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公开(公告)号：CN109860346B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910053339.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明涉及光电材料技术领域，尤其是一种改善电极界面接触性能的方法，本发明通过在p‑GaN本体表面蒸镀一层厚度为0.1～10nm的钼接触层，然后将其置于pH为2.5±0.05，容量为50ml的铬酸水溶液中，通电腐蚀1～10分钟，然后用氨水和双氧水混合液和盐酸溶液清洗外延片，甩干后立即蒸镀一层厚度为100～200nm的银层。本发明通过在p‑GaN本体表面蒸镀钼层，电化学腐蚀钼层后，会残留有小部分功函数高于5eV的钼的氧化物MoO3，大大改善Ag和p‑GaN之间欧姆接触性能，并且由于钼接触层相对较稳定，无需插入银层来保护钼被氧化，因此会节省很多的贵金属银，进一步降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109860346A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910053339.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明涉及光电材料技术领域，尤其是一种改善电极界面接触性能的方法，本发明通过在p-GaN本体表面蒸镀一层厚度为0.1～10nm的钼接触层，然后将其置于pH为2.5±0.05，容量为50ml的铬酸水溶液中，通电腐蚀1～10分钟，然后用氨水和双氧水混合液和盐酸溶液清洗外延片，甩干后立即蒸镀一层厚度为100～200nm的银层。本发明通过在p-GaN本体表面蒸镀钼层，电化学腐蚀钼层后，会残留有小部分功函数高于5eV的钼的氧化物MoO3，大大改善Ag和p-GaN之间欧姆接触性能，并且由于钼接触层相对较稳定，无需插入银层来保护钼被氧化，因此会节省很多的贵金属银，进一步降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN109825299A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201910060169.9
申请日：2019-01-22
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明涉及量子点液凝胶材料技术领域，具体为一种基于CdS修饰的CdSe量子点液溶胶的制备方法，包括核前体Na2SeSO3的合成，硒化镉量子点的合成，以及CdSe/CdS纳米晶的制备，本发明利用硫化镉对硒化镉量子点表面进行修饰，进而达到抑制量子点表面的缺陷，有效降低单一硒化镉表面上的缺陷陷阱数量和密度，大大提高了量子点的荧光性能，对CdSe量子点的应用具有显著的实际意义。本发明操作简单，反应条件温和，成本低，产率高，便于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112899717A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110060275.4
申请日：2021-01-18
Applicant: 五邑大学
IPC: C25B11/054 , C25B11/091 , C25B1/55 , C25B1/04 , C25D9/04
Abstract: 本发明公开了一种光电极及其制备方法和应用，用两次电化学沉积法制备FTO/BiVO4/Cu2O光电极；将所述FTO/BiVO4/Cu2O光电极用于光电催化水氧化反应过程；所述FTO/BiVO4/Cu2O光电极中BiVO4晶型为单斜结构，其孔隙为10‑80nm，粒子尺寸为50‑200nm；Cu2O的粒子尺寸约为0.8‑1.5μm；BiVO4沉积在FTO上，沉积厚度为650‑750nm；Cu2O沉积在FTO/BiVO4上，沉积厚度为1‑100nm；所述BiVO4与Cu2O沉积的摩尔比为1:4‑32，各自电解液中的Bi与Cu的摩尔比为1：8。本发明所述的FTO/BiVO4/Cu2O光电极可提高单纯BiVO4载流子分离，光电催化性能优异，稳定性大大增强；基于BiVO4和Cu2O的复合光电极，可以提高光电催化分解水的性能，提高太阳能的利用与转换效率；本发明所述方法操作简单，相比于对比例3的水热合成法，电化学沉积法大大缩短生产时间，提高生产效率。
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公开(公告)号：CN110707199A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910984091.X
申请日：2019-10-16
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED器件及其封装方法，深紫外LED器件包括：具有正负电极的基板，基板上设置有围坝；深紫外LED芯片，深紫外LED芯片固定于基板上并与基板上的正负电极连接；透镜，透镜周缘设置有与围坝适配的边框；透镜通过所述边框扣合于基板的围坝内，并构成容纳深紫外LED芯片的内腔。采用搅拌摩擦焊成型的焊缝把带边框的透镜和设有围坝的基板连接起来，实现了气密性封装，并且没有使用到有机硅胶等有机材料，实现了全无机封装。焊接过程只是局部高温，并不会因为温度过高而影响固晶质量和损害芯片，并且解决了深紫外LED照射下有机材料光解变性的问题，使得制造的深紫外LED适合在各种环境下使用，提高LED的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN110707199B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201910984091.X
申请日：2019-10-16
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED器件及其封装方法，深紫外LED器件包括：具有正负电极的基板，基板上设置有围坝；深紫外LED芯片，深紫外LED芯片固定于基板上并与基板上的正负电极连接；透镜，透镜周缘设置有与围坝适配的边框；透镜通过所述边框扣合于基板的围坝内，并构成容纳深紫外LED芯片的内腔。采用搅拌摩擦焊成型的焊缝把带边框的透镜和设有围坝的基板连接起来，实现了气密性封装，并且没有使用到有机硅胶等有机材料，实现了全无机封装。焊接过程只是局部高温，并不会因为温度过高而影响固晶质量和损害芯片，并且解决了深紫外LED照射下有机材料光解变性的问题，使得制造的深紫外LED适合在各种环境下使用，提高LED的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN110479376A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910609744.6
申请日：2019-07-08
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本发明公开了一种提高Co基纳米材料电催化特性的方法，选用包括多根Co基纳米棒的Co基纳米材料作为电催化剂，所述Co基纳米材料为纳米级的金属有机骨架材料，所述Co基纳米棒中Co和过渡金属的摩尔比为1:1～8:1。本发明选用包括多根Co基纳米棒的Co基纳米材料作为氧化反应和水分解反应的催化剂，具有独特的多孔纳米结构，能大幅降低其过电位，极大地提高了电催化活性与电极的稳定性，在电催化领域具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN210743971U
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201921741330.0
申请日：2019-10-16
Applicant: 五邑大学
Abstract: 本实用新型公开了一种深紫外LED器件，深紫外LED器件包括：具有正负电极的基板，基板上设置有围坝；深紫外LED芯片，深紫外LED芯片固定于基板上并与基板上的正负电极连接；透镜，透镜周缘设置有与围坝适配的边框；透镜通过所述边框扣合于基板的围坝内，并构成容纳深紫外LED芯片的内腔。采用搅拌摩擦焊成型的焊缝把带边框的透镜和设有围坝的基板连接起来，实现了气密性封装，并且没有使用到有机硅胶等有机材料，实现了全无机封装。焊接过程只是局部高温，并不会因为温度过高而影响固晶质量和损害芯片，并且解决了深紫外LED照射下有机材料光解变性的问题，使得制造的深紫外LED适合在各种环境下使用，提高LED的稳定性和可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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