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公开(公告)号：CN104278238A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410553788.9
申请日：2014-10-17
Applicant: 五邑大学
IPC: C23C14/24 , C23C14/58 , H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , C23C14/0623 , C23C14/5866 , H01L31/0326
Abstract: 本发明公开了一种高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备方法。本方法通过真空加热蒸发的方式，将分别放在不同的钨舟或钼舟中的高纯度铜、锌、锡金属依次沉积在加热至20～200℃的衬底上，得到金属薄膜前驱体，然后经过硫化金属薄膜前驱体得到高质量的铜锌锡硫薄膜。本发明通过改变衬底的温度影响前驱体金属层在衬底上的附着以及三元素间的化学结合，提高了硫化效率，实现高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备。本发明设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好；成膜速率快、效率高；解决了现有技术中硫化阶段形成杂质影响薄膜质量以及硫化时间长、硫化温度高的问题。
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公开(公告)号：CN115312647A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210990133.2
申请日：2022-08-17
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种电极及其制备方法，其中电极包括由下至上依次连接的反光层、电流扩展层和外延层；电流扩展层包括欧姆接触电极层和绝缘层，欧姆接触电极层和绝缘层形成网状结构；通过欧姆接触电极层和绝缘层所形成网状结构的电流扩展层，使电流能够更好的横向扩展，从而起到改善电流分布的作用，提高电极的导电能力；通过反光层提高了光反射率；使得该电极兼顾电流扩展性和光反射性。
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公开(公告)号：CN104051577B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410294657.3
申请日：2014-06-25
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种利用三步法提高太阳电池吸收层铜锌锡硫半导体薄膜结晶性能的制备工艺。本方法将高纯度的铜、锌、锡金属分别放在不同的钨舟或钼舟中，通过真空热蒸发的方法得到层状的金属薄膜前驱体，再对层状金属前驱体进行预退火处理，最后在高温下硫化成高结晶度的铜锌锡硫薄膜。本发明可以通过改变前驱体退火温度和退火时间，减少杂质相的产生，提高薄膜的结晶质量，实现高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN110707199B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910984091.X
申请日：2019-10-16
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED器件及其封装方法，深紫外LED器件包括：具有正负电极的基板，基板上设置有围坝；深紫外LED芯片，深紫外LED芯片固定于基板上并与基板上的正负电极连接；透镜，透镜周缘设置有与围坝适配的边框；透镜通过所述边框扣合于基板的围坝内，并构成容纳深紫外LED芯片的内腔。采用搅拌摩擦焊成型的焊缝把带边框的透镜和设有围坝的基板连接起来，实现了气密性封装，并且没有使用到有机硅胶等有机材料，实现了全无机封装。焊接过程只是局部高温，并不会因为温度过高而影响固晶质量和损害芯片，并且解决了深紫外LED照射下有机材料光解变性的问题，使得制造的深紫外LED适合在各种环境下使用，提高LED的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN110479376A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910609744.6
申请日：2019-07-08
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种提高Co基纳米材料电催化特性的方法，选用包括多根Co基纳米棒的Co基纳米材料作为电催化剂，所述Co基纳米材料为纳米级的金属有机骨架材料，所述Co基纳米棒中Co和过渡金属的摩尔比为1:1～8:1。本发明选用包括多根Co基纳米棒的Co基纳米材料作为氧化反应和水分解反应的催化剂，具有独特的多孔纳米结构，能大幅降低其过电位，极大地提高了电催化活性与电极的稳定性，在电催化领域具有巨大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051577A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410294657.3
申请日：2014-06-25
Applicant: 五邑大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , C23C14/14
CPC classification number: H01L31/0322 , C23C14/18
Abstract: 本发明公开了一种利用三步法提高太阳电池吸收层铜锌锡硫半导体薄膜结晶性能的制备工艺。本方法将高纯度的铜、锌、锡金属分别放在不同的钨舟或钼舟中，通过真空热蒸发的方法得到层状的金属薄膜前驱体，再对层状金属前驱体进行预退火处理，最后在高温下硫化成高结晶度的铜锌锡硫薄膜。本发明可以通过改变前驱体退火温度和退火时间，减少杂质相的产生，提高薄膜的结晶质量，实现高质量铜锌锡硫半导体薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN102167576A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110008056.8
申请日：2011-01-15
Applicant: 五邑大学 , 广东江粉磁材股份有限公司
IPC: C04B35/26 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种高性能永磁铁氧体磁体及其制备方法，所述磁粉的化学组成为BixCa2yA1-x-yFe12-zRzO19，其中A由Sr或Sr及Ba的任意比例组成，R是由Co、Mn、Ni和Zn中一种或几种组成,x为0.02-0.2，y为0.01-0.2，z为0.02-0.3；优先x为0.03-0.12，y为0.04-0.1，z为0.04-0.12；本发明通过两次烧结的方法，在不添加稀土元素的情况下，可获得一种高剩磁、高本征矫顽力以及高磁能积的永磁铁氧体粉，其烧结温度要比传统的方法要低。使用本发明有望获得高性能低成本的铁氧体产品。
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公开(公告)号：CN109860346B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910053339.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明涉及光电材料技术领域，尤其是一种改善电极界面接触性能的方法，本发明通过在p‑GaN本体表面蒸镀一层厚度为0.1～10nm的钼接触层，然后将其置于pH为2.5±0.05，容量为50ml的铬酸水溶液中，通电腐蚀1～10分钟，然后用氨水和双氧水混合液和盐酸溶液清洗外延片，甩干后立即蒸镀一层厚度为100～200nm的银层。本发明通过在p‑GaN本体表面蒸镀钼层，电化学腐蚀钼层后，会残留有小部分功函数高于5eV的钼的氧化物MoO3，大大改善Ag和p‑GaN之间欧姆接触性能，并且由于钼接触层相对较稳定，无需插入银层来保护钼被氧化，因此会节省很多的贵金属银，进一步降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN110305657A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910520310.9
申请日：2019-06-17
Applicant: 五邑大学
IPC: C09K11/02
Abstract: 本发明提供一种用MOF材料改善氮化物红色荧光粉发光性能的方法，本发明利用金属有机骨架(MOF)材料与荧光粉颗粒有机结合，利用MOF材料的高比表面积、高孔隙率的特性，使MOF材料更好地在荧光粉颗粒上的包覆与生长，实现荧光粉颗粒在MOF材料中的分散，使团聚的荧光粉颗粒能有效分散开来，提高荧光粉的发光效率，用成本更低的MOF材料用量制备出光强稳定的MOF-红色荧光粉，从而减少荧光粉的用量，降低成本，提高发光效益，在实际应用中，由于减少了单位体积中稀土离子的用量，因此降低了成本，提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN109616332A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811485793.5
申请日：2018-12-06
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明提供一种硫化四氧化三钴复合电极材料的制备方法，本发明能够解决现有四氧化三钴作为超级电容器负极材料因导电性不佳而导致的电容量受到制约的问题，本发明旨在用一种简单成本低的原材料制备四氧化三钴前驱体，通过前驱体在硫代乙酰胺溶液中进行水热反应得到一种纳米结构硫化四氧化三钴电极材料，经过硫化之后，硫元素以掺杂方式存在于Co3O4纳米材料中，比起Co3O4纳米棒的表面更加粗糙，大幅扩大了供表面反应进行的比表面积；硫化处理使Co3O4的载流子浓度得到了极大的提升，同时也提升了Co3O4电极的锂离子的扩散系数以及充放电效率，有效提高了四氧化三钴电极材料的导电性。
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