公开(公告)号：CN1308500C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN02104314.0

申请日：2002-02-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  吴喜泉 ,  谢剑凌 ,  李敢生

IPC: C30B15/10

Abstract: 一种晶体生长的坩埚安置法，涉及晶体生长中一种坩埚对中、面平、不易下陷的快速安置方法，涉及热电偶的固定。采用倒扣的装锅方法，包括：模板制作，倒扣坩埚，放置热电偶，填充保温材料氧化锆粉末，翻转模极，清洁处理等步骤。此法是晶体生长的坩埚一种对中、面平、不易下陷的快速安置法，并可保持热电偶的固定。

公开(公告)号：CN1441090A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN02104314.0

申请日：2002-02-25

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴少凡 ,  吴喜泉 ,  谢剑凌 ,  李敢生

IPC: C30B15/10

Abstract: 一种晶体生长的坩埚安置法，涉及晶体生长中一种坩埚对中、面平、不易下陷的快速安置方法，涉及热电偶的固定。采用倒扣的装锅方法，包括：模板制作，倒扣坩埚，放置热电偶，填充保温材料氧化锆粉末，翻转模板，清洁处理等步骤。此法是晶体生长的坩埚一种对中、面平、不易下陷的快速安置法，并可保持热电偶的固定。

公开(公告)号：CN1279305A

公开(公告)日：2001-01-10

申请号：CN99108146.3

申请日：1999-06-29

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 吴喜泉 ,  李敢生

IPC: C30B29/12

Abstract: 本发明涉及一种合成氟化铝锶锂(LiSAF)原料的简易方法。将LiF,SrF2,AlF33.5H2O作为初始原料与NH4F或NH4HF2混合后烧结。NH4F或NH4HF2经加热分解产生HF气体与OH离子发生反应,达到驱除OH离子杂质的目的。反应产生的尾气由周围的生石灰吸收。该方法成本低,设备和操作简单,比较安全,尤其适合大批量生产。

公开(公告)号：CN1058433A

公开(公告)日：1992-02-05

申请号：CN90104945.X

申请日：1990-07-26

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 庄健 ,  李敢生 ,  高宪成 ,  郭喜彬 ,  黄亦好 ,  施真珠 ,  翁雅英 ,  吕坚

IPC: C30B29/32 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明涉及一种晶体光折变器件及其制造方法。该器件所用的光折变晶体是Ba1-XSrXTiO3单晶，其中0.01≤X≤0.1。该器件具有良好的光折变性能，用来作为自泵浦位相共轭器件时，其反射率达40％以上。该器件的制造方法包括：用熔体提拉法生长Ba1-XSrXTiO3单晶，在氧化性气氛下退火；加工成具有抛光表面的长方体晶块；用机械加压和升温加直流电场联合的办法使晶体单畴化。它可以是经上述方法加工的一块晶体，也可以是一个包含有至少一块这种晶体的光电子学系统。本发明所使用的Ba1-XSrXTiO3晶体具有生长周期短，工艺简单，成品率高，易于得到尺寸较大的晶块以及四方——正交相变点较低等优点。