公开(公告)号：CN1025634C

公开(公告)日：1994-08-10

申请号：CN90104945.X

申请日：1990-07-26

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 庄健 ,  李敢生 ,  高宪成 ,  郭喜彬 ,  黄亦好 ,  施真珠 ,  翁雅英 ,  吕坚

IPC: C30B29/32 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明涉及一种晶体光折变器件及其制造方法。该器件所用的光折变晶体是Ba1-xSrxTiO3单晶，其中0.01≤X≤0.1。该器件具有良好的光折变性能，用来作为自泵浦位相共轭器件时，其反射率达40%以上。该器件的制造方法包括：用熔体提拉法生长Ba1-xSrxTiO3单晶；在氧化性气氛下退火；加工成具有抛光表面的长方体晶块；用机械加压和升温加直流电场联合的办法使晶体单畴化。它可以是经上述方法加工的一块晶体，也可以是一个包含有至少一块这种晶体的光电子学系统。本发明所使用的Ba1-xSrxTiO3晶体具有生长周期短，工艺简单，成品率高，易于得到尺寸较大的晶块以及四方--正交相变点较低等优点。

公开(公告)号：CN1058433A

公开(公告)日：1992-02-05

申请号：CN90104945.X

申请日：1990-07-26

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 庄健 ,  李敢生 ,  高宪成 ,  郭喜彬 ,  黄亦好 ,  施真珠 ,  翁雅英 ,  吕坚

IPC: C30B29/32 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  G02F1/39

Abstract: 本发明涉及一种晶体光折变器件及其制造方法。该器件所用的光折变晶体是Ba1-XSrXTiO3单晶，其中0.01≤X≤0.1。该器件具有良好的光折变性能，用来作为自泵浦位相共轭器件时，其反射率达40％以上。该器件的制造方法包括：用熔体提拉法生长Ba1-XSrXTiO3单晶，在氧化性气氛下退火；加工成具有抛光表面的长方体晶块；用机械加压和升温加直流电场联合的办法使晶体单畴化。它可以是经上述方法加工的一块晶体，也可以是一个包含有至少一块这种晶体的光电子学系统。本发明所使用的Ba1-XSrXTiO3晶体具有生长周期短，工艺简单，成品率高，易于得到尺寸较大的晶块以及四方——正交相变点较低等优点。