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公开(公告)号：CN101932758A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880125981.5
申请日：2008-12-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B23/06 , H01L21/205
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/025 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631
Abstract: 本发明公开了一种生长大型高品质的AlxGa1-xN单晶的方法。具体公开了生长AlxGa1-xN单晶的方法，其包括：准备AlyGa1-yN(0＜y≤1)晶种(4)的步骤，所述晶种的晶体直径D mm和厚度T mm符合下列关系式：T＜0.003D+0.15；以及通过升华生长法在所述AlyGa1-yN晶种(4)的主表面(4m)上生长AlxGa1-xN(0＜x≤1)单晶(5)的步骤。
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公开(公告)号：CN106536795B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201580038381.5
申请日：2015-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种GaAs晶体，其具有20cm‑1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。
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公开(公告)号：CN106536795A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038381.5
申请日：2015-01-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种GaAs晶体，其具有20cm-1以下的以下述的表达式1表示的Δx(1)，其中xi表示归属于在点处测定的拉曼光谱中的GaAs的纵光学声子的振荡的第一峰的拉曼位移，xBL表示氖的发射谱线峰的拉曼位移，并且i和s各自为大于0的自然数。(100)面内的s个点处的拉曼光谱测定中的第i个
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公开(公告)号：CN101970708B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200980000384.4
申请日：2009-02-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C23C14/0641 , C23C14/28 , C30B23/02
Abstract: 本发明公开了平坦且薄的AlN薄膜及所述AlN薄膜的制造方法。AlN薄膜(2)包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。在真空室内设置AlN烧结体，并在基材(1)已经设置在真空室内的状态下用激光束对所述AlN烧结体进行照射而产生等离子体，利用该等离子体能够在所述基材(1)上形成所述AlN薄膜(2)，所述AlN烧结体包含0.001wt％～10wt％的选自III族元素、IV族元素和V族元素中的一种以上添加元素。
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公开(公告)号：CN101842524B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200880012096.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B23/02 , H01L21/203
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658
Abstract: 本发明公开了生长氮化铝晶体的方法、制造氮化铝晶体的方法和氮化铝晶体，在生长氮化铝晶体的过程中，所述生长氮化铝晶体的方法能够阻止所述起始衬底的升华，并且能够在提高的生长速度下生长具有良好结晶性的氮化铝晶体。所述生长氮化铝晶体(20)的方法包括下列步骤。首先，设置具有起始衬底(11)、第一层(12)和第二层(13)的层状基板(10)，所述起始衬底(11)具有主面(11a)和背面(11b)，所述第一层(12)设置于所述背面(11b)上，所述第二层(13)设置于所述第一层(12)上。通过气相生长法在所述起始衬底(11)的所述主面(11a)上生长氮化铝晶体(20)。所述第一层(12)由在所述氮化铝晶体(20)的生长温度下升华能力比所述起始衬底(11)低的物质形成。所述第二层(13)由热导率比所述第一层(12)高的物质形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102099510A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980127950.8
申请日：2009-06-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/025 , C30B25/18
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物晶体的制造方法及III族氮化物晶体，用于生长具有大的厚度且高品质的III族氮化物晶体。III族氮化物晶体13的制造方法具备以下的工序。首先，准备具有相对于(0001)面向 方向倾斜的主表面(11a)的底部基板(11)。然后，通过气相生长法在底部基板(11)的主表面(11a)上生长III族氮化物晶体(13)。底部基板(11)的主表面(11a)优选为相对于{01-10}面倾斜-5°以上且5°以下的面。
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公开(公告)号：CN101535533A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780042700.5
申请日：2007-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/045 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , Y10T428/24752
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体的方法，所述III族氮化物晶体(20)具有除{0001}以外的任意指定的面取向的主面(20m)，所述方法包括以下步骤：由III族氮化物块状晶体(1)切出多个具有指定面取向的主面(10pm)，(10qm)的III族氮化物晶体衬底(10p)，(10q)；在横向上将所述衬底(10p)，(10q)互相邻接地布置，使得所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)互相平行，并使得所述衬底(10p)，(10q)的[0001]方向以相同的方式取向；以及使所述III族氮化物晶体(20)在所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)上生长。
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公开(公告)号：CN102099511B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200980128007.9
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0254
Abstract: 本发明提供一种用于制造厚、高品质的AlGaN块状晶体的方法。本发明还提供了一种用于制造高品质的AlGaN衬底的方法。所述制造AlGaN块状晶体的方法包括如下步骤：首先，准备由AlaGa(1-a)N(0＜a≤1)制成的支撑衬底。接着，在所述支撑衬底上生长由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的具有主面的块状晶体。所述支撑衬底的Al组成比(a)大于所述块状晶体的Al组成比(b)。所述制造AlGaN衬底的方法包括从上述块状晶体中切下一个以上由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的衬底的步骤。
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公开(公告)号：CN101680109B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980000432.X
申请日：2009-03-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B23/08 , C23C14/28 , H01L21/203
CPC classification number: C30B23/066 , C30B29/403 , H01L21/02378 , H01L21/0254
Abstract: 一种化合物半导体单晶制造装置(1)，具有：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底(3)，所述起始衬底(3)使所述升华的原料发生再结晶；以及加热器(7)，所述加热器(7)能加热所述起始衬底(3)。通过将所述激光束照射到所述反应容器(2)内部的所述原料上对原料进行加热，由此使其升华，并将所述升华的原料在所述起始衬底(3)上再结晶以生长化合物半导体单晶。然后，利用所述激光束将所述化合物半导体单晶与所述起始衬底(3)分离。
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公开(公告)号：CN102099511A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128007.9
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0254
Abstract: 本发明提供一种用于制造厚、高品质的AlGaN块状晶体的方法。本发明还提供了一种用于制造高品质的AlGaN衬底的方法。所述制造AlGaN块状晶体的方法包括如下步骤：首先，准备由AlaGa(1-a)N(0＜a≤1)制成的底部衬底。接着，在所述底部衬底上生长由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的具有主面的块状晶体。所述底部衬底的Al组成比(a)大于所述块状晶体的Al组成比(b)。所述制造AlGaN衬底的方法包括从上述块状晶体中切下一个以上由AlbGa(1-b)N(0＜b＜1)制成的衬底的步骤。
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