用于设计基板的方法、基板及晶圆级芯粒集成结构

    公开(公告)号:CN116127905B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202310402712.5

    申请日:2023-04-06

    Abstract: 本发明涉及一种用于设计基板的方法、基板及晶圆级芯粒集成结构,所述基板包括依次堆叠的第一焊盘组、互联层和第二焊盘组;芯粒贴装于芯粒焊盘上,所述芯粒焊盘用于键合至所述第二焊盘组,以使所述芯粒、所述芯粒焊盘和所述基板构成晶圆级芯粒集成结构;PCB焊盘的两面分别用于键合PCB板和所述第一焊盘组,以使所述PCB板、所述PCB焊盘和所述晶圆级芯粒集成结构构成目标交换系统。芯粒通过互联层内部三维布线作为和PCB板之间的信号传输过渡,避免了芯粒和PCB板之间直接信号传输,也就避免了芯粒和PCB板之间因尺寸不匹配或者热膨胀系数等原因造成的信号传输迟延,从而提升信号传输性能。

    用于晶上系统的集成基板结构及晶上系统

    公开(公告)号:CN115985862A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202310092471.9

    申请日:2023-01-12

    Abstract: 本申请提供一种用于晶上系统的集成基板结构及晶上系统。该集成基板结构包括晶圆基板及重布线层。晶圆基板包括彼此连通的至少两层金属层,至少两层金属层包括位于顶层的微凸点阵列、及位于底层的微焊盘阵列。微凸点阵列与微焊盘阵列按照预定关系对应连接以至少形成晶圆基板的电源网络。重布线层设置于微焊盘阵列的下方,重布线层与微焊盘阵列连接并用于与外部电源连通,以将外部电源引入到微焊盘阵列中并供应至晶圆基板的电源网络。本申请的集成基板结构及晶上系统能够提高电源的完整性。

    晶圆处理器及用于其的电路自测试和供电管理装置

    公开(公告)号:CN115050727B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202210971081.4

    申请日:2022-08-15

    Abstract: 本发明公开了晶圆处理器及用于其的电路自测试和供电管理装置,包括硅基板,所述硅基板上键合晶圆处理系统,所述晶圆处理系统的顶部通过弹性连接器连接有供电模块,所述晶圆处理系统的底部通过微型铜柱连接硅基板,所述硅基板内部对应所述晶圆处理系统映射区域通过金氧半场效晶体管MOSFET集成有逻辑功能电路块。本发明通过在晶圆处理器的硅基板中设计有源电路,通过硅基板中的BIST控制单元,实现了晶圆处理器Die与硅基板键合后系统的可测试功能,降低了晶圆处理器的维修难度和成本;对每个晶圆处理器Die及其内部每个独立模块的电源故障监测和精细化供电故障管理,避免影响其他晶圆处理器Die或此晶圆处理器Die其他模块功能的正常工作。

    一种针对晶圆级处理器系统的全数字化管理装置

    公开(公告)号:CN115237036A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202211155809.2

    申请日:2022-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆级处理器系统的全数字化管理装置,使用可编程逻辑器件实现了对晶圆处理器系统主要功能单元的精细化控制,利用可编程逻辑器件多引脚和并行处理的优势,为每个单元提供独立的主控制器和物理通道,实现了高效率、高实时管理和故障隔离,使所有带有总线协议的被管理功能单元的从机地址实现了归一化。拓扑上,使用多个可编程逻辑器件组成一主多从的结构,主机与从机之间通过全双工高速接口连接,实现了管理IO引脚的扩展。将主控单元与从扩展单元安装在供电系统的不同层,有效利用了晶圆处理器供电板的空间,使由可编程逻辑器件组成的管理装置不影响系统的整体尺寸、供电密度和配电损耗。

    一种针对晶圆级处理器的供电装置

    公开(公告)号:CN114860054B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210782350.2

    申请日:2022-07-05

    Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆级处理器的供电装置,采用硅基板(3)作为晶圆级处理器的衬底基板,所述供电装置与硅基板(3)贴合,包括供电单元(16),所述供电单元(16)同时为多个处理器Die(2)供电,每个供电单元分为电源去耦层、核心电压层和外围电压层;所述处理器Die(2)连接电源去耦层,所述核心电压层设置于电源去耦层和外围电压层之间。本发明解决了晶圆级处理器的高密度的供电及处理器外围配套电路需求,具有高功率密度、低翘曲、低电源噪声、易维护等优点,可为低压大电流需求的同构或异构晶圆级处理器提供一体化供电解决方案。

    一种针对晶圆处理器的共享控制式供电装置

    公开(公告)号:CN115149514A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202211059609.7

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆处理器的共享控制式供电装置,采用多层垂直供电结构,将晶圆处理器的供电电路分为共享控制管理电路模块和直流变压及功率传输模块,所述直流变压及功率传输模块的上表面依次设置所述共享控制管理电路模块和所述晶圆处理器。本发明能有效提高晶圆处理器系统的供电密度,提高晶圆处理器供电系统的可靠性,降低晶圆处理器系统供电电路的功耗,实现了数字控制式供电系统,重新划分了供电系统的电压转换和控制管理平面,可为大功率晶圆处理器系统的高效供电提供一体化解决方案。

    晶圆处理器及用于其的电路自测试和供电管理装置

    公开(公告)号:CN115050727A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210971081.4

    申请日:2022-08-15

    Abstract: 本发明公开了晶圆处理器及用于其的电路自测试和供电管理装置,包括硅基板,所述硅基板上键合晶圆处理系统,所述晶圆处理系统的顶部通过弹性连接器连接有供电模块,所述晶圆处理系统的底部通过微型铜柱连接硅基板,所述硅基板内部对应所述晶圆处理系统映射区域通过金氧半场效晶体管MOSFET集成有逻辑功能电路块。本发明通过在晶圆处理器的硅基板中设计有源电路,通过硅基板中的BIST控制单元,实现了晶圆处理器Die与硅基板键合后系统的可测试功能,降低了晶圆处理器的维修难度和成本;对每个晶圆处理器Die及其内部每个独立模块的电源故障监测和精细化供电故障管理,避免影响其他晶圆处理器Die或此晶圆处理器Die其他模块功能的正常工作。

    一种针对晶圆级处理器的供电装置

    公开(公告)号:CN114860054A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210782350.2

    申请日:2022-07-05

    Abstract: 本发明公开了一种针对晶圆级处理器的供电装置,采用硅基板(3)作为晶圆级处理器的衬底基板,所述供电装置与硅基板(3)贴合,包括供电单元(16),所述供电单元(16)同时为多个处理器Die(2)供电,每个供电单元分为电源去耦层、核心电压层和外围电压层;所述处理器Die(2)连接电源去耦层,所述核心电压层设置于电源去耦层和外围电压层之间。本发明解决了晶圆级处理器的高密度的供电及处理器外围配套电路需求,具有高功率密度、低翘曲、低电源噪声、易维护等优点,可为低压大电流需求的同构或异构晶圆级处理器提供一体化供电解决方案。

    一种软件定义晶上系统及管理方法

    公开(公告)号:CN117234999B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202311498657.0

    申请日:2023-11-13

    Abstract: 本发明公开了一种软件定义晶上系统及管理方法,将晶上系统划分为数据平面、控制平面和管理平面。对于包含多个异构处理单元的数据平面,每个单元使用一个包含路由功能的Base Die对所有芯粒进行管理。对于控制平面,使用包含各类算法的控制器完成晶上系统内部处理芯粒任务的统一分配、调度、路由路径的生成与相关表项的下发。管理平面使用单独的处理器管理控制平面和数据平面,并与系统外远程控制台的管理者进行加密通信,实现晶上系统的远程统一管理。本发明可对整个晶上系统进行集中、隔离、分级控制,管理者可根据应用需求灵活调配系统中的计算资源和网络资源,通过编程完成晶上系统的智能化管理,而且高度保证了晶上系统的稳定性。

    一种针对晶上系统的对准方法及装置

    公开(公告)号:CN116936435B

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311195903.5

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本发明公开了一种针对晶上系统的对准装置,包括晶上处理器,晶上处理器包括硅基板和芯粒阵列,芯粒阵列包括内部芯粒和外围Dummy芯粒,硅基板背面刻蚀内部焊盘、对准焊盘和测试焊盘;晶圆连接器包括校对孔和弹性连接器,校对孔对准对准焊盘以核准晶圆连接器的位置,弹性连接器连接内部焊盘和测试焊盘;和供电PCB底板,包括测试连线、测试点和定位孔,用定位孔核准供电PCB底板的位置,当加强筋加压供电PCB底板时通过检测测试点的阻抗以确定弹性连接器是否对准和检测翘曲度,通过测试点还能够检测外围Dummy芯粒是否相连。该对准装置能够较为方便的检测对准和翘曲程度,本发明还公开了一种针对晶上系统的对准方法。

Patent Agency Ranking