公开(公告)号：CN106133917B

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201580015987.7

申请日：2015-02-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 有马隆裕 ,  伊藤宪和 ,  本间武道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池(16)具备：具有主面的半导体基板(2)；具有表面以及侧面且在所述半导体基板(2)的主面上在一个方向上并排配置的多个第一电极(7)；位于所述第一电极间的间隙且配置在半导体基板(2)的主面上的钝化层(6)；配置在多个第一电极(7)的表面上的导电性粘接剂；和以横跨钝化层(6)的方式经由导电性粘接剂与相邻的第一电极(7)连接的引线构件(15)。太阳能电池(16)具备抵接构件(12)，该抵接构件(12)位于间隙(11)且在一个方向上与钝化层(6)并排地配置在半导体基板(2)的主面上，或者配置钝化层(6)的表面上，且从下方与引线构件(15)的一部分相抵接。

公开(公告)号：CN106463548A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580021586.2

申请日：2015-05-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  村尾彰了 ,  楠原贤治

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C23C16/401 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的太阳能电池元件(10)具备：半导体基板(1)，在一个主面具有p型半导体区域；钝化层(9)，配置在p型半导体区域上，且包含氧化铝；以及保护层(11)，配置在钝化层(9)上，且包含含有氢和碳的氧化硅。

公开(公告)号：CN102482775A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039718.1

申请日：2010-09-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  稻叶真一郎 ,  松居宏史 ,  新乐浩一郎

IPC: C23C16/455 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/5096 ,  H01L31/18

Abstract: 为了在不产生膜品质的面内不均匀的前提下形成高品质膜，本发明的一个方式的沉积膜形成装置具有：腔室；第一电极，其位于该腔室内；第二电极，其位于所述腔室内，与所述第一电极隔开规定间隔，而且具有用于供给原料气体的多个供给部；导入路径，其与所述供给部相连接，且用于导入原料气体；加热单元，其设在该导入路径内；冷却机构，其用于冷却所述第二电极。

公开(公告)号：CN106463548B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201580021586.2

申请日：2015-05-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  村尾彰了 ,  楠原贤治

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C23C16/401 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的太阳能电池元件(10)具备：半导体基板(1)，在一个主面具有p型半导体区域；钝化层(9)，配置在p型半导体区域上，且包含氧化铝；以及保护层(11)，配置在钝化层(9)上，且包含含有氢和碳的氧化硅。

公开(公告)号：CN103430319B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280014467.0

申请日：2012-03-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  村尾彰了 ,  小野寺诚 ,  井藤刚 ,  稻叶真一郎

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种减少了少数载流子的复合且开路电压高并且输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。太阳能电池元件的特征在于，具有p型半导体层位于最上方的多晶硅基板和配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。另外，太阳能电池模块的特征在于，具有一个以上的上述太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN103430319A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280014467.0

申请日：2012-03-29

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  村尾彰了 ,  小野寺诚 ,  井藤刚 ,  稻叶真一郎

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种减少了少数载流子的复合且开路电压高并且输出特性优异的太阳能电池元件及太阳能电池模块。太阳能电池元件的特征在于，具有p型半导体层位于最上方的多晶硅基板和配置于所述p型半导体层上的氧化铝层，该氧化铝层主要为非晶态物质。另外，太阳能电池模块的特征在于，具有一个以上的上述太阳能电池元件。

公开(公告)号：CN116918246A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280015837.6

申请日：2022-02-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊野裕司 ,  白泽胜彦 ,  高远秀尚 ,  平藤骏介 ,  新乐浩一郎 ,  伊藤宪和

IPC: H02S50/10

Abstract: 本发明包括：第一光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第一测量步骤，用于测量第一光浸润步骤中的p型晶体硅的第一衰减量；暗退火步骤，用于在高于150℃但不高于250℃对p型晶体硅执行热处理；第二光浸润步骤，用于将载流子注入到p型晶体硅中并将p型晶体硅保持在50‑150℃，直到p型晶体硅再生；第二测量步骤，用于测量第二光浸润步骤中的p型晶体硅的第二衰减量；以及计算步骤，用于使用第一衰减量和第二衰减量计算p型晶体硅的高温光诱导衰减量。

公开(公告)号：CN106133917A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580015987.7

申请日：2015-02-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 有马隆裕 ,  伊藤宪和 ,  本间武道

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池(16)具备：具有主面的半导体基板(2)；具有表面以及侧面且在所述半导体基板(2)的主面上在一个方向上并排配置的多个第一电极(7)；位于所述第一电极间的间隙且配置在半导体基板(2)的主面上的钝化层(6)；配置在多个第一电极(7)的表面上的导电性粘接剂；和以横跨钝化层(6)的方式经由导电性粘接剂与相邻的第一电极(7)连接的引线构件(15)。太阳能电池(16)具备抵接构件(12)，该抵接构件(12)位于间隙(11)且在一个方向上与钝化层(6)并排地配置在半导体基板(2)的主面上，或者配置钝化层(6)的表面上，且从下方与引线构件(15)的一部分相抵接。

公开(公告)号：CN102725868A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080054175.0

申请日：2010-11-30

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 新乐浩一郎 ,  伊藤宪和 ,  奥井宏树 ,  稻叶真一郎

IPC: H01L31/052 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L31/0547 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  H02S40/22 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块，其具备：具有光入射的第一面(61a)及位于第一面(61a)的相反侧的第二面(61b)的基板(61)；被设置于基板(61)的第二面(61b)上的光电转换元件；被设置于该光电转换元件上的透光件(66)；以及被设置于透光件(66)上的反射件(67)，其使透过了透光件(66)的光反射，反射件(67)具备倾斜的光反射面(67a)，其将由该反射件(67)反射的光在基板(61)的第一面(61a)进行全反射。

公开(公告)号：CN102668032A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080051961.5

申请日：2010-11-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  新乐浩一郎 ,  稻叶真一郎

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种沉积膜形成装置，具有：腔室，第一电极，其位于该腔室内，第二电极，其位于腔室内，且与第一电极隔开规定间隔；第二电极具有：电极基体，多个电极板，它们配置在该电极基体上；该电极板具有：第一供给部，其将第一原料气体供给至第一电极和第二电极之间的空间，第二供给部，其将第二原料气体供给至空间，第一供给路径，其与第一供给部相连接，用于导入第一原料气体，第二供给路径，其与第二供给部相连接，用于导入第二原料气体；电极基体具有：加热单元，其对第一原料气体进行加热，第一导入路径，其将第一原料气体导入至第一供给路径，第二导入路径，其将第二原料气体导入至第二供给路径；第二供给路径具有：干流部，其从第二导入路径导入第二原料气体，且在该干流部上未设有第二供给部，多个支流部，它们从该干流部导入第二原料气体，且在这些支流部上设有第二供给部；用于连接第二导入路径和干流部的连接部，位于相邻的电极板的相邻部位。