一种稳压器的单粒子瞬态仿真方法

    公开(公告)号:CN116258050A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202211599188.7

    申请日:2022-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种稳压器的单粒子瞬态仿真方法,基于TCAD仿真平台建立稳压器中核心器件CMOS的单粒子效应仿真模型,基于SPICE仿真平台构建稳压器等效电路。通过对稳压器的电路级单粒子效应仿真,得到稳压器输出电压,进而分析单粒子效应对稳压器工作状态的影响。本发明通过器件级建模仿真和电路级建模仿真相结合,可以实现对稳压器的单粒子效应仿真,分析单粒子效应对稳压器工作状态的影响,解决了加速器资源有限、辐照粒子能量不易调节、经济成本高等问题,为开展稳压器抗辐射评价和加固设计提供技术支撑,有助于提高器件在航天领域应用的可靠性。

    一种快速软恢复二极管功能性能的评估方法

    公开(公告)号:CN112034321B

    公开(公告)日:2022-10-28

    申请号:CN202010769032.3

    申请日:2020-08-03

    Abstract: 本发明涉及一种快速软恢复二极管功能性能的评估方法,特别涉及一种基于安全工作区验证的快速软恢复二极管功能性能的评估方法,属于元器件应用验证技术领域。通过对快速软恢复二极管进行全面的功能性能评估来检验快速软恢复二极管是否满足应用要求,评估内容包括不同温度条件下正向电压与正向电流关联特性、不同温度条件下反向耐压与反向漏电流关联特性、不同温度条件下反向恢复特性、反向恢复时间与温度的关联特性、反向恢复电流与温度的关联特性、稳态功率安全工作区验证和浪涌功率安全工作区验证。该方法结合用户需求和器件特性给出了基于安全工作区验证的快速软恢复二极管的功能性能的全面的验证项目。

    用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法

    公开(公告)号:CN105548861B

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201510917665.3

    申请日:2015-12-10

    Abstract: 本发明涉及一种用于测量纳米器件低能质子单粒子翻转敏感性的试验方法,该方法考虑入射质子方向与器件沟道宽度的方向的相关性,给出了进行低能质子单粒子试验时的质子入射方向、角度的选取方法和确定原则;同时给出了金属膜粗调降能和空气层精调降能结合的质子能量选择和获取方法,通过获取金属膜层厚度和降能空气层厚度,从而获得低能质子单粒子试验所需能量,实现宇航用元器件,尤其是高集成度、小特征尺寸的深亚微米、纳米器件的低能质子单粒子效应评估,最大程度满足卫星抗辐射加固设计的需求;本发明方法为空间项目选用纳米级器件以及应用加固设计提供参考数据,也为研制抗辐照加固纳米器件提供参考数据。

    一种基于复合敏感体积模型的器件在轨单粒子翻转率预示方法

    公开(公告)号:CN103729503B

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201310713022.8

    申请日:2013-12-23

    Abstract: 本发明提供了一种基于复合敏感体积模型的器件在轨翻转率预计方法。该方法利用粒子输运仿真手段,获取实际飞行轨道上器件经受的电荷沉积情况;结合器件逻辑单元的单粒子效应仿真模拟手段,获取器件逻辑单元的敏感参数,建立复合敏感体积模型,描述入射粒子沉积电荷被收集情况;在获得逻辑单元样本粒子翻转情况后,采用加权统计方法,最终获得器件在轨翻转率预计结果。提高了宇航用元器件,尤其是高集成度、小特征尺寸的深亚微米器件的在轨翻转率预计准确性。

    一种用加速器高能质子进行器件质子单粒子试验的方法

    公开(公告)号:CN103616631B

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201310570956.0

    申请日:2013-11-15

    Abstract: 一种用加速器产生的高能质子进行器件单粒子翻转试验的方法,包括试验样品加工、单粒子试验板的要求,高能质子能量、注量率、注量的选择要求。随着集成度提高、特征尺寸减少,大规模电路的单粒子翻转趋向敏感,质子通过核反应或直接电离可引起单粒子翻转。在轨卫星发生了疑似质子单粒子翻转引起的电子系统故障。本方法为在地面开展器件质子单粒子翻转试验提供了方法。根据本方法,可以对卫星用关键器件的质子单粒子翻转敏感性进行评估,获得器件质子单粒子翻转敏感参数,为卫星抗辐射加固设计提供依据,对保证新一代卫星的可靠性有重要意义。(56)对比文件贺朝会 等.高能质子单粒子翻转效应的模拟计算《.计算物理》.2002,第19卷(第4期),Art Campbell 等.SEU Measurements andPredictions on MPTB for a Large EnergeticSolar Particle Event《.2001 IEEE》.2001,

    一种用于DC/DC电源变换器单粒子效应通用检测的辐照实验板及其安装方法

    公开(公告)号:CN103353565B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201310285827.7

    申请日:2013-07-09

    Inventor: 李鹏伟 罗磊 祝名

    Abstract: 一种用于DC/DC电源变换器单粒子效应通用检测的辐照实验板,该辐照实验板包括电连接器、导线、可调节引线端子、可固定散热板、可移动的固定夹具构成,其特征在于:所述可移动的固定夹具将被测试DC/DC电源变换器加持在所述可固定散热板上,所述可调节引线端子安装在所述DC/DC电源变换器的封装的引出管腿上,所述电连接器通过所述导线连接所述可调节引线端子。

    一种测试部分三模冗余FPGA的单粒子翻转特性的方法

    公开(公告)号:CN102901924B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201210355797.8

    申请日:2012-09-21

    Abstract: 本发明提供一种部分三模冗余SRAM型FPGA的单粒子翻转特性的测试方法,包括:在设定的注量率下辐照被测器,当器件输出特性不正确且停止粒子束辐照T1时间内器件功能未恢复正常,则记录1次单粒子错误,多次重复后计算单粒子错误截面;使粒子注量率不断降低,直到单粒子错误截面趋于稳定;提供另一不进行三模冗余加固的对比器件,在对比注量率下,辐照对比器件并计算单粒子错误截面算对比器件的单粒子错误截面与被测器件的单粒子错误截面的比值。

    一种用高能质子进行空间位移损伤效应评估试验的方法

    公开(公告)号:CN104297585A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201410483982.4

    申请日:2014-09-22

    Abstract: 本发明涉及一种用高能质子进行空间位移损伤效应评估试验的方法,步骤如下:步骤1,航天器内部辐射环境计算,采用空间环境效应计算软件,输入地球轨道航天器的轨道参数值,空间辐射环境模型,航天器屏蔽厚度,计算航天器内部质子微分能谱;步骤2,选择质子,计算出的轨道中航天器内部质子微分谱,由于质子随能量不是均匀分布的,存在质子注量峰值,选择注量峰值对应的能量质子作为评估试验用质子;步骤3,试验用质子注量,计算试验用质子注量;步骤4,辐照试验,用计算确定的能量的质子,辐照器件到规定的注量。辐照后,按产品规范要求进行电测试。

    一种基于复合敏感体积模型的器件在轨单粒子翻转率预示方法

    公开(公告)号:CN103729503A

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201310713022.8

    申请日:2013-12-23

    Abstract: 本发明提供了一种基于复合敏感体积模型的器件在轨翻转率预计方法。该方法利用粒子输运仿真手段,获取实际飞行轨道上器件经受的电荷沉积情况;结合器件逻辑单元的单粒子效应仿真模拟手段,获取器件逻辑单元的敏感参数,建立复合敏感体积模型,描述入射粒子沉积电荷被收集情况;在获得逻辑单元样本粒子翻转情况后,采用加权统计方法,最终获得器件在轨翻转率预计结果。提高了宇航用元器件,尤其是高集成度、小特征尺寸的深亚微米器件的在轨翻转率预计准确性。

    大规模集成电路加速器单粒子试验中粒子注量率选择方法

    公开(公告)号:CN103323715A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310247474.1

    申请日:2013-06-20

    Abstract: 大规模集成电路加速器单粒子试验中粒子注量率选择方法,具体为:判断所述大规模集成电路内部是否采DICE设计,若采用了DICE设计,则按ASTMF1192标准规定,对所述大规模集成电路采用高注量率辐照;否则通过大规模集成电路所使用的程序判断所述大规模集成电路是否采用TMR,若采用了TMR,则对所述大规模集成电路采用低注量率辐照,否则通过大规模集成电路所使用的程序判断所述大规模集成电路是否采用EDAC,若采用了EDAC,则对所述大规模集成电路采用低注量率辐照,否则对所述大规模集成电路采用高注量率辐照。本发明比以往只用高注量率辐照,提高了辐照评估准确度。

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