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公开(公告)号：CN103031607A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210535628.2
申请日：2012-12-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及红外非线性光学晶体AB4C5Se12 及其制备方法，属于无机非线性光学材料领域。采用高温固相一步合成法合成。合成红外非线性光学晶体AB4C5Se12，其中A = K, Rb, Cs；B = Mn，Cd；C = Ga，In；属于三方晶系，空间群为R3。其中化合物RbCd4In5Se12在2.05μm激光激发下, 其粉末倍频强度为AgGaS2的40倍。
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公开(公告)号：CN103014859A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210421347.4
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开Ba3P3O10Cl 单晶及其制备方法。该晶体分子式为Ba3P3O10Cl，其晶胞参数为a=14.277(17)Å，b=5.5968(4)Å, c=14.1592(4)Å, V=1131.41(19)Å3, Z=4。此化合物表现出良好的非线性光学性能，为相匹配化合物并且二阶倍频效应强度为KDP的0.6倍，同时其短波吸收边都能达到约180nm，可能具有潜在的非线性光学应用价值。同时此化合物还表现出优异的热稳定性，经过综合热分析测试结果为此化合物为一致熔融化合物。
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公开(公告)号：CN102912433A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210421506.0
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公布Ba3P3O10Br单晶及其制备方法。该材料分子式为Ba3P3O10Br，属于正交晶系，P212121空间群，其晶胞参数为a = 7.1722(18) Å, b = 11.364(3) Å, c = 13.998(4) Å, V = 1140.9(5) Å3, Z = 4。此化合物表现出良好的非线性光学性能，为相匹配化合物并且二阶倍频效应强度为KDP的 0.5倍，同时其短波吸收边都能达到200 nm以下，可能具有潜在的非线性光学应用价值。同时此化合物还表现出优异的热稳定性，经过综合热分析测试结果为此化合物为一致熔融化合物。
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公开(公告)号：CN102403445A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110242610.9
申请日：2011-08-20
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种碲化铋基热电材料Bi38-x(InSb)xTe62及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用一步合成法进行合成。合成条件：在780℃反应2至3天，然后缓慢降温至530℃即获得。本发明中，化合物Bi38-x(InSb)xTe62的特征在于铋碲中碲的名义成分为62%，并在铋位掺杂了少量的In和Sb，其中0.6≤x≤0.8。本发明的优点是：制备方法简单——传统简单的固熔和掺杂方法，直接得到具有高致密度的块体材料，且本发明得到的热电材料Bi38-δ(InSb)δTe62的ZT值在323K时可达到1.108。
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公开(公告)号：CN102191556A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010116364.8
申请日：2010-03-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型Zintl相热电化合物及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用一步合成法进行合成。合成条件：在530℃下反应6天。本发明中，化合物Rb16Cd25.39(3)Sb36的结构特征是含有沿着c轴方向的无限十二面体笼链，每四个相邻的笼链围成一个10元环的通道，而碱金属Rb填充在十二面体中心及通道中。本发明获得的缺电子Zintl相材料，具有化学纯度高，均匀性好，组分可控的优点。本发明制备的含无限笼链的缺电子Zintl相Rb16Cd25.39(3)Sb36，成功拓展了含Sb笼状化合物实验及理论研究范围。本发明中，未经掺杂的化合物Rb16Cd25.39(3)Sb36在466K的ZT值达到0.04，与方钴矿化合物相当，这表明通过结构修饰及掺杂，该化合物极有可能实现更大的热电优值，具有潜在的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102191554A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010116381.1
申请日：2010-03-02
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一类红外非线性光学晶体Ln4GaSbS9，属于无机非线性光学材料领域。本发明采用无机固相一步合成法合成。合成条件为：在950℃下反应5天。其分子式为Ln4GaSbS9，Ln为Pr，Nd，Sm，Gd，Tb，Dy，Ho中的一种，属于正交晶系，空间群为Aba2。Sm4GaSbS9具有优良的非线性光学性能，其粉末SHG系数为KTP的2倍。
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公开(公告)号：CN101928038A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200910112067.3
申请日：2009-06-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种钛酸钡空心纳米球的制备方法。该方法采用改进型直接沉淀法，包括制备钛盐和一定比例的正丁醇/乙醇的混合物与钡离子水溶液作为反应物料，加入适宜浓度的碱液促进晶化，低温加热反应即可得到分散性良好的钛酸钡空心纳米球粉体。制备的产品为纯的立方晶相，具有空心纳米球形貌，且颗粒的尺寸和形貌均一。
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公开(公告)号：CN103107278B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201210541111.4
申请日：2012-12-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种Pb掺杂In4Se3基热电材料In4‑xPbxSe3(x=0.01,0.02,0.04‑0.06)的制备方法及用途。采用高温固相两步法合成Pb掺杂In4Se3的粉体，将得到的粉体进行放电等离子烧结即可得到目标的块体材料。Pb掺杂的In4Se3基热电材料的热电优值最大达到0.8,比未掺杂提高40%，接近于目前商业化热电材料体系的热电优值，因此可用于热‑电转换器件制作。
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公开(公告)号：CN105552202B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510894693.8
申请日：2015-12-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种晶体材料、其制备方法及含有该晶体材料的热电材料及其制备方法。该晶体材料分子通式为TmCu3(1‑x)Te3，x代表Cu的空位含量，0＜x≤0.1。该晶体材料为纯相结构，具有较高的稳定性。采用该晶体材料热压制备的热电材料性能优异，热导率为0.86W/m·K，电导可达571S/cm，塞贝克系数可达108V/K。可通过调节TmCu3(1‑x)Te3体系中Cu空位改变载流子浓度，从而优化其热电优值ZT，使ZT在850K时大于0.45，甚至可达0.65，比未优化的性能提高了44.4％，可与目前被广泛研究甚至商业化的高温热电材料相媲美。
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公开(公告)号：CN103258949B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201310174940.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及Ag1‑xCuSe(x=0.01‑0.03)热电材料及其制备和用途。采用高温固相法合成Ag1‑xCuSe的熔融体，将得到熔融体研磨成粉体进行热压烧结可得到目标块体材料。Ag空位Ag1‑xCuSe热电材料的热电优值ZT最高达到1.4，在高温区间其ZT值约为0.6，且随温度基本不变化，该材料可用于高效热‑电转换器件制作。
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