公开(公告)号：CN101501822A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780029411.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  中幡英章

IPC: H01L21/304 ,  C30B29/38 ,  B08B3/08 ,  H01L33/00 ,  B08B3/12

CPC classification number: C30B29/403 ,  B08B3/12 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02052 ,  Y10T428/25

Abstract: 提供一种能够实现高质量外延膜的稳定生长的GaxIn1－xN衬底和用于获得GaxIn1－xN衬底的清洗方法。当GaxIn1－xN衬底具有2英寸直径时，存在于GaxIn1－xN衬底上且颗粒尺寸不小于0.2μm的颗粒数目不大于20。而且，在通过X射线光电子能谱法以10度的检测角获得的GaxIn1－xN衬底表面上的光电子能谱中，C1s电子和N1s电子峰面积之比(C1s电子的峰面积/N1s电子的峰面积)不大于3。

公开(公告)号：CN101440521A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177774.6

申请日：2008-11-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02576 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氟化硅作为掺杂气体生长用硅掺杂的III族氮化物半导体晶体。

公开(公告)号：CN100437927C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200580001650.7

申请日：2005-04-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀江裕介 ,  西浦隆幸 ,  上村智喜

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板的洗涤方法。该洗涤方法由酸洗涤工序(S11)、纯水洗净工序(S12)和旋转干燥工序(S13)构成。首先，通过将表面被镜面研磨的GaAs基板浸渍到酸性洗涤液中来进行酸洗涤工序(S11)。在酸洗涤工序中，洗涤时间不足30秒。然后，进行用纯水将附着在被洗涤的GaAs基板上的洗涤液冲洗干净的纯水洗净工序(S12)。接着，进行使附着有纯水的GaAs基板干燥的旋转干燥工序(S13)。由此，可以提供洗涤后析出异物数量少的GaAs基板。

公开(公告)号：CN101922045A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010202934.5

申请日：2010-06-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中幡英章 ,  藤原伸介 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  中畑成二 ,  上村智喜

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/02 ,  H01L29/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/872 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。

公开(公告)号：CN101312164B

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200810130622.0

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。

公开(公告)号：CN101847575A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010163633.6

申请日：2006-10-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有至少400V的耐受电压，所述方法包括步骤：制备AlxGayIn1-x-yN晶体基板(12)，其中0≤x、0≤y并且x+y≤1；以及在所述基板(12)上生长至少一层半导体层(41)，其中所述基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)，所述主平面(12m)具有位于距离所述主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，以及对应于除了所述外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)，并且所述内侧区域(12n)具有至少1×102cm-2并且至多1×106cm-2的总位错密度。

公开(公告)号：CN101442030A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810177769.5

申请日：2008-11-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  川濑智博 ,  上村智喜 ,  西冈志行 ,  荒川聪

IPC: H01L23/00 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 本发明提供了一种Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该Ⅲ族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10－4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该Ⅲ族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少－30％且不大于30％。该Ⅲ族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少－16％且不大于16％。

公开(公告)号：CN101432471A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780015378.7

申请日：2007-04-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  樱田隆 ,  藤原伸介 ,  罔久拓司 ,  上松康二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/02623 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制作氮化镓结晶的方法，该氮化镓结晶于使用包含位错集合区域、反转区域的氮化镓基板作为晶种基板而使氮化镓结晶生长时，位错密度低并且具有良好的结晶性，此外不易因切片后的研磨而产生开裂。在掩埋位错集合区域、反转区域(17a)而使氮化镓结晶(79)生长时，于高于摄氏1100度且为摄氏1300度以下的范围的生长温度下使氮化镓结晶(79)生长，由此可降低自位错集合区域、反转区域(17a)承接的位错，从而抑制位错集合区域、反转区域(17a)上产生新位错。还有，氮化镓结晶(79)的结晶性变得良好，此外对氮化镓结晶(79)进行切片后的研磨时，也不易产生开裂。

公开(公告)号：CN101331591A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200680047480.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  上村智喜 ,  冈久拓司 ,  上松康二 ,  奥井学 ,  西冈志行 ,  桥本信

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L29/201 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02658 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254

Abstract: 本发明的AlxGayIn1－x－yN晶体基板(12)具有面积为至少10cm2的主平面(12m)。该主平面(12m)具有位于距离主平面的外围5mm内的外侧区域(12w)，和对应于除了该外侧区域之外的区域的内侧区域(12n)。该内侧区域(12n)具有至少1×102cm－2并且至多1×106cm－2的总位错密度。由此能够提供一种用作半导体器件的基板的具有大尺寸和合适位错密度的AlxGayIn1－x－yN晶体基板、包括该AlxGayIn1－x－yN晶体基板的半导体器件、及其制造方法。

公开(公告)号：CN101312165A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810130625.4

申请日：2005-07-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上村智喜 ,  石桥惠二 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/306 ,  C30B33/00

Abstract: 提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底，其中当AlxGayIn1－x－yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1－x－yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1－x－yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1－x－yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1－x－yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。