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公开(公告)号：CN100362672C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200510120085.8
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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公开(公告)号：CN1697895A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000646.4
申请日：2004-04-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/20 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: H01L21/02378 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02538 , H01L21/02642 , H01S5/323 , Y10T428/12674 , Y10T428/12681
Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III－V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III－V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III－V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III－V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III－V族化合物缓冲膜的步骤；在III－V族化合物缓冲膜上生长III－V族晶体的步骤。
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公开(公告)号：CN1129956C
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN00120164.6
申请日：2000-06-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/40 , C30B25/00
CPC classification number: C30B25/105 , C30B29/403 , C30B29/406 , Y10T117/10
Abstract: 在生长III-V族氮化物半导体(GaN)的气相生长装置1中，其内部配置盛装III族元素的容器11，同时还配置包括具有通入氮的导入口7的反应室3，激发由导入口7通入的氮为等离子体的激发装置15，加热配置在反应室3内晶种10和盛装容器11的加热装置13，在晶体10上生长III-V族氮化物半导体时，由导入口7通入氮，反应室3内的气体不向反应室3外排放。
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公开(公告)号：CN1411035A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02145712.3
申请日：2002-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B23/002 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸面构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。
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公开(公告)号：CN101805928A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010121696.5
申请日：2007-06-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/00 , C30B25/183
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)。C面生长区部分(Y)的碳浓度与晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且C面生长区部分(Y)的碳浓度与低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105。并且，该C面生长区部分(Y)的碳浓度是1016-1020cm-3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100550303C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200410089673.5
申请日：2004-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B9/00 , C30B29/403 , C30B29/406
Abstract: 本发明提供了具有大范围晶体生长速率的第III族氮化物晶体，它们的制备方法，和制备这种第III族氮化物晶体的设备。制备方法包括：在反应容器(21)中，围绕晶种(2)形成包含至少一种第III族元素和一种催化剂的熔体(1)的熔体形成步骤；和将含氮物质(3)供给熔体(1)以便在晶种(2)上生长第III族氮化物晶体(4)的晶体生长步骤；该方法的特征在于，控制温度，以便在晶体生长步骤中，熔体(1)的温度从熔体(1)与含氮物质(3)之间的界面(13)朝熔体(1)与晶种(2)之间的界面(12)或熔体(1)与已生长在晶种(2)上的第III族氮化物晶体(4)之间的界面(14)递降。
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公开(公告)号：CN101194053A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200680020842.7
申请日：2006-08-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 利用HVPE制造GaN晶体的常规方法看起来具有通过在高于1100℃的温度下制造GaN晶体提高GaN晶体结晶度的可能性。然而，这种常规方法具有石英反应管(1)在由加热器(5)和(6)加热到高于1100℃的温度时熔融的问题。这里公开了一种制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，由包含氨气和卤化镓气体与卤化铟气体的至少一种的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)来制造GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体，其中在GaxIn1－xN(0≤x≤1)晶体(12)生长期间，外部地加热石英反应管(1)并且单独地加热基衬底(7)。
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公开(公告)号：CN101063225A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200610105562.8
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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公开(公告)号：CN1670916A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510005741.X
申请日：2005-01-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B9/10 , C30B7/10 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02625
Abstract: 提供了一种具有低的位错密度、制造便宜的第III族氮化物晶体衬底、制造这种衬底的方法，及结合所述第III族氮化物晶体衬底的第III族氮化物半导体器件。所述第III族氮化物晶体衬底的制造方法包括：将第一种第III族氮化物晶体(2)通过液相取向附生生长到基础衬底(1)上面的步骤；和将第二种第III族氮化物晶体(3)通过气相取向附生生长到所述第一种第III族氮化物晶体(2)上面的步骤。由这种制造方法制造的第III族氮化物晶体衬底的位错密度为1×107位错/cm2。
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公开(公告)号：CN110042471A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910130397.9
申请日：2015-04-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B25/04 , C30B25/16 , C30B25/18 , H01L21/02 , H01L29/04 , H01L29/20 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 提供了一种氮化镓衬底。所述氮化镓衬底用C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带端发射强度的平均值，所述第一区域的带端发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带端发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。
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