一种双核Cu2I2P2S2型杂化半导体发光材料及其荧光传感应用

    公开(公告)号:CN118480068A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410585673.1

    申请日:2024-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种双核CuI杂化半导体发光材料及其制备方法和荧光传感应用。本发明的杂化半导体发光材料结构式为Cu2I2(TPP)2(TU)2,式中TPP为三苯基膦,TU为硫脲;由CuI与配体球磨发生配位反应大量制备;材料本身发蓝绿光,其在吡啶或4‑甲基吡啶气氛中会很快发生荧光极大增强的传感响应;该材料易于制备和加工,原料廉价易得,易于进一步制成传感薄膜或试纸,薄膜在吡啶或4‑甲基吡啶气氛中迅速出现肉眼可见的荧光点亮响应,响应迅速且具有可重复性和选择性,试纸可灵活制成所需规格,可作为便携式荧光传感试纸器件应用于吡啶VOC的检测。

    一种双核亚铜配合物发光材料及其对苯乙酮等VOC的荧光传感应用

    公开(公告)号:CN118108759A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410233947.0

    申请日:2024-03-01

    Abstract: 本发明公开了一种配体桥联双核亚铜配合物发光材料和其制备方法,以及该材料对苯乙酮等VOC的荧光传感应用;本发明的发光材料结构式为(POP)2Cu2(4,4’‑bipy)(CH3CN)2(PF6)2,式中POP为双膦配体双(2‑二苯基膦)苯基醚,4,4’‑bipy为桥基配体4,4’‑联吡啶;由亚铜离子与两种配体发生反应制得;其能在多种VOC气氛中尤其对苯乙酮有可选择性地进行荧光传感响应;对于吡啶和4‑甲基吡啶除了猝灭响应以外还展现出荧光变色的现象;对于四氢呋喃和氨气也有猝灭型响应行为,虽然响应速度比苯乙酮的猝灭明显要慢;该材料易于制备且溶解性和稳定性都很好,也易于制备成纸基或聚合物掺杂传感薄膜,可作为便携式荧光传感器件应用于多种VOC的检测。

    一种六核铜硫纳米团簇发光材料及其荧光传感

    公开(公告)号:CN116514725A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310528522.8

    申请日:2023-05-09

    Abstract: 本发明公开了一种六核铜硫纳米团簇发光材料及其制备方法,以及该材料对四环素溶液的荧光传感检测应用;本发明的发光材料名称为Cu6DMMP6,式中DMMP为含硫巯基配体4,6‑二甲基‑2‑巯基嘧啶;由CuSO4与配体通过在水溶液中原位发生还原反应和配位反应制得;材料本身的发光强度较强,可作为发光材料使用;而将该材料置于四环素甲醇溶液和水溶液中后,很快呈现荧光猝灭的荧光传感响应特性,且响应具有很好的选择性;该材料易于制备且溶解性和稳定性都很好,适用于多种溶液环境下的检测。

    一种基于亚铜配合物的VOC荧光传感材料

    公开(公告)号:CN109879911B

    公开(公告)日:2021-03-19

    申请号:CN201910231262.1

    申请日:2019-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于双膦配体和卤素配体的亚铜配合物发光材料及其制备方法和VOC荧光传感应用。本发明的发光配合物,由一价铜盐与配体络合得到,其分子结构为Cu(Xantphos)I,式中Xantphos为电中性双膦配体4,5‑双二苯基膦‑9,9‑二甲基氧杂蒽,I为卤素碘离子配体。所述配合物既具备小分子易提纯的优点,而且具有高的热稳定性。该材料是由CuI与配体的乙腈溶液和二氯甲烷溶液直接混合反应得到,具有工艺简便、设备简单、原料易得且成本低等优点。该材料可作为VOC荧光传感材料,其对甲胺蒸汽具有很好的选择性荧光响应。

    一种基于亚铜配合物的VOC荧光传感材料

    公开(公告)号:CN109879911A

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201910231262.1

    申请日:2019-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于双膦配体和卤素配体的亚铜配合物发光材料及其制备方法和VOC荧光传感应用。本发明的发光配合物,由一价铜盐与配体络合得到,其分子结构为Cu(Xantphos)I,式中Xantphos为电中性双膦配体4,5-双二苯基膦-9,9-二甲基氧杂蒽,I为卤素碘离子配体。所述配合物既具备小分子易提纯的优点,而且具有高的热稳定性。该材料是由CuI与配体的乙腈溶液和二氯甲烷溶液直接混合反应得到,具有工艺简便、设备简单、原料易得且成本低等优点。该材料可作为VOC荧光传感材料,其对甲胺蒸汽具有很好的选择性荧光响应。

    一种银碘阴离子高聚螺旋链基有机无机杂化半导体材料

    公开(公告)号:CN105837834B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201610307140.2

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的银碘阴离子高聚螺旋链基宽禁带半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Ag2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Ag2I4)n高聚阴离子呈独特的螺旋链结构。通过硝酸银、碱金属碘化物与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应和杂化置换反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化宽禁带半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

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