公开(公告)号：CN100495216C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610127868.3

申请日：2006-09-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘果果 ,  和致经 ,  魏珂 ,  刘新宇 ,  郑英奎

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01J37/304

Abstract: 本发明公开了一种电子束对准标记的制作方法，采用Ti/Pt金属结构作为对准标记的金属结构，对衬底材料采用光刻方法进行光刻，在衬底材料最顶层的铝镓氮外延层形成电子束对准标记。本发明同时公开了一种利用电子束对准标记制作有效栅线条方法，A、对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成电子束对准标记，并蒸发标记金属Ti/Pt；B、对衬底材料采用光刻方法进行光刻，形成源漏图形，并蒸发源漏金属；C、退火合金，形成良好的欧姆接触；D、有源区离子注入隔离；E、电子束光刻，完成栅线条曝光；F、蒸发栅金属，形成有效栅线条。利用本发明，有效解决了高温退火后对准标记金属形貌发生变化而导致电子束曝光机无法准确辨认对准标记的问题。

公开(公告)号：CN101276837A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200710064863.5

申请日：2007-03-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘果果 ,  刘新宇 ,  郑英奎

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及半导体材料中微波功率器件技术领域，公开了一种凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件，同时公开了一种制作凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件的方法，该方法基于常规的AlGaN/GaNHEMT器件制作工艺，在形成源极和漏极的欧姆接触后，光刻栅图形，对栅图形部分的AlGaN外延层进行刻蚀，蒸发栅金属后，先制作栅连接场板，再制作源连接场板，形成凹栅槽的AlGaN/GaN HEMT多层场板器件。利用本发明，有效地提高了AlGaN/GaN HEMT器件的击穿特性、跨导和阈值电压，并在提高器件增益的同时，有效抑制了AlGaN/GaN HEMT器件的电流崩塌现象。

公开(公告)号：CN114792081B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202110109527.8

申请日：2021-01-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  西安电子科技大学

Inventor： 陈晓娟 ,  刘新宇 ,  丁武昌 ,  张昇 ,  李艳奎 ,  刘果果 ,  袁婷婷 ,  郑英奎 ,  魏珂 ,  金智

IPC: G06F30/373

Abstract: 本发明涉及一种适用于划片后分立器件的提参建模方法，包括：将左侧焊盘、划片后的待测器件和右侧焊盘通过金丝键合方式连接成GSG在片测试结构；测量得到由左、右侧焊盘引起的左、右两侧补偿网络的容性补偿参数；基于左、右侧焊盘分别与待测器件之间的直通距离分别确定由金丝键合的金丝线引起的左、右两侧补偿网络的感性补偿参数；根据左、右两侧补偿网络的感性补偿参数和容性补偿参数确定左、右两侧补偿网络的S参数；将左、右两侧补偿网络的S参数分别添加至矢量网络分析仪的测试校准补偿数据的输入和输出端，以去除GSG在片测试结构布线影响。本发明可以快速有效的获得精确的大信号模型，规避了器件工艺的片间不均匀所带来的模型变动。

公开(公告)号：CN112636697B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202011357413.7

申请日：2020-11-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 闫伟 ,  罗卫军 ,  夏志颖 ,  刘果果 ,  袁婷婷 ,  魏珂 ,  金智 ,  刘新宇

IPC: H03F1/07

Abstract: 本发明涉及一种具有深回退区间的Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器的回退区间较窄造成的工作效率较差的问题。该Doherty功率放大器中第一功分器的第一输出端连接载波功率放大电路的输入端，第一功分器的第二输出端连接第一峰值功率放大电路的输入端；第二功分器的输入端连接第一峰值功率放大电路的输出端，第二功分器的第一输出端同时连接载波功率放大电路的输出端和后匹配网络的输入端，第二功分器的第二输出端连接第二峰值功率放大电路的输入端，第二峰值功率放大电路的输出端连接后匹配网络的输入端。实现了输入功率信号的放大，具有较深的回退区间。

公开(公告)号：CN114914785A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110178363.4

申请日：2021-02-09

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 陈江 ,  郑旭强 ,  刘果果 ,  刘新宇

IPC: H01S5/042

Abstract: 本发明提供了一种驱动EML型激光器的输出级电路，本发明采用具有厚栅氧的MOS管形成共栅差分对，同时采用具有薄栅氧的MOS管形成共源差分对，进而利用厚栅氧MOS管的耐高压和薄栅氧MOS管的寄生电容小的优势，在可以采用Si基CMOS工艺制备输出级电路的同时，能够使得输出级电路能够实现输出电压摆幅大、输入寄生电容小的效果。偏置电路能够参考尾电流源MOS管的漏极信号动态调整第一MOS管和第二MOS管的栅极的电压，使得输出级电路可以在一个较宽的输入共模范围下工作。可控调节电路能够根据第一栅极电压偏置信号调节第一MOS管和第二MOS管的源极处信号，最终使得输出级电路提供的偏置电流具有精度高且可调的效果。

公开(公告)号：CN102456611B

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201010520274.5

申请日：2010-10-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏珂 ,  刘新宇 ,  黄俊 ,  刘果果 ,  罗卫军

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积多层金属薄膜，多层金属薄膜中的各层对底层材料具有不同的刻蚀方向选择比；刻蚀去除底层材料背孔位置沉积的多层金属薄膜；以底层材料上剩余的多层金属薄膜为掩膜对底层材料进行刻蚀，利用多层金属薄膜对底层材料的不同刻蚀方向选择比来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得了倾斜的刻蚀剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。

公开(公告)号：CN103606516A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310632276.7

申请日：2013-11-29

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  杭州士兰微电子股份有限公司

Inventor： 黄森 ,  刘新宇 ,  王鑫华 ,  魏珂 ,  刘果果 ,  章晋汉 ,  郑英奎 ,  陈向东 ,  张昊翔 ,  封飞飞 ,  万远涛

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/454

Abstract: 本发明公开了一种GaN基高电子迁移率晶体管的低温无金欧姆接触的制作方法，包括：在GaN基高电子迁移率晶体管外延片上涂覆光刻胶，并光刻形成欧姆接触图形；利用低损伤刻蚀技术从欧姆接触图形的开孔区域刻蚀减薄GaN基HEMT的势垒层；对刻蚀区域进行湿法表面处理，并在处理后的外延片上沉积多层无金欧姆金属；剥离GaN基高电子迁移率晶体管外延片表面的光刻胶及该光刻胶之上沉积的多层无金欧姆金属；以及退火形成低温无金欧姆接触。利用本发明，降低了GaN基HEMT的工艺温度，解决了GaN基HEMT与Si-CMOS工艺兼容的技术瓶颈，有助于降低GaN基HEMT的制造成本，加快GaN基功率电子器件的产业化进程。

公开(公告)号：CN102456610B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010520271.1

申请日：2010-10-20

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 魏珂 ,  黄俊 ,  刘果果 ,  刘新宇

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种控制背孔剖面形状的方法。该方法包括：在底层材料上沉积金属薄膜；刻蚀去除底层材料上背孔位置沉积的金属薄膜；以底层材料上剩余的金属薄膜为掩膜对底层材料进行等离子刻蚀，通过逐步降低等离子刻蚀过程中制冷介质的流量来实现对背孔剖面形状的控制。利用本发明公开的方法，可以获得倾斜的背孔剖面，便于背孔内壁起镀层金属的完整覆盖，从而实现了背孔内镀层金的完整填充。

公开(公告)号：CN102237288B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201010162263.4

申请日：2010-04-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 彭铭曾 ,  郑英奎 ,  刘果果 ,  刘新宇

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法，该方法包括：在氮化镓基场效应晶体管的栅极和源极或者漏极之间加载电压；电容-电压测量仪的内置电源提供Vgs或者Vgd端口电压的自动扫描，获得Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；对氮化镓基场效应晶体管器件采用表面钝化处理，然后再次测量器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线；比较表面钝化处理前后器件Cgs～Vgs和Cgd～Vgd之间的关系曲线，当Vgs或Vgd低于器件阈值电压为沟道关态电容，当Vgs或Vgd高于器件阈值电压为沟道开态电容，从沟道关态电容和沟道开态电容的相对变化量来衡量表面钝化处理的效果好坏。利用本发明，解决了器件表面态导致器件产生严重的电流崩塌以及器件漏电大的问题。

公开(公告)号：CN102569054A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210046607.4

申请日：2012-02-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘果果 ,  魏珂 ,  黄俊 ,  刘新宇

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种T型栅的制备方法，属于微电子元器件技术领域。该方法包括在器件衬底外延层表面形成电子束光刻胶层，使电子束光刻胶层形成细栅线条，一体形成栅金属层，形成光学光刻胶层，光刻出栅帽，腐蚀栅金属层，将残留的电子束光刻胶和光学光刻胶剥离七个步骤，从而在外延层上形成T型栅。该方法不仅能够有效降低T型栅的尺寸、提高T型栅制作的效率，还能提高T型栅的成品率以及一致性。