公开(公告)号：CN1160483C

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN97102271.2

申请日：1997-01-17

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 幸田勇藏 ,  冈部正太郎 ,  金井正博 ,  酒井明 ,  芳里直 ,  西元智纪 ,  矢岛孝博

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/50 ,  G03G5/08 ,  H01J37/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/36 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3277 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 在本发明的淀积设备中，安装在辉光放电空间(即与放电接触的空间)内的射频功率施加阴极的表面积大于包括带状构件在内的接地(阳极)电极整体的表面积，从而使安装在辉光放电空间的阴极电位(自偏置)相对于接地(阳极)电极自动保持在正电位。该偏置使得等离子体放电中的离子更加有效地朝带状构件加速，由此通过离子轰击有效地将能量施与淀积薄膜表面。该设备能在相当高的淀积速度下以高效率、高均匀性和高重复性生成微晶半导体薄膜。

公开(公告)号：CN1056016C

公开(公告)日：2000-08-30

申请号：CN94120757.9

申请日：1994-12-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金井正博 ,  田村秀男 ,  保野笃司 ,  酒井明 ,  芳里直

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制造光电池的方法及由该方法制得的光电池。在基片上形成包括硅基非晶或微晶半导体层的步骤包括：用高频等离子CVD法分别形成第一导电类型半导体区和在其上形成i-型半导体区的步骤；用等离子掺杂法在所述i-型半导体区上形成导电类型与所述第一导电类型相反的第二导电类型半导体区的步骤。本发明的光电池能控制特性变化并可提供高光电转换效率和高输出电压，其特性不变而且均匀。

公开(公告)号：CN1244031A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99111914.2

申请日：1999-07-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 藤冈靖 ,  冈部正太郎 ,  金井正博 ,  凭井明 ,  泽山忠志 ,  幸田勇藏 ,  矢岛孝博

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/509 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造半导体层的方法,将原料气体引入放电室中,对该室施加高频功率,通过放电分解原料气体,在室中的衬底上形成半导体层,它包括步骤:提供至少是甚高频(VHF)的高频功率作为高频功率;对放电室施加直流功率的偏置功率和/或射频(RF)的高频功率同时还施加VHF高频功率;和控制流进对其施加偏置功率的电极中的电流的直流分量,使放电室内壁面积上的电流密度处于0.1A/m2至10A/m2的范围内。高质量的半导体层可大面积高速地淀积。