-
公开(公告)号：CN102301477A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006236.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L29/7833
Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。
-
公开(公告)号：CN102301474B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080006229.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/335
Abstract: 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。
-
公开(公告)号：CN101609813B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910151873.1
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开光电转换器件的制造方法，该器件包括：光电转换区域，具有多个光电转换元件和响应每个光电转换元件的电荷读取信号的第一MOS晶体管；外围电路区域，具有驱动第一MOS晶体管和/或放大从光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，光电转换区域和外围电路区域位于同一半导体衬底上。该方法包括：形成第一和第二MOS晶体管的栅电极；用栅电极作为掩模注入第一导电类型杂质离子；形成绝缘膜以覆盖光电转换区域和外围电路区域；在通过掩模保护光电转换区域上的绝缘膜时，通过回蚀刻去除外围电路区域上的绝缘膜，并形成第二MOS晶体管的侧面间隔件；用光电转换区域上的绝缘膜和侧面间隔件作为掩模，注入第一导电类型杂质离子。
-
公开(公告)号：CN102244084A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110119054.6
申请日：2011-05-10
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 渡边高典
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: 本发明公开了固态图像传感器的制造方法，该制造方法用于制造在基板上具有像素的传感器，各像素包含光电转换器、电荷-电压转换器和用于形成用于将光电转换器中的电荷传送到电荷-电压转换器的沟道的栅极，该方法包括：将离子注入到基板的要形成光电转换器的目标区域内的步骤，其中，该步骤被执行N次，在步骤中的每一个中，离子沿相对于基板表面的法线具有倾斜角的方向被注入，注入离子的目标区域在各步骤中不同，并且，对于各步骤，在基板上形成对于每N个像素具有开口的掩模，多个开口沿表面和由法线和该方向确定的平面之间的交线的方向周期性布置。
-
公开(公告)号：CN101118919A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710143752.3
申请日：2007-08-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换器件，包括：光电转换区域，其具有多个光电转换元件和配置为响应每个光电转换元件的电荷而读取信号的第一MOS晶体管；以及外围电路区域，其具有配置为驱动所述第一MOS晶体管和/或放大从所述光电转换区域读取的信号的第二MOS晶体管，并且所述光电转换区域和所述外围电路区域位于同一半导体衬底上，其中所述第一MOS晶体管的漏极中的杂质浓度低于所述第二MOS晶体管的漏极中的杂质浓度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102017150B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200980115090.6
申请日：2009-04-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/359 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 一种包括多个像素(100)的固态成像装置，各像素包含：用于保持来自光电转换部分(101)的信号载流子的第一保持部分(103)，用于放大和读取基于在光电转换部分中产生的信号载流子的信号的放大部分(109)，以及用于将光电转换部分中的电荷载流子排出到OFD区域的载流子排出控制部分(111)；并在光电转换部分和第一保持部分之间具有载流子路径，其中，当从光电转换部分的输出节点观察时，固态成像装置还包括通过第一传送单元(104)与第一保持部分并联电连接的第二保持部分(105)，由此在抑制产生混入电荷载流子保持部分中的噪声的同时使动画成像平滑化而不导致不连续的帧。
-
公开(公告)号：CN103579274B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310345012.3
申请日：2013-08-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 公开了图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置，包括：其中排列像素的像素部分，像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域，和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域，第二半导体区域邻接到第一半导体区域，第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间。像素部分包括位于基准触点附近的第一类像素和第二类像素。半导体衬底的表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于半导体衬底的表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离。
-
公开(公告)号：CN102301473B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201080006217.3
申请日：2010-01-26
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 渡边高典
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 一种光电转换装置(100)包括：被设置在半导体基板(SB)中的多个光电转换单元(PD)；和被设置在半导体基板中的隔离部(103、104、105、106)。各光电转换单元包含：第二半导体区域(107)；被设置在第二半导体区域之下的第三半导体区域(109)和被设置在第三半导体区域之下的第四半导体区域(102)，并且，各隔离部包含：被设置在比半导体基板的表面更深的位置并且至少在第二半导体区域的侧方延伸的包含第一导电类型杂质的第五半导体区域(104)；和被设置在第五半导体区域之下并且至少在第三半导体区域的侧方延伸的包含第一导电类型杂质的第六半导体区域(105)，并且，包含于第五半导体区域中的杂质的扩散系数比包含于第六半导体区域中的杂质的扩散系数低。
-
公开(公告)号：CN101369594B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200810166297.3
申请日：2004-12-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/00 , H04N5/225
Abstract: 本发明提供光电变换装置及其制造方法和摄像系统。作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2
-
公开(公告)号：CN102301475A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006232.8
申请日：2010-01-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14654 , H01L27/14656 , H01L27/14672 , H01L27/14674 , H01L27/14689 , H01L31/062
Abstract: 一种光电转换装置包括设置在半导体基板(5B)中的多个光电转换部分(51)，其中，各光电转换部分(51)包括：包含第一杂质的P型电荷蓄积区域(107)；和与P型电荷蓄积区域一起配置光电二极管的N型阱部分(102)，并且，各阱部分具有：包含第一浓度的砷的N型第一半导体区域(102a)；被设置在第一半导体区域下面并且包含比第一浓度低的第二浓度的砷的N型第二半导体区域(102b、102c)；和被设置在第二半导体区域下面并且包含比第一浓度高的第三浓度的第二杂质的N型第三半导体区域(102d)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
37
records
(took 0.02 seconds)
