公开(公告)号：CN113470844A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110293440.0

申请日：2021-03-19

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 村上喜信 ,  F·圭拉

IPC: G21G1/10

Abstract: 本发明提供一种能够提高基于冷却机构的冷却性能的靶装置。根据靶装置(100)，靶容纳部(3)具有容纳靶液体(101)的第1区域(E1)及接收沸腾的靶液体的气液混合物(102)的第2区域(E2)。与此相对，冷却机构(4)具备至少冷却第1区域(E1)的第1冷却部(30A)及至少冷却第2区域(E2)的第2冷却部(30B)。而且，第2冷却部(30B)在第2区域(E2)形成从上方朝向下方的制冷剂的流动(图2的流动F2)。与直接使用第1冷却部30A中所使用的制冷剂时的冷却性能相比，能够提高基于从上方流向下方的制冷剂的冷却性能。

公开(公告)号：CN110176323A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910115856.6

申请日：2019-02-15

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 村上喜信 ,  F·圭拉

IPC: G21G1/10

Abstract: 本发明提供一种提高放射性同位素的产量的放射性同位素制造装置。本发明的放射性同位素制造装置(1)具备：粒子加速器；第1靶部，从粒子加速器射出的带电粒子束射入并通过；及第2靶部，射入有通过了第1靶部的带电粒子束。在第1靶部(11)中，在射束通路(15)内保持有靶材(17)，且具有向靶材(17)喷吹冷却气体的冷却气体供给部(51)。在第2靶部(12)中，靶基板(35)保持于射束轴(B)上，且靶基板(35)中带电粒子束的下游侧的面被冷却水冷却。射束轴(B)上的第1靶部(11)的靶箔(16)的总厚度比射束轴(B)上的第2靶部(12)的靶基板(35)的厚度小。

公开(公告)号：CN103824972A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201310425075.X

申请日：2013-09-17

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 岩田宽 ,  村上喜信

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/53 ,  H01L2251/56

Abstract: 一种能够提高光提取效率的有机EL元件的制造方法及有机EL元件。与第2区域（20B）对应的部分通过注入氧离子成为过氧化状态，成为不具有导电性的绝缘部（12B）。另一方面，由于第1区域（20A）中残留有抗蚀层（20），因此成为透明导电膜（12）被抗蚀层（20）覆盖的状态。因此，在该部分中，作为导电部（12A），以抗蚀层（20）的与第1区域（20A）对应的图案来进行图案形成。由此，在透明导电膜（12）上进行电性图案形成。另一方面，导电部（12A）及绝缘部（12B）由光学上相同的材料形成，因此能够成为在光学上未进行图案形成的状态，能够使提取光时的导电部（12A）与绝缘部（12B）之间的光学条件相近。