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公开(公告)号:CN112812021B
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202011580741.3
申请日:2020-12-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07C211/17 , C07C209/00 , H01G11/30 , H01G11/86 , G02F1/361 , G02F1/35
Abstract: 本发明涉及一种有机分子基反铁电体材料、制备方法及其应用,所述的有机分子基反铁电体材料的化学式为C7H16NBr,室温时为正交晶系Pbca空间群,晶胞参数为a=8.1818(2),b=7.9363(3),Z=8,当温度升至354K时,所述的有机分子基反铁电体材料转变为铁电相,当温度升至高于364K时,所述的有机分子基反铁电体材料转变为顺电相。本发明的有机分子基反铁电体材料合成方法简单、成本低廉、反应条件温和、稳定性较高,是饱和极化强度较大的有机分子反铁电体化合物。
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公开(公告)号:CN106893576B
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201710080910.9
申请日:2017-02-15
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C09K9/02 , C07D213/38 , H01L31/02
Abstract: 本发明涉及一种无机‑有机杂化的热致变色化合物,其特征在于:所述的化合物的化学式为C32H10N4SbBr5。本发明是一种热致变色有机‑无机杂化半导体材料,该化合物合成方法简单、成本低廉、反应条件温和、热学稳定较高。升温过程中,该材料在25℃到227℃,吸收截止边从570nm提高到800nm。该材料有很好的光电性能,且在改变颜色的情况下,其光电性能发生巨大的变化。可以稳定运用于250摄氏度以下。
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公开(公告)号:CN104389022B
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201410589302.7
申请日:2014-10-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体2‑[(E)‑2‑(3‑甲氧苯基‑4‑羟基)乙烯基]‑1‑甲基喹啉4‑氯苯磺酸盐的制备、同质异晶及其作为倍频材料和非线性吸收材料的应用,属于功能材料领域;其分子式为C25H22NO5SCl,单斜晶系,具有两种不同的构型:晶型I结晶在P21/n中心对称空间群,晶型II属于Pc非中心对称空间群;材料具有良好的三阶非线性光学性能,表现为明显的饱和吸收效应;构型II晶体的倍频强度约为0.6倍DAST晶体(DAST为4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶4‑甲基苯磺酸盐),作为光学倍频器件的候选材料具有潜在实施价值。
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公开(公告)号:CN106495121A
公开(公告)日:2017-03-15
申请号:CN201610895740.5
申请日:2016-10-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C01B25/45 , C01P2002/72 , C30B9/12 , C30B29/14
Abstract: 本发明涉及一种CsLiCdP2O7化合物、CsLiCdP2O7非线性光学晶体及其制法和用途。本发明的晶体透明无包裹体,具有生长速度较快、成本低等优点;所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点;该晶体可用于制作非线性光学器件;本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中,例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
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公开(公告)号:CN102560678B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201110350938.2
申请日:2011-11-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/54
Abstract: 本发明涉及一种抑制4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)晶体生长过程中出现杂晶的方法,属于晶体生长领域。在生长DAST晶体的过程中,向生长溶液内添加比表面积为200~1000 m2/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。活性炭颗粒的加入可以拓宽DAST晶体生长溶液的亚稳相区间,减少微晶的聚集趋势,提高生长溶液的稳定性。本发明所采用的方法比较简单,便于操作,可以有效抑制或延缓DAST晶体生长溶液中出现杂晶,起到调节晶体生长速率、改善晶体生长习性的作用;而且能够在生长过程中降低晶体内部的缺陷,容易获得具有高光学质量的DAST晶体。
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公开(公告)号:CN104389023A
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201410693625.0
申请日:2014-11-26
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/54 , C30B7/06 , G02F1/3551 , G02F1/3612
Abstract: 本申请公开了一种非线性光学晶体材料4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶2-氨基-5-甲基苯磺酸盐及其制备和应用,属于功能材料领域,其分子式为C23H27N3O3S,三斜晶系,P1空间群,其晶胞参数为a=7.2651(6),b=8.983(2),c=10.1090(15),α=97.82(8)°,β=110.42(5)°,γ=112.30(6)°,V=543.92(54)3,Z=4。该晶体的非线性倍频系数约为DAST的0.83倍。更重要的是,该晶体材料在水中结晶后不会出现结晶水,具有良好的抗潮解的性能,克服了DAST晶体的易潮解的缺点,作为太赫兹辐射源晶体材料具有潜在的使用价值。
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公开(公告)号:CN103060918A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201110325516.X
申请日:2011-10-21
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及2-氨基-3-硝基吡啶溴化盐非线性光学晶体属于光学和人工晶体领域。其化学式为C5H6N3O2Br,属于正交晶系,空间群为为C21mc,单胞参数为:a=6.758(10)b=13.1495(2)c=9.2686(14)V=824(2)2-氨基-3-硝基吡啶溴化盐晶体为黄色,采用溶液挥发法生长。紫外-可见透过光谱研究表明其紫外截止波长在440nm,非线性粉末倍频效应为KDP的6倍,具备相位匹配能力,该晶体可应用于非线性光学领域,丰富非线性光学材料研究内容。
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公开(公告)号:CN106554326B
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201610896334.0
申请日:2016-10-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C07D295/027 , C07D295/023 , G01J1/42
Abstract: 本发明涉及一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途。该材料的化学式为(C6H12NH2)2BiBr5,属于单斜晶系P21/n空间群。该晶体材料的吸收截止边长在430nm附近,在本征吸收光的激发下该晶体表现出良好的光电导性能,可以用于制作光电导探测器,在光电探测、集成光电功能器件等方面有着潜在的应用价值;本发明的合成制备方法实用性较强,路线简单,易于操作,无需复杂的生产设备,制造成本低,适用于批量生产。
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公开(公告)号:CN106542505B
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201610905163.3
申请日:2016-10-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及Bi3TeO6OH(NO3)2化合物、Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体及其制法和用途。所获得的Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体不吸潮,具有较宽的光学透过范围、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定等优点;该Bi3TeO6OH(NO3)2非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件;本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中,例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。
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公开(公告)号:CN103014868B
公开(公告)日:2017-07-14
申请号:CN201210533567.6
申请日:2012-12-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供非线性光学晶体亚碲钼酸镉及其制备方法和用途,涉及非线性光学材料领域。非线性光学晶体亚碲钼酸镉,其特征在于分子式为CdTeMoO6,属四方晶系,空间群,晶胞参数为a=b=5.2860(7)Å,c=9.0660(18)Å,V=253.32(7)Å3,Z=2;该晶体化学性质稳定不潮解,为同成分熔融,可采用熔体法生长;该晶体可用于制作非线性光学器件,其倍频转换效率约为2×KTP(KTiOPO4),其透过范围为345nm―5.4μm。
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