一种氮化铁薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN106011748B

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201610469979.6

    申请日:2016-06-26

    Abstract: 本发明涉及一种氮化铁薄膜的制备方法。该方法是采用激光脉冲沉积的方法,通过控制沉积温度、时间和氧气流量,来制备氧化铁薄膜;通入氢气,在300~400℃还原4‑20h,以获得铁薄膜;通入氨气,在120~200℃氮化1~30h;氮化过程中施加磁场,诱导氮化铁的取向,磁场强度0.1~2T;降温,随炉冷却至室温,取出样品,即可获得氮化铁薄膜。该方法可以直接获得高α"‑Fe16N2含量的氮化铁薄膜,有利于薄膜器件的集成应用,此外采用磁场热处理的方法,使薄膜氮化时产生晶体学取向,方便的控制薄膜的晶体学易磁化轴。

    一种梯度材料制备用多级运动磁场装置

    公开(公告)号:CN105568279B

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201511015256.0

    申请日:2015-12-31

    Abstract: 一种梯度材料制备用多级运动磁场装置,包括:基板、光电开关、光电开关滑槽、步进电机、控制器、联轴器、丝杆、多级磁环系统,其特征在于:基板位于整个装置的最下方;控制器与步进电机连接,用于控制步进电机的工作参数;步进电机通过联轴器与丝杆相连接,用于控制丝杆的旋转;丝杆与多级磁环系统连接,控制多级磁环系统的运动速度和方向;光电开关滑槽与丝杆平行放置;2个光电开关位于滑槽两端;多级磁环系统由2~10个轴向充磁的磁环组成,相邻磁环同轴并且反向排列,相邻磁环间距为5~50mm。该装置克服传统方法中磁场驱动力小的缺点,方便、可控地制备具有大组分梯度的功能梯度材料。

    一种n-p异质型气敏材料及制备方法

    公开(公告)号:CN109085208B

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN201810818069.3

    申请日:2018-07-24

    Abstract: 本发明涉及一种n‑p异质型气敏材料及制备方法,具体涉及一种p型多孔片状NiO负载n型纳米SnO2气敏材料及制备方法。该发明的气敏材料一方面通过多孔片状结构增加表面积以提高气敏性,另一方面通过调控n‑p异质型界面电子传输以提高气敏材料针对特定气体的灵敏度以及选择性。本发明所采用的方法原料来源广泛,价格低廉,而且化学制备手段简单;所获得的的n‑p异质型SnO2/NiO气敏材料灵敏度高,选择性强。

    一种多铁性异质结薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108022750B

    公开(公告)日:2019-08-20

    申请号:CN201711334411.4

    申请日:2017-12-14

    Abstract: 一种多铁性异质结薄膜的制备方法,其特征在于具体步骤为:1)薄膜制备在结构稳定的铁电薄膜衬底上通过脉冲激光沉积、磁控溅射、或分子束外延等方法复合铁磁性薄膜,获得铁磁/铁电异质结薄膜;所述的铁电薄膜衬底为PMN‑PT、BFO、PZT、BTO、PTO、PZN‑PT中的一种;所述的铁磁性薄膜为Fe、Co、Ni、CoFe、CoFeB、FeNi、FeSi、FeSiAl、FeAl中的一种;2)界面调控将步骤1)制备的铁磁/铁电异质结薄膜放入热处理炉中,以恒定的速率通入含氮气体,在150~600℃温度下渗氮处理0.5~48h;降温,随炉冷却至室温,取出样品;所述的结构稳定的铁电薄膜在热处理过程中结构不受影响,而所述的铁磁性薄膜中会渗入氮原子,生成间隙固溶体或新相,导致晶格膨胀,在界面处产生应力;所述的含氮气体为氮气、氨气、氮气和氢气、氨气和氢气中的一种。

    一种具有笼状结构的超级电容器电极材料及制备方法

    公开(公告)号:CN107393723B

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201710632542.4

    申请日:2017-07-28

    Abstract: 本发明涉及一种具有笼状结构的超级电容器电极材料,该材料由笼状碳球和片层状NiCo2S4的核壳结构组成,片层状NiCo2S4在外包覆内部的碳球形成笼状结构。该发明先构造笼状碳球,并引入多种功能团,实现片层状NiCo2S4的有效组装。这种笼状碳球@片层状NiCo2S4材料应用于超级电容器电极材料,一方面利用了笼状碳球材料导电性高、比表面积大和分散性好的优点,提高了电极材料与电解液的有效接触面积;另一方面利用片层状NiCo2S4丰富的孔道结构和Co3+/Co2+及Ni3+/Ni2+氧化还原电子对,可以获得较高的工作电压窗口,从而提高超级电容器电极材料的比电容和循环充放电稳定性。

    一种多铁性异质结薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108022750A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201711334411.4

    申请日:2017-12-14

    Abstract: 一种多铁性异质结薄膜的制备方法,其特征在于具体步骤为:1)薄膜制备在结构稳定的铁电薄膜衬底上通过脉冲激光沉积、磁控溅射、或分子束外延等方法复合铁磁性薄膜,获得铁磁/铁电异质结薄膜;所述的铁电薄膜衬底为PMN‑PT、BFO、PZT、BTO、PTO、PZN‑PT中的一种;所述的铁磁性薄膜为Fe、Co、Ni、CoFe、CoFeB、FeNi、FeSi、FeSiAl、FeAl中的一种;2)界面调控将步骤1)制备的铁磁/铁电异质结薄膜放入热处理炉中,以恒定的速率通入含氮气体,在150~600℃温度下渗氮处理0.5~48h;降温,随炉冷却至室温,取出样品;所述的结构稳定的铁电薄膜在热处理过程中结构不受影响,而所述的铁磁性薄膜中会渗入氮原子,生成间隙固溶体或新相,导致晶格膨胀,在界面处产生应力;所述的含氮气体为氮气、氨气、氮气和氢气、氨气和氢气中的一种。

    α-Fe/γ′-Fe4N软磁复合材料的低温原位制备方法

    公开(公告)号:CN106057392B

    公开(公告)日:2017-11-07

    申请号:CN201610470275.0

    申请日:2016-06-26

    Abstract: 本发明涉及一种α‑Fe/γ′‑Fe4N软磁复合材料的低温原位制备方法。该发明选择20~200nm的Fe2O3或Fe3O4粉末为原材料,在适当的温度和氢气气氛下还原制得纳米铁粉;铁粉在NH3气氛中,120~200℃温度下,保温1~30h,进行氮化;随后将氮化后的粉末加入0.1~4wt.%的W‑6C粘接剂,在0.4~1.2GPa的压力下制成软磁复合磁环;最后在220~600℃退火0.5~20h,获得α‑Fe/γ´‑Fe4N软磁复合材料。该方法在220℃就可以获得γ´‑Fe4N,较传统气相法温度低很多;同时α‑Fe和γ´‑Fe4N通过α"‑Fe16N2的共析转变获得,因此两相分布弥散均匀,最大程度的提高了体系的电阻率。

Patent Agency Ranking