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公开(公告)号：CN1877805B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200610088704.4
申请日：2006-06-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/6489
Abstract: 本发明提供可以评价表面的损伤程度的化合物半导体构件的损伤评价方法以及损伤的程度小的化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。首先，进行化合物半导体基板(10)的表面(10a)的光致发光测定，然后，在利用光致发光测定得到的发光光谱中，使用与化合物半导体基板(10)的能带间隙对应的波长(λ1)的峰P1的半高宽W1，评价化合物半导体基板(10)的表面(10a)的损伤。
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公开(公告)号：CN100530556C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610081873.5
申请日：2006-05-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L33/00
Abstract: 提供一种抑制杂质或微粒等异物附着在化合物半导体表面的清洗方法和制造方法。本发明的氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体的工序(基板准备工序(S10))、和清洗工序(S20)。在清洗工序(S20)中，基于PH值为7.1以上的清洗液对氮化物系化合物半导体进行清洗。
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公开(公告)号：CN1877805A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610088704.4
申请日：2006-06-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/6489
Abstract: 本发明提供可以评价表面的损伤程度的化合物半导体构件的损伤评价方法以及损伤的程度小的化合物半导体构件的制造方法、氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。首先，进行化合物半导体基板(10)的表面(10a)的光致发光测定，然后，在利用光致发光测定得到的发光光谱中，使用与化合物半导体基板(10)的能带间隙对应的波长(λ1)的峰P1的半高宽W1，评价化合物半导体基板(10)的表面(10a)的损伤。
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公开(公告)号：CN108281378B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201810174097.6
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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公开(公告)号：CN108281378A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810174097.6
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/762 , B32B7/04
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104641453A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380046378.9
申请日：2013-09-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/76251 , B32B7/02 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B2307/20 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/2003 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/025 , H01L2924/0002 , Y10T428/24298 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/2495 , Y10T428/24975 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31 , H01L2924/00
Abstract: 提供具有低薄层电阻且以高良率制造的III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及采用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。III族氮化物复合衬底(1)包括III族氮化物膜(13)以及由化学组成不同于III族氮化物膜(13)的材料形成的支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)以直接方式和间接方式中的一种接合至支撑衬底(11)。III族氮化物膜(13)具有10μm或更大的厚度。III族氮化物膜(13)侧的主表面(13m)的薄层电阻为200Ω/sq或更小。制造III族氮化物复合衬底(1)的方法包括以下步骤：直接或间接地将III族氮化物膜(13)和支撑衬底(11)彼此结合；以及减少彼此结合的III族氮化物膜(13)和/或支撑衬底的厚度。
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公开(公告)号：CN101553605B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200780039049.6
申请日：2007-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明获得一种其上能够形成良好质量外延生长层的III族氮化物衬底，以及一种制造上述衬底的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×1013以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×1014以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。
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公开(公告)号：CN100580909C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200710088106.1
申请日：2007-03-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 八乡昭广
IPC: H01L23/00 , H01L21/66 , H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02005 , C30B29/406 , C30B33/08 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , Y10S438/959 , H01L2924/00
Abstract: 使抗破裂氮化镓衬底和测试并制造这种衬底的方法可用。氮化镓衬底(10)设有被抛光为镜面磨光的正面(12)、与正面(12)相对的衬底侧面上的背面(14)。在背面(14)上形成其厚度d是30μm或以下的损坏层(16)。假定正面(12)的强度是I1，以及背面(14)的强度是I2，那么比率I2/I1是0.46或以上。
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公开(公告)号：CN1905149A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610093021.8
申请日：2006-06-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G01N21/211
Abstract: 本发明提供能够高精度地评价表面的损伤的程度的化合物半导体构件的损伤评价方法及化合物半导体构件的制造方法以及损伤的程度小的氮化镓类化合物半导体构件及氮化镓类化合物半导体膜。进行化合物半导体基板(10)的表面(10a)的分光偏振光分析测定。在利用分光偏振光分析测定得到的光学常数的光谱中，使用包括与化合物半导体基板的能带间隙对应的波长的波长区域的光谱，来评价化合物半导体基板(10)的表面(10a)的损伤。
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公开(公告)号：CN1866476A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610081873.5
申请日：2006-05-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L33/00
Abstract: 提供一种抑制杂质或微粒等异物附着在化合物半导体表面的清洗方法和制造方法。本发明的氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体的工序(基板准备工序(S10))、和清洗工序(S20)。在清洗工序(S20)中，基于pH值为7.1以上的清洗液对氮化物系化合物半导体进行清洗。
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