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公开(公告)号：CN108511472B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201810165284.8
申请日：2018-02-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 本发明公开了光电转换设备和装置。提供一种光电转换设备，其中，从主表面到介电膜的第一部分的内表面的距离小于从主表面到光遮蔽部件的顶表面的距离，从主表面到第一部分的外表面的距离小于从主表面到介电膜的第二部分的外表面的距离，第三部分的外表面向顶表面倾斜，介电部件的表面在法线方向上在介电膜与顶表面之间向顶表面倾斜，并且介电部件具有比介电膜的折射率低的折射率。
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公开(公告)号：CN109244091A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810747768.3
申请日：2018-07-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1462 , H01L27/14636 , H01L27/14601
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体基板；导电部件，布置在半导体基板上方，包括多晶硅层，多晶硅层有第一部分、第二部分和沿半导体基板的主表面延伸的方向在第一部分和第二部分之间的第三部分；层间绝缘膜，覆盖导电部件；第一氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第三部分之间；第二氮化硅层，布置在层间绝缘膜和第一部分之间以及层间绝缘层和第二部分之间；第一和第二触点插头，分别布置在第一和第二部分上方，穿透层间绝缘膜和第二氮化硅层，以便与导电部件连接；其中，第一氮化硅层沿所述方向布置在第一和第二触点插头之间，并与第一和第二触点插头分开。以及一种包括该半导体装置的设备。
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公开(公告)号：CN108074945A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711118602.7
申请日：2017-11-14
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14818 , H01L21/8238 , H01L27/14623 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 一种固态成像设备、成像系统和用于制造固态成像设备的方法。该固态成像设备包括：遮光层，部署在像素区域和外围区域中并且在外围区域中的接触部分处电连接到基板，其中像素区域包含像素，像素包括光电转换元件和电荷保持部分，并且来自像素的信号在外围区域中被处理；第一绝缘层，在平面图中具有在电荷保持部分和接触部分之间的侧表面，并且部署在基板和遮光层之间；以及第一绝缘构件，部署在第一绝缘层的端部的侧表面上并且缓冲由于该端部引起的台阶。在平面图中遮光层的与第一绝缘构件重叠的部分的上表面的形状遵循第一绝缘构件的形状。
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公开(公告)号：CN101252138A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810080875.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/146 , H01L23/522 , H04N5/225 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76807 , H01L21/7681 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种光电转换装置和使用光电转换装置的图像拾取系统。该光电转换装置包括：第一层间绝缘膜，置于半导体基板上；第一插头，置于第一层间绝缘膜中的第一孔中，用于电连接在置于半导体基板中的多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间、或者有源区和MOS晶体管的栅极之间，但不是通过配线层的配线来连接的；和第二插头，置于第一层间绝缘膜中的第二孔中，第二插头电连接至有源区，其中，被布置在第二插头上方的最靠近第二插头的配线电连接至第二插头，电连接至第二插头的配线形成双镶嵌结构的一部分。通过这样的结构，可改进光到光电转换元件上的入射效率。
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