放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统

    公开(公告)号:CN102885632A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN201210250693.0

    申请日:2012-07-19

    Abstract: 本发明涉及放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统。该检测装置包括:驱动电路单元,在所述驱动电路单元中,为多个对应的驱动线提供了多个单元电路,每个单元电路包括第一电路和第二电路,所述第一电路根据启动信号将像素的开关元件的基于时钟信号中所包括的电压的导通电压供给驱动线,所述第二电路根据终止信号将所述开关元件的非导通电压供给驱动线;和控制单元,所述控制单元将所述时钟信号供给所述驱动电路单元。所述控制单元将控制电压供给所述多个单元电路,所述多个单元电路中的每个还包括第三电路,所述第三电路根据所述控制电压继续将非导通电压供给对应的驱动线。

    检测器的制造方法、放射线检测装置和放射线检测系统

    公开(公告)号:CN102751297A

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201210114879.3

    申请日:2012-04-18

    CPC classification number: H01L27/14632 H01L27/14687

    Abstract: 本发明涉及检测器的制造方法、放射线检测装置和放射线检测系统。提供一种用于在不伴随掩模数量的增加而增加成本或降低产量的情况下制造高性能平面型检测器的方法。该方法包括从在基板上沉积的第一导电膜形成第一电极和控制电极的第一步骤;在第一步骤之后依次沉积绝缘膜和半导体膜的第二步骤;在第二步骤之后依次沉积杂质半导体膜和第二导电膜并且从第二导电膜形成共用电极布线和第一导电部件的第三步骤;以及用同一掩模从在第三步骤之后形成的透明导电氧化物膜形成第二电极和第二导电部件并从杂质半导体膜形成杂质半导体层的第四步骤。

    半导体装置及其制造方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102683367A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210064853.2

    申请日:2012-03-13

    Abstract: 本申请涉及半导体装置及其制造方法。提供一种半导体装置,其包括基板、在基板上的像素阵列以及基板位于其之间的第一导电焊盘和第二导电焊盘。所述半导体装置还包括:绝缘层,其布置在基板与第一导电焊盘之间;第三导电焊盘,其布置在基板与绝缘层之间;第一导电部件,其穿过绝缘层并且将第一导电焊盘和第二导电焊盘彼此连接;和第二导电部件,其穿过基板并且将第二导电焊盘和第三导电焊盘彼此连接。所述像素阵列还包括导电线,所述导电线与包括在按行方向或列方向对齐的像素中的电路元件连接。第一导电焊盘在像素之间的间隔中与导电线连接。

    辐射检测装置和辐射检测系统

    公开(公告)号:CN104851897B

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201510068263.0

    申请日:2015-02-10

    Abstract: 本发明涉及辐射检测装置和辐射检测系统。辐射检测装置包括:转换元件,包含针对各像素分割的第一电极、半导体层和第二电极;切换元件,与第一电极电连接;以及第一绝缘层,分离相邻像素的转换元件。半导体层位于第一电极与第二电极之间。半导体层的外周位于第一电极的外周和第二电极的外周的外面。半导体层包括第一杂质半导体层、第二杂质半导体层和位于第一杂质半导体层与第二杂质半导体层之间的本征半导体层。限定该装置的参数,以将接通切换元件之后10μs的残留电荷设定为不高于2%。

Patent Agency Ranking