公开(公告)号：CN101851785A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010139890.6

申请日：2010-03-30

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日本碍子株式会社

Inventor： 佐藤峻之 ,  永井诚二 ,  森勇介 ,  北冈康夫 ,  岩井真 ,  东原周平

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625

Abstract: 本发明制造III族氮化物半导体的方法，本发明的一个目的是在通过Na助熔剂法制造GaN的过程中有效地添加Ge。在坩埚中，将种晶衬底放置为使得衬底的一端保持在支撑基座上，由此使种晶衬底相对于坩埚的底表面保持倾斜，并且将镓固体和锗固体放置在种晶衬底和坩埚的底表面之间的空间中。然后，将钠固体放置在种晶衬底上。通过采用这种配置，当通过Na助熔剂法在种晶衬底上生长GaN晶体时，使得锗在形成钠-锗合金之前溶于熔融镓中。因此，GaN晶体可以有效地掺杂Ge。

公开(公告)号：CN1863944A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN02804691.9

申请日：2002-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  冨田一义 ,  山崎史郎 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫

IPC: C30B25/18

Abstract: 一种半导体晶体制造方法及半导体发光元件，利用横向晶体成长作用，在底衬底上，使由III族氮化物系化合物半导体构成的半导体晶体成长，自底衬底得到独立的优质半导体晶体。本发明的半导体晶体制造方法包括：突起部形成工序，在底衬底上形成多个突起部；晶体成长工序，把所述突起部表面的至少一部分作为衬底层开始晶体成长的最初成长面，使所述衬底层结晶成长，直至该成长面各自相互连接形成至少相连的大致平面；分离工序，通过断裂所述突起部，把所述衬底层和所述底衬底加以分离。本发明可得到没有裂纹、转位密度低的高质量的半导体晶体(晶体成长衬底)。

公开(公告)号：CN104233457B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN103243389B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201310048487.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  守山实希 ,  久米川尚平 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法，所述方法包括控制回熔。具体地，在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后，通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解，沟槽的尺寸增加，以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。

公开(公告)号：CN103510155B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310254899.5

申请日：2013-06-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎史郎 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/00 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/02 ,  C30B9/04 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1092

Abstract: 公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备，该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩埚有效移除半导体晶体；并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括：坩埚支撑件，用于支撑所述坩埚，使得所述坩埚的开口被定向为朝下；加热器，用于加热所述坩埚支撑件上支撑的所述坩埚；以及半导体晶体接纳网，用于接纳从所述坩埚的开口跌落的所述半导体晶体。所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部，用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。

公开(公告)号：CN104233457A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN103510155A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310254899.5

申请日：2013-06-25

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 山崎史郎 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/00 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B35/00 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B9/02 ,  C30B9/04 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1092

Abstract: 公开了半导体晶体移除设备和半导体晶体的产生方法。本发明提供了一种半导体晶体移除设备，该半导体晶体移除设备通过固化的熔剂的快速熔化而实现从坩锅有效移除半导体晶体；并且提供了一种用于产生半导体晶体的方法。所述半导体晶体移除设备包括：坩锅支撑件，用于支撑所述坩锅，使得所述坩锅的开口被定向为朝下；加热器，用于加热所述坩锅支撑件上支撑的所述坩锅；以及半导体晶体接纳网，用于接纳从所述坩锅的开口跌落的所述半导体晶体。所述半导体晶体移除设备进一步包括确定部，用于基于因所述半导体晶体的跌落而导致的重量的改变来确定所述半导体晶体的移除。

公开(公告)号：CN103243389A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310048487.6

申请日：2013-02-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  守山实希 ,  久米川尚平 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造具有优异的结晶度的第III族氮化物半导体单晶的方法以及一种用于制造具有优异的结晶度的GaN衬底的方法，所述方法包括控制回熔。具体地，在用作生长衬底的GaN衬底上形成掩模层。之后，通过光刻形成穿过掩模层并且到达GaN衬底的多个沟槽。获得的籽晶和单晶的原材料被供给到坩埚并且在加压和高温条件下经历处理。在熔剂中使GaN衬底的露出到沟槽的部分经历回熔。通过GaN衬底的溶解，沟槽的尺寸增加，以提供大沟槽。GaN层从掩模层的作为起始点的表面生长。

公开(公告)号：CN100414005C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN02804691.9

申请日：2002-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  冨田一义 ,  山崎史郎 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫

IPC: C30B25/18

Abstract: 一种半导体晶体制造方法及半导体发光元件，利用横向晶体成长作用，在底衬底上，使由III族氮化物系化合物半导体构成的半导体晶体成长，自底衬底得到独立的优质半导体晶体。本发明的半导体晶体制造方法包括：突起部形成工序，在底衬底上形成多个突起部；晶体成长工序，把所述突起部表面的至少一部分作为衬底层开始晶体成长的最初成长面，使所述衬底层结晶成长，直至该成长面各自相互连接形成至少相连的大致平面；分离工序，通过断裂所述突起部，把所述衬底层和所述底衬底加以分离。本发明可得到没有裂纹、转位密度低的高质量的半导体晶体(晶体成长衬底)。

公开(公告)号：CN1491299A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02804627.7

申请日：2002-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 永井诚二 ,  冨田一义 ,  色川芳宏 ,  加地彻

IPC: C30B25/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/76254 ,  H01L33/0079

Abstract: 一种半导体晶体成长方法及半导体发光元件，该法是在底衬底上使与所述底衬底不同的半导体物质结晶成长的半导体晶体成长方法，其特征在于，在开始所述晶体成长前，把离子从所述底衬底的晶体成长面注入。所述半导体发光元件的特征在于，至少作为晶体成长衬底，具有使用上述晶体成长方法制造的半导体晶体。在所述晶体成长过程中，底衬底以离子注入层为界破断，并最终分离为薄膜部分和主要部分。本发明的半导体晶体制造方法，能得到比现有技术结晶性优良、裂纹少的氮化镓单晶。