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公开(公告)号：CN118971922B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411399204.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B7/0408 , H04B7/08
Abstract: 本申请涉及一种射电天文相控阵馈源的校准方法、装置、系统和存储介质，通过获取相控阵馈源输出的多路接收信号；其中，所述多路所述接收信号由第一噪声信号经所述发射天线辐射至所述相控阵馈源的多个接收单元后生成；将各路所述接收信号与参考信号进行模数转换，生成对应的二维数字矩阵；其中所述参考信号为与所述第一噪声信号同源的第二噪声信号；基于各所述二维数字矩阵，确定所述相控阵馈源不同接收链路之间信号的协方差矩阵；基于所述协方差矩阵，对所述相控阵馈源的原始波束合成系数矩阵进行校准，得到所述相控阵馈源的修正波束合成系数矩阵，实现了保障相控阵馈源校准准确性的前提下，减少利用天文源校准的频率，提升系统校准效率。
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公开(公告)号：CN118971922A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411399204.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 之江实验室
IPC: H04B7/0408 , H04B7/08
Abstract: 本申请涉及一种射电天文相控阵馈源的校准方法、装置、系统和存储介质，通过获取相控阵馈源输出的多路接收信号；其中，所述多路所述接收信号由第一噪声信号经所述发射天线辐射至所述相控阵馈源的多个接收单元后生成；将各路所述接收信号与参考信号进行模数转换，生成对应的二维数字矩阵；其中所述参考信号为与所述第一噪声信号同源的第二噪声信号；基于各所述二维数字矩阵，确定所述相控阵馈源不同接收链路之间信号的协方差矩阵；基于所述协方差矩阵，对所述相控阵馈源的原始波束合成系数矩阵进行校准，得到所述相控阵馈源的修正波束合成系数矩阵，实现了保障相控阵馈源校准准确性的前提下，减少利用天文源校准的频率，提升系统校准效率。
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公开(公告)号：CN117975429A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410379715.6
申请日：2024-03-29
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种黑洞喷流的物理性质的确定方法、装置及存储介质，本方法先确定喷流图像中每个像素点对应的喷流区域的喷流辐射强度及喷流方向，再将所述喷流图像中与所述黑洞的距离为预设距离的像素点确定为指定像素点。之后，对所述指定像素点对应的局部喷流区域的喷流辐射强度及喷流方向进行拟合，得到局部拟合结果。最后，根据所述局部拟合结果，确定与所述黑洞的距离为预设距离的局部喷流的物理性质。通过确定与所述黑洞的距离为不同预设距离的若干个局部拟合结果，进而通过局部拟合结果确定与所述黑洞的距离为不同预设距离的黑洞喷流的物理性质，提高了确定黑洞喷流的物理性质效率及准确率。
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公开(公告)号：CN116878666A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310759172.6
申请日：2023-06-26
Applicant: 之江实验室
IPC: G01J5/46
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹动态电感热辐射计，包括超导薄膜层、太赫兹天线、截止层和Si衬底，超导薄膜层和太赫兹天线分别沉积于截止层上，截止层沉积于Si衬底上；超导薄膜层包括超导馈线、叉指电容和电感线圈，叉指电容与电感线圈并连形成振荡电路，太赫兹天线与电感线圈相邻，用于将接收的太赫兹信号转换成热量使得电感线圈产生电感变化，通过电感变化使得叉指电容内的共振频率发生改变，超导馈线接收变化的共振频率，通过变化的共振频率能够得到太赫兹信号的光强从而完成太赫兹信号的探测。该太赫兹动态电感热辐射计能够准确的探测太赫兹信号，受温度影响较少；本发明还提供了一种太赫兹动态电感热辐射计的制备方法和太赫兹探测系统。
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公开(公告)号：CN116304624A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310212412.0
申请日：2023-02-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F18/213 , G06F18/10 , G06N3/08 , G06N3/0464
Abstract: 基于斜线检测和曲线拟合消色散的快速射电暴搜寻方法，包括以下步骤：多卷积核斜线检测去噪、利用U型网络进行语义级分割、FRB检测、骨架提取、RANSAC拟合、一次矫正、残差矫正。本发明利用多卷积核斜线检测去噪，并增强快速射电暴信号，利用U型网络对FRB进行分割，并根据分割结果对横向和纵向的相对长度来进行FRB检测。将分割结果使用骨架提取算法进行细化，然后利用RANSAC算法对FRB进行拟合，最终对原始图像进行一次矫正和残差矫正，并计算出色散值等物理参数。本发明可以很好的增强FRB信号，抑制强噪声信号，解决了天文数据中缺少已标注数据集问题，并解决了传统算法消色散阶段算力消耗巨大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116226616A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211559342.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F18/10 , G06F18/213 , G06F18/24 , G06F18/23 , G06N20/00
Abstract: 本发明公开了一种针对快速射电暴的科研数据分析平台，包括数据管理模块：用于结构化、标准化、规范化地管理快速射电暴相关科研数据；快速射电暴搜寻模块：用于搜寻射电望远镜观测数据中的快速射电暴，并截取快速射电暴样本存储至数据库中；快速射电暴样本分析模块：基于天文数据分析算法组件，对快速射电暴样本进行深入分析，并传输分析结果至可视化模块；可视化模块：基于真实星系分布构建3D天球模型，将快速射电暴数据及分析结果展现在天球模型对应位置上。本发明提供快速射电暴数据获取、管理和共享功能，建设丰富的标准化数据分析能力，实现分析结果可视化，大幅提高数据获取及分析效率，促进天文成果共享，加速科研成果产出。
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公开(公告)号：CN116304624B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310212412.0
申请日：2023-02-27
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F18/213 , G06F18/10 , G06N3/08 , G06N3/0464
Abstract: 基于斜线检测和曲线拟合消色散的快速射电暴搜寻方法，包括以下步骤：多卷积核斜线检测去噪、利用U型网络进行语义级分割、FRB检测、骨架提取、RANSAC拟合、一次矫正、残差矫正。本发明利用多卷积核斜线检测去噪，并增强快速射电暴信号，利用U型网络对FRB进行分割，并根据分割结果对横向和纵向的相对长度来进行FRB检测。将分割结果使用骨架提取算法进行细化，然后利用RANSAC算法对FRB进行拟合，最终对原始图像进行一次矫正和残差矫正，并计算出色散值等物理参数。本发明可以很好的增强FRB信号，抑制强噪声信号，解决了天文数据中缺少已标注数据集问题，并解决了传统算法消色散阶段算力消耗巨大的问题。
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公开(公告)号：CN116910187A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311179451.1
申请日：2023-09-13
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F16/33 , G06F16/35 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 本申请涉及一种天文信息提取方法、装置、电子装置和存储介质，其中，该天文信息提取方法包括：从待处理的天文文献中，标注各天文文献中的初始文本特征和初始视觉特征；将初始文本特征和初始视觉特征进行特征融合，得到联合表征向量输入训练完备的基于Transformer架构的多模态知识提取模型，利用多模态知识提取模型中的编码器计算天文信息特征的预测概率值，并利用多模态知识提取模型中的解码器，针对预测概率值输出预测的多模态的天文信息特征；其基于天文文献中各类型特征的标注，利用多模态知识提取模型实现了最终的天文信息特征的预测，从而能够实现对天文文献中多模态的天文知识的提取。
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公开(公告)号：CN117684125A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311611199.7
申请日：2023-11-29
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种室温优化Si衬底上NbN薄膜超导转变温度的方法及其应用，包括以下步骤：固定Si衬底温度为室温，溅射功率为100W～300W，沉积气压为1mTorr～5mTorr，反应气体N2和工作气体Ar的气体质量流量比为15％～35％，溅射时间为1200s～1500s，在Si衬底上沉积得到具有高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法制备出的NbN超导薄膜的超导转变温度能够达到14.07K，且沉积温度为室温，制备方法简单可靠，可重复性好，可工业批量化生产，同时为后续NbN超导材料的机制研究、超导动态电感探测器研制及其工程应用提供了有力的材料支撑。
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公开(公告)号：CN117070892A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311002593.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种两步控制N2分压降低NbN薄膜内应力和提高超导转变温度的方法，包括以下步骤：先使用N2/Ar气体质量流量比40％～65％沉积NbN缓冲薄膜层，溅射时间为1～112s，NbN缓冲薄膜层厚度为0.1～5nm；再使用N2/Ar气体质量流量比15％～35％沉积NbN主要薄膜层，溅射时间为150～450s，NbN主要薄膜层厚度为10～30nm；最终得到低内应力和高超导转变温度的NbN超导薄膜。本发明方法通过两步控制N2分压在衬底上实现两层薄膜层生长，制备工艺简单，改善效果良好，可实现大规模生产。
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