公开(公告)号：CN1992168B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1877877B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200610087778.6

申请日：2006-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  佐藤史隆 ,  弘田龙 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 提供物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。

公开(公告)号：CN101086963B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200710110258.7

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体的生长方法，包括：在地衬底(U)上，部分形成抑制氮化镓晶体外延生长的掩模(M)的步骤；和在掺杂碳的同时，在形成了掩模(M)的地衬底(U)上外延生长氮化镓晶体的步骤。在外延生长中，第一晶体区从掩模(M)外围朝着内部生长。在所述第一晶体区中c轴方向相对于地衬底(U)中没有形成掩模(M)的区域上生长的第二晶体区反转。

公开(公告)号：CN101024903A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710002371.3

申请日：2007-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/04

Abstract: 本发明公开了一种低变形的氮化镓晶体衬底，其包括低位错单晶区(Z)、C面生长区(Y)、庞大缺陷积聚区(H)和0.1/cm2至10/cm2的c轴粗大核区(F)，低位错单晶区(Z)具有确定的c轴和确定的a轴，C面生长区(Y)具有与低位错单晶区(Z)的c轴和a轴平行的c轴和a轴，庞大缺陷积聚区(H)具有与低位错单晶区(Z)的c轴反向的c轴和与低位错单晶区(Z)的a轴平行的a轴，c轴粗大核区(F)包括至少一个晶体，所述晶体具有与低位错单晶区(Z)的c轴平行的c轴和与低位错单晶区(Z)的a轴不同的a轴。

公开(公告)号：CN1992168A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 竺井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN1877877A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610087778.6

申请日：2006-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  佐藤史隆 ,  弘田龙 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。