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公开(公告)号：CN111640854B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202010418817.6
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法及探测器，采用溅射沉积的方式，并根据金属合金靶材的本身热扩散程度较小的特点，设置溅射气压设置、溅射功率，可以使得第一薄膜层成膜密度更高、成膜均匀性更好。由于第一薄膜层为金属合金层，原子间不易扩散，使得本身热扩散程度较小，进而避免了金属合金层和超导薄膜层的相互热扩散，使得超导薄膜层与金属合金层形成的界面为比较清晰的界面，进而有助于超导效应的发挥，保证了超导转变边沿探测器的长期稳定性。由于避免了金属合金层和超导薄膜层的相互热扩散，制备时不会受到热处理等步骤的影响，仍然可以确保超导薄膜层与金属合金层形成的界面为比较清晰的界面。
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公开(公告)号：CN116162985A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310091852.5
申请日：2023-01-17
Abstract: 本申请提供一种晶圆级阳极氧化系统及方法，氧化系统包括控制模块、数字源表、阳极、阴极和电解槽，阳极为位于晶圆上的金属；控制模块与数字源表的第一端相连，用于控制数字源表输出电流；数字源表的第二端和第三端分别连接阳极和阴极，用于向阳极和阴极输入电流，以在阳极和阴极之间形成电场，对阳极金属氧化，数字源表用于测量阳极和阴极之间的电压，电压与阳极氧化形成的氧化膜的厚度基本成线性关系；电解槽中盛有电解液，阳极和阴极位于电解液中。观察阳极和阴极之间的电压变化可以确定阳极氧化膜的厚度，通过控制模块可以随时暂停或开启阳极氧化，实现可控厚度的晶圆级金属阳极氧化，具有稳定性。
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公开(公告)号：CN116096216A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211557700.1
申请日：2022-12-06
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种可实现宽波段能量探测的TES探测器，包括：热沉；TES主体，设置在热沉的中心；导热薄膜，覆盖在TES主体上，具有两个以上的分支；TES主体的正上方通过环氧树脂将厚度为H6的厚块状超导体材料的主吸收体直接粘结在表面，主吸收体E朝向TES主体的正投影能够遮盖整个TES主体；还包括多个不同规格的吸收体中的一种或多种。本发明的有益效果是：能够兼容多种波段，扩大了TES探测器的适用范围。
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公开(公告)号：CN115411172A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211192423.9
申请日：2022-09-28
Abstract: 本申请实施例提供了一种约瑟夫森结器件及其制备方法，包括：在衬底上依次形成第一膜层，第二膜层和第三膜层的叠层结构，第二膜层的材料包括铝和氧化铝，第一膜层和第三膜层的材料包括铌，刻蚀第三膜层，以便形成叠层结构的约瑟夫森结区，以叠层结构为阳极，以第一金属材料作为阴极，将叠层结构和第一金属材料放入氧化电解液，对第二膜层进行氧化，使用湿法腐蚀，去除部分第二膜层和第三膜层，形成约瑟夫森结器件，由此可见，本申请中利用氧化电解液对叠层结构进行氧化以形成氧化铝绝缘层，实时控制氧化过程，无需多次等离子体工艺，降低了约瑟夫森结中绝缘层在制备过程中被击穿的概率，避免约瑟夫森结短路，提高最终制备得到的量子器件的性能。
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公开(公告)号：CN115233269A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210853377.6
申请日：2022-07-08
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于金属阳极氧化及电镀的槽体，包括开口朝上的容纳腔体，容纳腔体内竖向设有第一极板和第二极板，第一极板和第二极板连接电源的正极和负极；当第一极板中的金属板连接电源的负极，第二极板中的金属导电片连接电源的正极时，该槽体用于金属阳极氧化；当第一极板中的金属板连接电源的正极，第二极板中的金属导电片连接电源的负极时，该槽体用于电镀金属。本申请提供了一种既可用于金属阳极氧化又可用于电镀的槽体，该槽体适用于2‑8英寸表面金属待氧化或电镀金属的晶圆片，其金属薄膜性能均匀稳定，重复性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111101103B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201911351224.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请提供一种超导薄膜、超导薄膜制备方法及超导转变边沿探测器。超导薄膜的截面面积沿通入电流的电流流动方向单向增加或递减。如图1所示，沿通入电流的电流流动方向，截面面积(S1、S2所示)单向增加或递减。此时，随电流密度的升高，截面面积小的位置，先行失去超导态，进入正常态。当电流密度逐渐升高，超导转变边沿展宽。因此，通过超导薄膜的截面面积沿通入电流的电流流动方向单向增加或递减，可以使得超导薄膜具有超导转变区非常平缓或宽阔的特性，进而可以保证在大量光子信号抵达TES器件时依旧有信号相应。超导薄膜解决了传统超导薄膜容易失去超导态的问题，从而可以探测到更多数量的光子信号，达到宽谱光功率探测效果。
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公开(公告)号：CN119309692A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411686451.5
申请日：2024-11-22
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G01K7/32
Abstract: 本公开涉及一种多通道SQUID低温温度计及其制备方法，包括：多个SQUID线圈；多个超导梯度线圈，每个超导梯度线圈分别对对应的一个SQUID线圈连接，每个超导梯度线圈包括多个子线圈，每个超导梯度线圈的多个子线圈串联连接；其中，每个超导梯度线圈的多个子线圈中的至少两个子线圈位于SQUID的待测金属上方，每个超导梯度线圈的多个子线圈中的至少两个子线圈位于镂空位置处。本公开至少能够通过多通道的设置，使SQUID在读出系统温度噪声时减少读出时间，并减少SQUID的测试时间。至少能够通过多通道的设置，使SQUID在读出系统温度噪声时减少读出时间，并减少SQUID的测试时间。
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公开(公告)号：CN111952431B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202010626597.6
申请日：2020-07-02
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种平面型热电堆测温芯片。待测物体接触结构用于与待测物体进行接触，实现热传输。多个间隔设置的第一热电结构、多个间隔设置的第二热电结构以及待测物体接触结构均设置于第一表面。每个第二热电结构与每个第一热电结构首尾依次直接连接，不需要通过其他导电材料就可以实现连接。通过基底为支撑结构，并将待测物体接触结构靠近热端连接点设置，会将待测物体的热量直接快速传导到多个热端连接点(即热电堆热端)，不需要中间热传输结构就可以实现测温。此时，通过平面型热电堆测温芯片可以实现热电堆热端与待测物体间的快速热传导，缩短了热传递链，且响应快速，进而提高了所述平面型热电堆测温芯片的测温效率、测温准确性。
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公开(公告)号：CN115101656A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210780796.1
申请日：2022-07-04
Applicant: 中国计量科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种X射线超导转变边沿探测器及其制备方法，其中，X射线超导转变边沿探测器包括双抛硅片、超导薄膜、电极、热连接结构和吸收体；双抛硅片的上侧设有第一氧化硅薄膜，第一氮化硅薄膜，下侧设有第二氧化硅薄膜，第二氮化硅薄膜，且双抛硅片的中部为开口向下的空腔，露出上侧的第一氮化硅薄膜；超导薄膜设置在第一氮化硅薄膜上，电极为两个并设置在第一氮化硅薄膜上且位于超导薄膜的相对两侧并压住超导薄膜，两个电极分别对应连接第一引线和第二引线；热连接结构可为1根、5根、或6根，吸收体水平设置在热连接结构上。其制备方法简单，可降低制备X射线超导转变边沿探测器的复杂度，同时可提高其能量分辨率。
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公开(公告)号：CN111948765B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202010631206.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国计量科学研究院
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请涉及一种基于硅基刻蚀的超导光学探测器与光纤对准方法及装置。对第一基底进行刻蚀，制备光纤位置通孔，并在第一基底的表面制备多个间隔设置的第一标记。多个第一标记与光纤位置通孔之间形成相对位置关系。在第二基底的表面制备单光子吸收膜时，以第二基底作为超导单光子探测器的衬底，采用制备超导单光子探测器的制备工艺进行制备。此时，多个第二标记与单光子吸收膜之间形成相对位置关系，并和多个第一标记与光纤位置通孔的相对位置关系相同。进而，通过将多个第一标记与多个第二标记一一对应，即可实现将光纤位置通孔与单光子吸收膜的对准。从而，将光纤直接放置于光纤位置通孔中，即可实现与单光子吸收膜对准。
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