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公开(公告)号：CN110214363B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201780084639.4
申请日：2017-12-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 假设满足式1和式2的关系的缺陷是第一缺陷，其中偏离角为θ°，碳化硅层的厚度为Wμm，在与通过将偏离方向投影到第二主面上而获得的方向平行的方向上所述缺陷的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上所述缺陷的宽度为Yμm。假设当在垂直于所述第二主面的方向上观察时具有细长形状并且满足式3和式4的关系的缺陷是第二缺陷，其中当在垂直于所述第二主面的方向上观察时，在所述缺陷的纵向上所述缺陷的宽度是Aμm并且在所述缺陷的横向上所述缺陷的宽度是Bμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。
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公开(公告)号：CN112470255A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980048360.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 在利用面积为Acm2的多个第一正方形区域划分中心区域的情况下，多个第一正方形区域具有存在宏观缺陷的第一区域和不存在宏观缺陷的第二区域。在利用面积为Bcm2的多个第二正方形区域划分中心区域的情况下，多个第二正方形区域具有存在宏观缺陷的第三区域和不存在宏观缺陷的第四区域。在将第二区域的数量除以第一区域的数量与第二区域的数量的合计数量所得的值设为第一无缺陷区域率，将第四区域的数量除以第三区域的数量与第四区域的数量的合计数量所得的值设为第二无缺陷区域率，并将宏观缺陷的数量除以中心区域的面积所得的值设为Xcm‑2的情况下，A小于B，B为4以下，X大于0且小于4，并满足数学式1。
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公开(公告)号：CN110747507A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201910916681.9
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种外延晶片，包括：具有第一主表面的碳化硅膜和具有第二主表面的碳化硅衬底。碳化硅衬底的直径不小于100mm，碳化硅膜形成在第二主表面上。在第一主表面中形成有沿第一主表面在一个方向上延伸的凹槽部，其在一个方向上的宽度是其在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。凹槽部距第一主表面的最大深度不大于10nm且包括第一凹槽部和连接至第一凹槽部的第二凹槽部。第一凹槽部在一个方向上形成在凹槽部的一个端部中。第二凹槽部在一个方向上从第一凹槽部延伸至与该一个端部相反的另一个端部且距第一主表面的深度小于第一凹槽部的最大深度。第一凹槽部在横截面中具有三角形形状。第二凹槽部包括与第一主表面基本上平行的底表面。
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公开(公告)号：CN110214363A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201780084639.4
申请日：2017-12-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 假设满足式1和式2的关系的缺陷是第一缺陷，其中偏离角为θ°，碳化硅层的厚度为Wμm，在与通过将偏离方向投影到第二主面上而获得的方向平行的方向上所述缺陷的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上所述缺陷的宽度为Yμm。假设当在垂直于所述第二主面的方向上观察时具有细长形状并且满足式3和式4的关系的缺陷是第二缺陷，其中当在垂直于所述第二主面的方向上观察时，在所述缺陷的纵向上所述缺陷的宽度是Aμm并且在所述缺陷的横向上所述缺陷的宽度是Bμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。
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公开(公告)号：CN110214362B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201780084634.1
申请日：2017-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 假设满足式1和式2的关系的一个或多个缺陷是第一缺陷，并且满足式3和式2的关系的一个或多个缺陷是第二缺陷，其中偏离角为θ°，在垂直于第二主面的方向上碳化硅层的厚度为Wμm，通过将平行于偏离方向的方向投影到所述第二主面上而获得的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Yμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106574397B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201580041319.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/32 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。
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公开(公告)号：CN110214362A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201780084634.1
申请日：2017-10-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
Abstract: 假设满足式1和式2的关系的一个或多个缺陷是第一缺陷，并且满足式3和式2的关系的一个或多个缺陷是第二缺陷，其中偏离角为θ°，在垂直于第二主面的方向上碳化硅层的厚度为Wμm，通过将平行于偏离方向的方向投影到所述第二主面上而获得的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Lμm，并且在垂直于所述偏离方向并且平行于所述第二主面的方向上的一个或多个缺陷各自的宽度为Yμm。通过将所述第二缺陷的数量除以所述第一缺陷的数量和所述第二缺陷的数量之和而得到的值大于0.5。
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公开(公告)号：CN106574397A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041319.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36 , C23C16/32 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种外延晶片(100)，包括具有第一主表面(101)的碳化硅膜(120)。凹槽部(20)形成在第一主表面(101)中。凹槽部(20)沿第一主表面(101)在一个方向上延伸。而且，凹槽部(20)在该一个方向上的宽度是凹槽部(20)在垂直于该一个方向的方向上的宽度的两倍或更大。而且，凹槽部(20)距第一主表面(101)的最大深度不大于10nm。
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公开(公告)号：CN208266305U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820258008.1
申请日：2016-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: H01L29/36 , C23C16/4584 , C23C16/52 , C30B25/165 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/78 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/45 , H01L29/66068
Abstract: 本实用新型涉及碳化硅外延衬底。一种碳化硅外延衬底，其具有碳化硅单晶衬底和碳化硅层。碳化硅层具有与其接触碳化硅单晶衬底的表面相反的第二主表面。第二主表面具有距离其外边缘5mm以内的周边区和被周边区包围的中心区。碳化硅层具有中心表面层。中心表面层中的载流子浓度的平均值不小于1×1014cm‑3且不大于5×1016cm‑3。载流子浓度的周向均匀度不大于2％并且载流子浓度的面内均匀度不大于10％。夹在中心区和碳化硅单晶衬底之间的碳化硅层的部分的厚度的平均值不小于5μm。厚度的周向均匀度不大于1％，并且厚度的面内均匀度不大于4％。结果，可以提高碳化硅层中的载流子浓度的面内均匀度和碳化硅层的厚度的面内均匀度。
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公开(公告)号：CN207091557U
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201690000223.0
申请日：2016-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: H01L29/36 , C23C16/4584 , C23C16/52 , C30B25/165 , C30B25/20 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L21/78 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/45 , H01L29/66068
Abstract: 本实用新型涉及碳化硅外延衬底。一种碳化硅外延衬底，其具有碳化硅单晶衬底和碳化硅层。碳化硅层具有与其接触碳化硅单晶衬底的表面相反的第二主表面。第二主表面具有距离其外边缘5mm以内的周边区和被周边区包围的中心区。碳化硅层具有中心表面层。中心表面层中的载流子浓度的平均值不小于1×1014cm-3且不大于5×1016cm-3。载流子浓度的周向均匀度不大于2％并且载流子浓度的面内均匀度不大于10％。夹在中心区和碳化硅单晶衬底之间的碳化硅层的部分的厚度的平均值不小于5μm。厚度的周向均匀度不大于1％，并且厚度的面内均匀度不大于4％。结果，可以提高碳化硅层中的载流子浓度的面内均匀度和碳化硅层的厚度的面内均匀度。
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