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公开(公告)号：CN114823548A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210738281.5
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种面向光电共封装的LGA封装结构，包括外壳和基板，均呈工字型，所述外壳包括底座和压盖，基板设置在底座上，在工字型的基板的桥接处键合连接有光电三维堆叠芯片，所述压盖设置在基板上方，同时预留出光电三维堆叠芯片垂直方向的空间。本发明的结构将光电三维堆叠芯片与基板连接后，插入LGA封装结构中固定即可，发挥了LGA封装密度大、接口丰富、器件拼装紧凑体积小的特点，避免了引线寄生电感产生的噪声及引脚共面性问题而引起的虚焊和焊接不良的问题，具有可靠性高、集成度高的特点；还可以更换芯片重复使用，节约成本，且解决了光学封装与电学封装难以并存的问题，设计新颖，适用于大规模高密度光电芯片的光电共封装。
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公开(公告)号：CN113282401B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110825659.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开一种面向物联网异构物体多形态的可重构服务模型，包括相互连接的服务管理系统、微服务云和n个异构物体；所述服务管理系统接收用户指令，并识别管理接入网络的异构物体，根据用户信息直接调用预设服务，或调用微服务云组合执行新的服务，并根据系统当前运行情况管理微服务策略；所述微服务云，异构物体可直接从微服务云端调取所需微服务，以实现固有服务外的功能；所述n个异构物体，可以将固有服务拆分为若干微服务，从而与其他异构物体的微服务形成新的服务组合，实现异构物体的多形态重构。本发明使异构物体的架构和管理策略更加灵活，利用异构物体的空闲资源，突破资源按需分配，服务个性化定制，实现云服务与实体服务的任意转换。
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公开(公告)号：CN116130436B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202211566235.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了关于集成多孔微流道散热结构阵列的封装结构及其制备方法，所述封装结构包括晶圆基板，芯片阵列和PCB供电板。晶圆基板为集成了高密度的纳米多孔微流道散热结构阵列和信号传递部分的一体结构。根据不同芯片的功耗，纳米多孔微流道散热结构可设置具有不同通道宽度和孔隙尺寸的微通道，在实现对芯片阵列精准散热的同时，明显减小封装结构的厚度，提高了系统集成度。微流道盖板采用聚二甲基硅氧烷材料，做密封层和应力缓冲层；并且在封装结构制备过程中采用两次临时氮化铝载板键合，可避免大尺寸晶圆基板异质异构集成过程产生的应力积累和基板损坏。
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公开(公告)号：CN116399489B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310680812.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向晶上系统集成的高温硅基光电压力传感芯片，其制备方法包括：法珀腔深刻蚀步骤、牺牲层填充步骤、光波导制造步骤、牺牲层释放步骤、气密封装步骤。本发明采用微电子深刻蚀方法，直接在绝缘体上硅晶圆上制造垂直方向的法珀腔，并利用绝缘体上硅晶圆的器件层单晶硅和埋氧层二氧化硅制造光束传输的硅基光波导，与微电子工艺完全兼容，具有更高的生产效率。同时，本发明的制造工艺直接在硅晶圆上制造硅基光电子传感芯片，有利于硅基微电子芯片在晶圆上实现光电混合的单片集成，进一步提升了系统的性能。此外，本发明在晶圆上制造硅基法珀压力传感芯片，可以在120℃以上的高温环境中工作。
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公开(公告)号：CN116153860B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310397169.4
申请日：2023-04-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法。所述键合方法包括如下步骤：于背景气体下，在晶圆的铜凸点表面，采用能量功率为100mJ‑300mJ的脉冲激光溅射沉积纳米铜层，得到结构晶圆；将纳米铜浆料涂覆于所述结构晶圆中的纳米铜层表面，得到预处理晶圆，其中，所述纳米铜浆料包括纳米铜粉、还原剂、固化剂以及有机溶剂；在还原性气氛中，将另一所述结构晶圆与所述预处理晶圆倒装热压贴合，经热处理固化后冷却静置，完成晶圆级铜铜凸点互连结构的键合。所述键合方法无需引入除铜之外的其他金属就可以实现铜凸点之间的稳定键合，显著提高键合的可靠性，保证良好的导电效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116425110A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310686427.0
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有差分结构的高温光电压力传感芯片的晶圆级制造方法，采用微电子深刻蚀方法，直接在单晶硅晶圆上制造垂直方向的法珀腔，同时在硅晶圆上制造水平方向的光束传输的硅基条形波导，形成硅基法珀式压力传感器，器件具有单侧结构，具有进一步放大压力信号的功能。制造方法与微电子工艺完全兼容，可以满足大规模批量化生产的需求，且可以实现电‑光‑传感的晶上系统集成。此外，本发明的器件结构和制造工艺中没有易受温度影响的硅基掺杂工艺和金属化工艺，可以在接近硅基材料弹性形变极限温度的高温环境中工作。
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公开(公告)号：CN115323470A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211239595.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及晶圆封装领域，尤其涉及一种实现多片晶圆电镀的装置，包括电镀槽，放置在电镀槽内的设置成多层结构的晶圆底座，与所述晶圆底座配合设置的并联连接的电极结构，以及与晶圆位置对应的阳极金属条。本发明利用晶圆底座分层结构，实现多片晶圆同时电镀，既节约电镀时间，又可以有效避免电镀溶液的污染与浪费；利用环形电极阵列，实现电镀沉积，既可以稳定晶圆，又可以保证电镀质量，提高电镀晶圆表面的均匀性；利用晶圆底座的稳定，可以实施与传统方式不同的电镀方法，将晶圆表面保持水平状态，针对大尺寸晶圆电镀，可以有效节省电镀溶液，节约成本。
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公开(公告)号：CN114823594B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210738227.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/492 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料界面的混合键合结构及方法，对待键合的芯粒下表面的绝缘层进行凹陷化处理；对待键合的半导体晶圆上表面键合区域的绝缘层进行凹陷化处理，凹陷处设置二维材料层，再将芯粒下表面与半导体晶圆上表面键合，利用二维材料薄层覆盖绝缘层，有效消除绝缘层表面的悬挂键，使键合界面达到原子级平整，有效降低键合的压力和温度，提升键合良率；此外，二维材料键界面可以降低键合界面缺陷密度，减少电迁移的发生，并通过热导率较高的二维材料界面，可以均匀化芯粒向晶圆的散热，从而提高键合的可靠性。
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公开(公告)号：CN114899185A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210812604.0
申请日：2022-07-12
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/18 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种适用于晶圆级异质异构芯粒的集成结构和集成方法，包括异质异构芯粒、硅转接板、晶圆基板以及芯粒配置基板，硅转接板上表面具有异构的微凸点用于键合异质异构芯粒，与一组异质异构芯粒键合形成标准集成件，硅转接板下表面具有统一标准化的微焊盘，与晶圆基板上表面的标准集成区域连接，标准及城区通过重布线层和统一标准化的微凸点阵列形成，晶圆基板利用其底部硅通孔与芯粒配置基板连接，芯粒配置基板为有机材料制作，其底部完成大型功率器件以及接插件的集成。本发明解决了因晶圆厂晶圆制备过程中光罩图案无法频繁更换的工艺流程的问题，从而为晶圆级的异质异构芯粒拼装集成提供高效可行的技术保障。
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公开(公告)号：CN114896940A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210817940.4
申请日：2022-07-13
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F30/392 , G06F30/18
Abstract: 本发明提供了一种软件定义的晶圆级交换系统设计方法及装置，包括：确定晶圆级交换系统布局约束；构建目标晶圆级交换系统并确定参数，设计交换网络逻辑拓扑结构；设计交换芯粒在晶圆基板上的布局；分别设计对外芯粒和内部芯粒接口结构；配置交换芯粒各端口交换模式与使能状态；当晶圆级交换系统可实现目标逻辑拓扑结构，则结束流程；否则，重新构造交换网络逻辑拓扑结构并将其映射到基板上。本发明基于集成电路制造工艺约束所能提供的物理拓扑结构固定的晶圆基板，通过软件定义混合交换机制的方式构建面向不同应用场景的高性能、大规模、拓扑结构灵活的晶圆级交换系统。
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