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公开(公告)号：CN119618772A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411810046.X
申请日：2024-12-10
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G01N1/28 , G01N23/2251 , H01L21/66
Abstract: 一种稀疏散射缺陷的标准晶圆片的制造方法，包括以下步骤：步骤一、确定预设的缺陷参数；步骤二、根据预设的缺陷参数，生成在缺陷区域内位置坐标随机排布的凸起或凹坑构成的缺陷图形，将缺陷图形设计为标准样板结构版图，并按照标准样板结构版图制作目标掩模版；通过热氧化工艺得到目标晶圆片；步骤三、利用光刻工艺，将目标掩模板上的图形转移到目标晶圆片上；采用刻蚀工艺对目标晶圆片进行刻蚀，得到标准晶圆片。本发明提供一种稀疏散射缺陷的标准晶圆片的制造方法，所制备的标准晶圆片具有可控的缺陷数目和缺陷直径，该晶圆可以清洗，具有更长的寿命。缺陷的分布区域、尺寸以及数量参数均为可控生成，能够满足不同类型检测设备的需要。
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公开(公告)号：CN114141942A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111426732.3
申请日：2021-11-27
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种超导薄膜、制备方法、超导转变边沿探测器及应用。该超导薄膜包括超导金属膜层、合金膜层和正常态金属膜层，所述合金膜层的合金包括所述超导金属膜层中的超导金属与所述正常态金属膜层中的正常态金属，所述合金膜层层叠设置于所述超导金属膜层与所述正常态金属膜层之间。合金膜层的引入不仅能够有效降低超导薄膜的超导转变温度，还能够用于在维持该超导薄膜整体的热容不变的情况下调控超导薄膜整体的超导转变温度。
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公开(公告)号：CN111952431A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010626597.6
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种平面型热电堆测温芯片。待测物体接触结构用于与待测物体进行接触，实现热传输。多个间隔设置的第一热电结构、多个间隔设置的第二热电结构以及待测物体接触结构均设置于第一表面。每个第二热电结构与每个第一热电结构首尾依次直接连接，不需要通过其他导电材料就可以实现连接。通过基底为支撑结构，并将待测物体接触结构靠近热端连接点设置，会将待测物体的热量直接快速传导到多个热端连接点(即热电堆热端)，不需要中间热传输结构就可以实现测温。此时，通过平面型热电堆测温芯片可以实现热电堆热端与待测物体间的快速热传导，缩短了热传递链，且响应快速，进而提高了所述平面型热电堆测温芯片的测温效率、测温准确性。
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公开(公告)号：CN111101103A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911351224.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请提供一种超导薄膜、超导薄膜制备方法及超导转变边沿探测器。超导薄膜的截面面积沿通入电流的电流流动方向单向增加或递减。如图1所示，沿通入电流的电流流动方向，截面面积(S1、S2所示)单向增加或递减。此时，随电流密度的升高，截面面积小的位置，先行失去超导态，进入正常态。当电流密度逐渐升高，超导转变边沿展宽。因此，通过超导薄膜的截面面积沿通入电流的电流流动方向单向增加或递减，可以使得超导薄膜具有超导转变区非常平缓或宽阔的特性，进而可以保证在大量光子信号抵达TES器件时依旧有信号相应。超导薄膜解决了传统超导薄膜容易失去超导态的问题，从而可以探测到更多数量的光子信号，达到宽谱光功率探测效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119493054A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411688510.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G01R33/035 , G01R33/00
Abstract: 本公开涉及一种基于电流锁定方式的超导量子干涉器及其制备方法，包括：SQUID线圈，SQUID线圈包括第四电感；偏置线圈，与SQUID线圈相耦合，并于基于电流锁定方式的超导量子干涉器上形成偏置端；二级磁通转换线圈，二级磁通转换线圈形成有第二电感和第三电感，第三电感与第四电感相耦合；输入线圈，输入线圈形成有第一电感和第五电感，第一电感与第二电感相耦合，并于超导量子干涉器件上形成输入端；电流锁定反馈线圈，电流锁定反馈线圈形成有第六电感，第六电感与第五电感相耦合，并于超导量子干涉器件上形成有电流锁定反馈端。至少能够并通过多个线圈最大程度地消除环境噪声的影响，避免了环境噪声对于SQUID工作点位置的影响。
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公开(公告)号：CN111952432B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202010626600.4
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: H10N10/817 , H10N10/82
Abstract: 本申请涉及一种辐射功率传感器芯片。每个第二热电结构与每个第一热电结构首尾依次直接连接，形成多个依次串联连接的电偶对，不需要通过其他导电材料就可以实现连接。并且，多个第一热电结构、多个第二热电结构、吸收辐射功率结构以及自校准结构均设置在同一平面，不需要中间热传输结构就可以实现辐射功率吸收热传导和自校准加热传导至多个热端连接点(即热电堆热端)。通过辐射功率传感器芯片可以实现热电堆热端分别与吸收辐射功率结构和自校准结构之间的快速热传导，缩短了热传递链，且响应快速，进而提高了检测效率。
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公开(公告)号：CN116600629A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310461856.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种吸收体和超导薄膜之间热连接制作工艺，其制作步骤如下：S1、制作热连接支撑部：在超导薄膜上制做出连接柱充当支撑部，将连接柱放置于超导薄膜上；S2、开始调胶步骤：将预制好的环氧树脂胶装入点胶机的储胶罐，并将放置好连接柱的超导薄膜放置在点胶机的工作位处；S3、开始点胶机点胶调整步骤：将一部分环氧树脂胶慢慢挤出点胶针头；S4、加胶步骤：使点胶针头缓慢下降，直到连接柱远离超导薄膜的一端碰触到点胶针头上的环氧树脂胶后停止；S5、连接步骤：将吸收体放置在粘有环氧树脂胶的连接柱的顶部。本发明提供一种吸收体和超导薄膜之间热连接制作工艺，制作出尺寸较小的热连接，让热连接排列更多样化。
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公开(公告)号：CN116163001A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211476806.9
申请日：2022-11-23
Abstract: 本申请涉及一种晶圆级电化学腐蚀系统，包括：腐蚀槽，腐蚀槽内部左右两侧设有竖槽，用于安装和固定阴极和阳极，竖槽内设置有用于固定晶圆的阳极架；腐蚀液，盛放于腐蚀槽内；阴极，包括绝缘材质的平板，平板上贴附有金属板；阳极，包括阳极架，阳极架为工字形结构，中部圆弧形长槽长度与待固定晶圆直径相同，长槽上下两端通过螺丝用防腐蚀材质压片固定晶圆；氮气鼓气系统，通过在腐蚀槽侧面或者底面位置开孔，接入氮气；上位机控制系统，用于控制电化学腐蚀实验进度以及参数的记录；源表，接入于阴极、阳极之间的回路中，用于控制输出恒、变电压，同时测试回路中电压和电流。本发明为晶圆的金属牺牲层释放提供了便捷的实验条件。
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公开(公告)号：CN114839666A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210349022.3
申请日：2022-04-01
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G01T1/36
Abstract: 本申请涉及一种可调控饱和能量的超导转变边沿传感器，包括：一层吸收体；两层以上TES薄膜，所有TES薄膜之间有序排列，直接或间接连接；至少一层TES薄膜与吸收体热连接；每个TES薄膜对应的超导转变边沿传感器饱和能量均不相同，每个TES薄膜连接有信号读出电路；热沉，与至少一层TES薄膜弱连接。本发明的有益效果是：对比单个TES薄膜的超导转变边沿传感器，本发明可以在基本不损失低能光子探测能量分辨率的情况下实现大动态范围测量。
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