公开(公告)号：CN112214953B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202011125626.7

申请日：2020-10-20

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郑齐文 ,  崔江维 ,  李小龙 ,  魏莹 ,  余学峰 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/36

Abstract: 本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。

公开(公告)号：CN112214953A

公开(公告)日：2021-01-12

申请号：CN202011125626.7

申请日：2020-10-20

Applicant: 中国科学院新疆理化技术研究所

Inventor： 郑齐文 ,  崔江维 ,  李小龙 ,  魏莹 ,  余学峰 ,  李豫东 ,  郭旗

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/36

Abstract: 本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应的精确仿真。