公开(公告)号：CN110858701B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201910783085.8

申请日：2019-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉永弘幸

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明涉及一种量子级联半导体激光器，包括：激光器结构，其具有第一区域、第二区域和第三区域，该第一区域包括端面；金属层，其在第三区域中被设置于主表面上；分离区域，其被设置在主表面上；和反射器，其被设置在激光器结构上。反射器包括设置在端面和分离区域上的介电膜和金属反射膜。分离区域具有第一部分、第二部分和第三部分。金属层具有在第三区域中与端面分离的边缘。接触层具有在第三区域中与端面分离的边缘。第一部分在半导体台面上比第二部分在半导体台面上方突出的更多。第三部分在半导体台面上比第二部分在半导体台面上方突出的更多。

公开(公告)号：CN112787218A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011208785.3

申请日：2020-11-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本顺一 ,  吉永弘幸

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/20

Abstract: 本发明提供一种量子级联激光器，其具备：激光器结构体，具有在第1方向上射出激光的出射面；以及反射膜，设置于所述出射面上，所述激光器结构体具备芯层，所述出射面包括所述芯层的端面，所述端面包括第1区域和与所述第1区域不同的第2区域，所述反射膜覆盖所述第1区域，且未覆盖所述第2区域。

公开(公告)号：CN110556708A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910455202.8

申请日：2019-05-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 大西裕 ,  吉永弘幸 ,  田中礼

IPC: H01S5/183

Abstract: 一种垂直腔面发射激光器，包括：具有主表面的衬底以及在主表面上安装的柱结构。该柱结构包括有源层和载流子限制结构。载流子限制结构包括第一区域以及具有比第一区域更低的电阻率的第二区域。第一区域具有边缘以及第一至第三参考线段。第一参考线段的第一长度是连接边缘上的任何两个点并在沿着III-V族半导体的[1-10]方向上延伸的线段的长度当中最长的。第一长度大于第二参考线段的第二长度与第三参考线段的第三长度之和。第三长度小于第二长度并且是零或更大。