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公开(公告)号：CN102099505A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128302.4
申请日：2009-07-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/075 , C23C16/24 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种沉积膜形成装置及沉积膜形成方法。为了对例如Si系膜的高速且高品质的制膜，本发明一方式所涉及的沉积膜形成装置具有：腔室；位于腔室内的第一电极；第二电极，按照与第一电极隔开规定间隔的方式位于腔室内，并且具备供给第一原料气体且产生空心阴极放电的第一供给部、和供给分解速度比第一原料气体大的第二原料气体的第二供给部。
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公开(公告)号：CN110546768B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201880026320.0
申请日：2018-04-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板(1)和覆盖部(Pc1)。半导体基板(1)具有第1半导体区域(3)和第2半导体区域(2)。第1半导体区域(3)是存在于半导体基板(1)的第1面侧的第1导电型的半导体区域。第2半导体区域(2)是位于与半导体基板(1)的第1面相反侧的第2面侧且与第1导电型不同的第2导电型的半导体区域。覆盖部(Pc1)位于半导体基板(1)的第1面侧。覆盖部(Pc1)具有在包含钝化层(9)和反射防止层(5)的多个层被层叠的状态下存在的层叠部分(Ps1)。在层叠部分(Ps1)，钝化层(9)具有处于随着从第1面的外周部(1op)侧接近于中央部(1cp)侧而厚度减少的状态的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110546768A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880026320.0
申请日：2018-04-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068
Abstract: 太阳能电池元件具备半导体基板(1)和覆盖部(Pc1)。半导体基板(1)具有第1半导体区域(3)和第2半导体区域(2)。第1半导体区域(3)是存在于半导体基板(1)的第1面侧的第1导电型的半导体区域。第2半导体区域(2)是位于与半导体基板(1)的第1面相反侧的第2面侧且与第1导电型不同的第2导电型的半导体区域。覆盖部(Pc1)位于半导体基板(1)的第1面侧。覆盖部(Pc1)具有在包含钝化层(9)和反射防止层(5)的多个层被层叠的状态下存在的层叠部分(Ps1)。在层叠部分(Ps1)，钝化层(9)具有处于随着从第1面的外周部(1op)侧接近于中央部(1cp)侧而厚度减少的状态的区域。
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公开(公告)号：CN101939844B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200980104057.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , C23C16/4488 , C23C16/50 , H01L21/2257 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种元件特性比目前提高的超直型a-Si:H薄膜太阳能电池。通过在透明基板上形成的透明导电膜上附着磷的工序、和利用等离子CVD法在透明导电膜上依次形成由a-Si:H构成的p型层、i型层、及n型层的工序形成太阳能电池元件。磷的附着例如通过使含磷气体的等离子化来施行。或者，通过在等离子CVD法的p型层的形成开始时，用氢等离子体对设置于施加有等离子激起电压而没有载置透明基板的空白区域的磷供给源进行蚀刻来施行。优选按照i型层的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav为1.1×1017(cm-3)≤ΔCav≤1.6×1017(cm-3)以下的方式控制磷的附着。
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公开(公告)号：CN102471886A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080029564.8
申请日：2010-08-30
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/507 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/505 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的一个方式的沉积膜形成装置，具有：腔室；第一电极，其位于所述腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，且与所述第一电极隔开规定间隔，该第二电极具有：第一供给部，其用于将第一原料气体供给至所述第一电极和所述第二电极之间的空间；多个第二供给部，它们用于将第二原料气体供给至所述空间；第一供给路径，其与所述第一供给部相连接，用于导入所述第一原料气体；第二供给路径，其与所述第二供给部相连接，用于导入所述第二原料气体，该沉积膜形成装置的特征在于，所述第二供给路径具有：干流部，其具有用于导入所述第二原料气体的第一导入口；支流部，其具有多个气体流路，这些气体流路具有用于从该干流部导入所述第二原料气体的第二导入口，在该支流部的多个所述气体流路分别连接有多个所述第二供给部，所述干流部及所述支流部，具有使所述第二原料气体不以顺流的方式从所述第一导入口流至所述第二供给部的结构。
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公开(公告)号：CN101939844A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104057.3
申请日：2009-02-06
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , C23C16/4488 , C23C16/50 , H01L21/2257 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种元件特性比目前提高的超直型a-Si:H薄膜太阳能电池。通过在透明基板上形成的透明导电膜上附着磷的工序、和利用等离子CVD法在透明导电膜上依次形成由a-Si:H构成的p型层、i型层、及n型层的工序形成太阳能电池元件。磷的附着例如通过使含磷气体的等离子化来施行。或者，通过在等离子CVD法的p型层的形成开始时，用氢等离子体对设置于施加有等离子激起电压而没有载置透明基板的空白区域的磷供给源进行蚀刻来施行。优选按照i型层的硼的扩散范围内的硼和磷的浓度差的算术平均值ΔCav为1.1×1017(cm-3)≤ΔCav≤1.6×1017(cm-3)以下的方式控制磷的附着。
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公开(公告)号：CN203150568U
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201320092632.6
申请日：2013-02-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本实用新型提供一种高精度形成电极的太阳能电池元件。太阳能电池元件具有：半导体基板，其在一主面侧的表层部具有一导电型的掺杂浓度为第一浓度的第一浓度区域及该掺杂浓度比第一浓度区域高的、该第一浓度区域以外的第二浓度区域；防反射膜，其配置于一主面的第一浓度区域上；电极，其配置于一主面的第二浓度区域上。并且，在该太阳能电池元件中，在半导体基板的表层部设置相互隔离的两处以上的定位基准部，该两处以上的定位基准部的一主面的第一表面粗糙度比定位基准部以外的一主面的第二表面粗糙度大。
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