掺杂有1×1019原子/cm3以上且小于5×1020原子/cm3的碳和/或5×1018原子/cm3以上且小于5×1020原子/cm3的铁。由此，能够提供一种提高了高频特性的氮化物半导体基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118511253A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202280083575.7
申请日：2022-12-05
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其为在基板上成膜有氮化物半导体薄膜的氮化物半导体基板，并且，所述氮化物半导体薄膜具有：应力松弛层，其成膜于所述基板上；及GaN层，其成膜于该应力松弛层上且掺杂有碳，所述GaN层具备碳高浓度层及碳低浓度层，该碳低浓度层被该碳高浓度层夹持且碳浓度比该碳高浓度层低75%以上。由此，提供一种氮化物半导体基板及其制造方法，其在不增厚GaN外延层的厚度的情况下，并且在不使用其它特殊原料的情况下，结晶性升高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117916412A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280059910.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体基板的制造方法，所述氮化物半导体基板在成膜用基板上形成有氮化物半导体，其特征在于，包含：工序(1)，其在氮气气氛中对由单晶硅构成的成膜用基板进行热处理，由此在所述成膜用基板上形成硅氮化膜；工序(2)，其在所述硅氮化膜上生长AlN膜；以及工序(3)，其在所述AlN膜上生长GaN膜、AlGaN膜或这两者。由此，提供一种氮化物半导体基板的制造方法，该方法当在高电阻单晶硅基板上外延生长AlN层并在其上外延生长GaN和AlGaN层时，能够防止Al扩散至高电阻单晶硅基板。
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公开(公告)号：CN117795137A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280052927.2
申请日：2022-07-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/06 , H01L29/201 , H01L21/20
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其包含：层叠有多个层的复合基板；层叠在该复合基板上，且具有中央部的平坦面和位于该平坦面的周围的侧面的氧化硅层或TEOS层；层叠在该氧化硅层或TEOS层上的单晶硅层；及成膜在该单晶硅层上的氮化物半导体薄膜，所述氮化物半导体基板的特征在于，所述氧化硅层或TEOS层的中央部的整个平坦面被所述单晶硅层覆盖。由此，提供一种氮化物半导体基板及其制造方法，该氮化物半导体基板在外延生长后的镜面边缘表面无雾化，因此无扬尘或反应痕迹且工艺中的不良较少。
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公开(公告)号：CN116940720A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202280020112.6
申请日：2022-03-04
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38
Abstract: 目的是获得几乎没有晶体缺陷的高品质且价廉的包含如AlN、AlxGa1‑xN(0 单晶的0.1～1.5μm的表面层进行薄膜转印而设置晶种层。
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公开(公告)号：CN116034189A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202180055465.5
申请日：2021-04-08
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B25/18
Abstract: 本发明为一种氮化物半导体晶圆的制造方法，其为通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在硅单晶基板上的氮化物半导体晶圆的制造方法，其中，将电阻率为1000Ω·cm以上、氧浓度小于1×1017原子/cm3、厚度为1000μm以上的硅单晶基板用作所述硅单晶基板，通过气相沉积使氮化物半导体薄膜生长在该硅单晶基板上。由此，能够提供一种即便基板是作为高频器件的支撑基板而有前景的高电阻率且超低氧浓度的硅单晶基板，也抑制了塑性变形及翘曲的氮化物半导体晶圆的制造方法。
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公开(公告)号：CN119654453A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380060769.X
申请日：2023-06-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体基板，其具备：电阻率为1000Ω·cm以上的硅基板、或表面具备电阻率为1000Ω·cm以上的硅层的基底基板；及外延成膜在所述硅基板或所述硅层上的III族氮化物半导体薄膜，该氮化物半导体基板的特征在于，所述III族氮化物半导体薄膜中的碳浓度的平均值为3E＋18个原子/cm3以下。由此，提供一种高频损耗少并且热导率高的氮化物半导体基板及其制造方法。
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