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公开(公告)号：CN113728417A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202080030617.1
申请日：2020-03-13
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及，在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光，从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基，并使III族氮化物中生成空穴，由此对III族氮化物进行蚀刻的工序，在对III族氮化物进行蚀刻的工序中，通过使III族氮化物的蚀刻的开始时间点的蚀刻液为酸性，从而在III族氮化物被蚀刻的期间内维持蚀刻液为酸性的状态，在表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN110832630A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201880042636.9
申请日：2018-04-27
Inventor： 堀切文正
IPC: H01L21/66 , C30B29/38 , G01B11/06 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种膜厚测定方法，该方法用于测定使薄膜在由III族氮化物半导体的晶体形成的基板上进行同质外延生长而成的氮化物半导体层叠物中的薄膜的膜厚，作为基板，使用在该基板的载流子浓度与红外区域的吸收系数之间具有依赖性的基板，利用傅立叶变换红外光谱法或红外椭圆偏振光谱法测定薄膜的膜厚。
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公开(公告)号：CN109844958A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780052279.X
申请日：2017-06-27
IPC: H01L29/861 , C23C16/34 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/868 , H01L29/872 , H01L33/32
Abstract: 半导体装置具有：具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在第一半导体层的正上方，由以1×1020cm-3以上的浓度添加有p型杂质的氮化镓系半导体形成；第一电极，其被配置成与第一半导体层接触；以及第二电极，其被配置成与第二半导体层接触，所述半导体装置作为pn结二极管来发挥功能。
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公开(公告)号：CN114270478B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202080056785.8
申请日：2020-07-06
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/3063
Abstract: 结构体的制造方法，具有对蚀刻对象物进行光电化学蚀刻的工序，该工序包括：向保持有至少表面由Ⅲ族氮化物构成的蚀刻对象物并能够旋转地进行保持的容器中，注入含接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液，使所述表面浸渍于所述蚀刻液中的工序；在所述蚀刻对象物和所述蚀刻液静止的状态下，对于被所述容器保持的所述蚀刻对象物的所述表面照射光的工序；对所述表面照射所述光后，使所述容器旋转而使所述蚀刻液飞散至外周侧，由此从所述容器排出所述蚀刻液的工序。
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公开(公告)号：CN119866027A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202411255916.1
申请日：2024-09-09
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 一种高品质的半导体层叠物、半导体元件和半导体层叠物的制造方法。半导体层叠物，具备：包含碳化硅，具有主面的衬底；设于衬底的主面上，包含氮化铝的晶体的第一层；设于第一层上，包含氮化铝镓、氮化铝铟或氮化铝铟镓中的任意一种晶体的第二层；设于第二层上，包含氮化镓的晶体的第三层，第一层在27℃下沿着主面的方向上具有拉伸应变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114207784B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202080054546.9
申请日：2020-07-06
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/3063 , H10D30/47 , H10D30/87 , H10D30/01
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：通过对由III族氮化物构成的构件的表面实施第一蚀刻，从而形成凹部的工序；以及，通过对凹部的底部实施第二蚀刻，从而使底部平坦化的工序，在形成凹部的工序中，在凹部的底部形成平坦部和凸部，所述凸部因与平坦部相比难以被第一蚀刻所蚀刻，从而相对于平坦部隆起，在使底部平坦化的工序中，通过利用第二蚀刻来蚀刻凸部，从而使凸部变低。
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公开(公告)号：CN110223914B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201910153240.8
申请日：2019-02-28
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 堀切文正
IPC: H01L21/3063 , H01L29/20 , C25D11/32
Abstract: 本发明涉及GaN材料和半导体装置的制造方法，提供对GaN材料进行阳极氧化蚀刻的新型技术。使用如下的GaN材料：对该GaN材料一边照射UV光一边以1V的蚀刻电压进行阳极氧化蚀刻而形成深度2μm的凹部时，凹部底面的测定长度100μm的算术平均线粗糙度Ra为15nm以下。
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公开(公告)号：CN109417035B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201780039393.9
申请日：2017-04-03
Inventor： 堀切文正
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L21/66 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明的氮化物半导体层叠物具备基板、设置在基板上且由III族氮化物半导体形成的电子移动层、以及设置在电子移动层上且由III族氮化物半导体形成的电子供给层，使用由被Cr覆盖的直径1mm的玻璃球形成的测定元件进行测定时的、作为将该测定元件与电子供给层的表面吸引的引力而起作用的电子供给层的表面力A强于在相同条件下测定时的Pt的表面力B，它们之差的绝对值|A‑B|为30μN以上。
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公开(公告)号：CN113684539A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110851983.X
申请日：2017-11-09
Abstract: 本发明涉及III族氮化物层叠体的制造方法、检查方法、以及III族氮化物层叠体。III族氮化物层叠体的制造方法具有如下工序：准备III族氮化物层叠体的工序，所述III族氮化物层叠体具有III族氮化物基板和在III族氮化物基板的主面的上方形成的III族氮化物外延层；以及，针对III族氮化物外延层的、III族氮化物基板的主面的法线方向与c轴方向所成的偏离角的大小不同的多个测定位置进行光致发光图谱测定，获取黄色发光强度相对于带边发光强度之比即相对黄色强度，并获取偏离角的大小与相对黄色强度的对应关系的工序。
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公开(公告)号：CN113068413A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201980067937.1
申请日：2019-10-17
Inventor： 堀切文正
IPC: H01L21/3063 , C30B29/38 , C30B33/08 , H01L21/306 , H01L33/00 , H01S5/0232
Abstract: 结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物晶体构成的直径2英寸以上的晶圆的工序；在容器内准备包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液的工序；以晶圆表面与蚀刻液表面平行的方式，将晶圆以晶圆的表面浸渍于蚀刻液中的状态收纳在容器内的工序；以及，不搅拌蚀刻液，将光从前述蚀刻液的表面侧照射至晶圆表面的工序，在晶圆的表面划定出彼此隔开配置的第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域，在将光照射至晶圆表面的工序中，对第一被蚀刻区域和第二被蚀刻区域的表面分别垂直地照射光。
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