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公开(公告)号：CN101682162B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880014089.X
申请日：2008-08-27
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 关口亮太
CPC classification number: H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/1046 , H01S5/20 , H01S5/3402
Abstract: 提供了一种长波长激光器，其工作点是稳定的并且其激光振荡是稳定的。该长波长激光器包括提供给表面等离子体振子波导中的表面电流为极大值的部分的电阻器元件，以使表面等离子体振子波导中的第一包层和第二包层之间的电位差稳定。
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公开(公告)号：CN101038211B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710088578.7
申请日：2007-03-16
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/02162 , G01J1/42 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L31/0232
Abstract: 需要一种在包括红外区域的通常宽频率区域内具有高感光灵敏度的检测装置。因此，在本发明中，通过利用因负介电常数介质中的表面等离子体振子共振而增强电场强度的现象，提供了一种具有设置在电场强度大的位置上的电磁波检测部分的检测装置。
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公开(公告)号：CN101682162A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880014089.X
申请日：2008-08-27
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 关口亮太
CPC classification number: H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/1046 , H01S5/20 , H01S5/3402
Abstract: 提供了一种长波长激光器，其工作点是稳定的并且其激光振荡是稳定的。该长波长激光器包括提供给表面等离子体振子波导中的表面电流为极大值的部分的电阻器元件，以使表面等离子体振子波导中的第一包层和第二包层之间的电位差稳定。
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公开(公告)号：CN101038211A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088578.7
申请日：2007-03-16
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/02162 , G01J1/42 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L31/0232
Abstract: 需要一种在包括红外区域的通常宽频率区域内具有高感光灵敏度的检测装置。因此，在本发明中，通过利用因负介电常数介质中的表面等离子体振子共振而增强电场强度的现象，提供了一种具有设置在电场强度大的位置上的电磁波检测部分的检测装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105900235A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480070810.2
申请日：2014-12-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/872 , H01L31/108 , H01L31/112 , H01L21/329 , H01L31/18 , G01N21/35
CPC classification number: H01L31/1123 , G01J1/44 , G01J2001/4446 , G01N21/3581 , H01L27/0629 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L31/1085 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种半导体装置包括：硅衬底；以及在硅衬底上布置的检测元件、p型MOS晶体管以及n型MOS晶体管，其中检测元件包括半导体层、电极和布置在半导体层与电极之间的肖特基势垒，半导体层被布置在具有与p型或n型MOS晶体管的源极或漏极中的杂质扩散层相同的组成和高度的层、硅衬底中的具有与硅衬底中的在p型MOS晶体管或n型MOS晶体管的栅极氧化物膜正下方的沟道区相同的组成和高度的区域、或者硅衬底中的具有与布置在p型MOS晶体管与n型MOS晶体管之间的场氧化物膜正下方的区域相同的组成和高度的区域的正上方。
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公开(公告)号：CN103097952B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180040604.3
申请日：2011-08-08
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G02F1/377 , G01N21/35 , G01N21/3586 , G01N21/4795 , G02F2001/374 , G02F2203/13
Abstract: 提供一种电磁波产生器件，该电磁波产生器件包括包含多个波导区段(101、104、107)的光学波导，使得合成的电磁波的主瓣(111)具有大致单一的大方向性。电磁波产生器件包括包含分别被夹在电介质(10、11)之间并包含非线性光学晶体的多个波导区段(101、104、107)的光学波导。波导区段被布置成使得由两个相邻的波导区段(101、104、107)中的光的传播方向形成的角度(2θc)基本上与2θc对应。当ng表示非线性光学晶体对于光的折射率，且εeff表示电介质(10、11)和波导区段(101、104、107)的组件对于电磁波的有效相对介电常数时，θc被定义为。
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公开(公告)号：CN101447763B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200810179719.0
申请日：2008-11-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/882 , H01Q3/42
Abstract: 本发明涉及一种谐振隧穿结构。提供一种用于生成具有多个基本振荡频率的振荡的谐振隧穿结构。第一量子阱层具有第二子带(E2)。第二量子阱层具有第一子带(E1)和第三子带(E3)。当没有施加电场时，所述谐振隧穿结构满足“(Eb1，Eb2)
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公开(公告)号：CN101512850B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200780032896.X
申请日：2007-12-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/06255 , H01S5/06256 , H01S5/2213 , H01S5/227 , H01S5/3027 , H01S5/3031 , H01S5/3402 , H01S5/3422
Abstract: 提供一种具有长振荡波长(THz)的振荡装置，其中波长可变宽度相对较宽，并且波长扫描速率相对较高。振荡装置包括：相对于将振荡的电磁波具有增益的增益介质(103)；用于使电磁波谐振的腔结构(104，105)；以及用于将泵浦能量注入增益介质的能量注入部件(121，122A)。增益介质被夹在第一负介电常数介质(102，112)与第二负介电常数介质(101，111)之间，所述负介电常数介质中的每一个的介电常数实部相对于所述电磁波均为负的。为第一负介电常数介质和第二负介电常数介质中的至少一个提供电场施加部件(122B)，从而施加电场，以便改变在与增益介质的边界部分形成的耗尽区。
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