非线性光学晶体2‑[(E)‑2‑(3‑甲氧苯基‑4‑羟基)乙烯基]‑1‑甲基喹啉4‑氯苯磺酸盐

    公开(公告)号:CN104389022B

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201410589302.7

    申请日:2014-10-28

    Abstract: 本发明涉及非线性光学晶体2‑[(E)‑2‑(3‑甲氧苯基‑4‑羟基)乙烯基]‑1‑甲基喹啉4‑氯苯磺酸盐的制备、同质异晶及其作为倍频材料和非线性吸收材料的应用,属于功能材料领域;其分子式为C25H22NO5SCl,单斜晶系,具有两种不同的构型:晶型I结晶在P21/n中心对称空间群,晶型II属于Pc非中心对称空间群;材料具有良好的三阶非线性光学性能,表现为明显的饱和吸收效应;构型II晶体的倍频强度约为0.6倍DAST晶体(DAST为4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶4‑甲基苯磺酸盐),作为光学倍频器件的候选材料具有潜在实施价值。

    一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法

    公开(公告)号:CN102560678B

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201110350938.2

    申请日:2011-11-08

    Abstract: 本发明涉及一种抑制4‑(4‑二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)晶体生长过程中出现杂晶的方法,属于晶体生长领域。在生长DAST晶体的过程中,向生长溶液内添加比表面积为200~1000 m2/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。活性炭颗粒的加入可以拓宽DAST晶体生长溶液的亚稳相区间,减少微晶的聚集趋势,提高生长溶液的稳定性。本发明所采用的方法比较简单,便于操作,可以有效抑制或延缓DAST晶体生长溶液中出现杂晶,起到调节晶体生长速率、改善晶体生长习性的作用;而且能够在生长过程中降低晶体内部的缺陷,容易获得具有高光学质量的DAST晶体。

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