-
公开(公告)号：CN110420827B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910742112.7
申请日：2019-08-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明实施例公开了一种超声换能器阵列探头，包括：超声换能阵列结构、外壳和第一声学材料；外壳内设置有由至少三个超声换能阵列结构组成的棱柱；外壳与超声换能阵列结构之间的间隙空间填充有第一声学材料。本发明实施例通过由至少三个超声阵列结构组成的棱柱状超声换能器阵列探头代替环状超声换能器阵列探头，降低了超声换能器阵列探头的制作难度。并且由于超声换能器阵列探头可兼容目前广泛使用的集成电路封装工艺，因此，可在现有的、成熟的以及规模化的封装工艺条件下，实现专用集成电路和超声换能阵列结构的集成和高精度互联，进而也极大提高了超声换能器阵列探头的生产效率。
-
公开(公告)号：CN109192749B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810767230.9
申请日：2018-07-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/20 , H01L41/25 , H01L41/29 , H01L41/332 , A61B8/00
Abstract: 本发明提供一种超声波换能器阵列，其包括用于发射和接收超声波信号的接收发射层、设置在接收发射层的第一侧上的正极层以及设置在接收发射层的与第一侧相对的第二侧上的负极层。接收发射层和正极层被分割成多个超声波换能器阵元，使得多个超声波换能器阵元中的每一个均具有自身的正极，并且多个超声波换能器阵元具有公共的负极。本发明还提供制作以及封装超声波换能器阵列的方法。本发明提供的超声波换能器阵列可以在同一时间内检测到更大的组织面积，获得更完整的病灶信息，缩减诊断时间，并可以进行三维图像成像，从而获得更加直观的图像信息。
-
公开(公告)号：CN110420827A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910742112.7
申请日：2019-08-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B06B1/06
Abstract: 本发明实施例公开了一种超声换能器阵列探头，包括：超声换能阵列结构、外壳和第一声学材料；外壳内设置有由至少三个超声换能阵列结构组成的棱柱；外壳与超声换能阵列结构之间的间隙空间填充有第一声学材料。本发明实施例通过由至少三个超声阵列结构组成的棱柱状超声换能器阵列探头代替环状超声换能器阵列探头，降低了超声换能器阵列探头的制作难度。并且由于超声换能器阵列探头可兼容目前广泛使用的集成电路封装工艺，因此，可在现有的、成熟的以及规模化的封装工艺条件下，实现专用集成电路和超声换能阵列结构的集成和高精度互联，进而也极大提高了超声换能器阵列探头的生产效率。
-
公开(公告)号：CN104900611B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201510312334.7
申请日：2015-06-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性基板的三维封装散热结构及其制备方法，该三维封装散热结构具有一石墨烯散热片，该石墨烯散热片直接接触于封装体内各芯片的表面，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道。本发明是在基于柔性基板的三维封装过程中，在封装体内埋入超薄且柔韧性较好的石墨烯散热片，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道，利用石墨烯面内超高导热性能，使热量能迅速沿着石墨烯散热片进行面传递，进而使封装体内部芯片产生的热量能够迅速传递出去，提高了封装体内部芯片的散热效率，大大优化了散热效果，增加了器件的使用寿命。
-
公开(公告)号：CN102693837A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201110070503.2
申请日：2011-03-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法。所述电容包括衬底，阻挡层，粘附层，下部电极，铁电薄膜和上部电极，铁电薄膜为包括至少一个周期性结构单元的叠层结构，周期性结构单元为BaTiO3、SrTiO3和BaxSr1-xTiO3三种铁电材料层的排列组合。本发明采用BaTiO3、SrTiO3和BaxSr1-xTiO3三种材料的周期叠层结构制备的铁电薄膜电容，在兼备较高介电常数、较低介电损耗的同时，显著降低了铁电薄膜的退火温度，从而提高了铁电薄膜的制备工艺与微电子工艺的兼容性。这种周期叠层铁电薄膜结构电容及其制备方法将在半导体器件、系统级封装无源器件集成技术等领域具有潜在的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102254898A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110185743.7
申请日：2011-07-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/538 , H01L23/552 , H01L21/48
CPC classification number: H05K9/0024 , H01L23/3128 , H01L23/4985 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06537 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及一种基于柔性基板封装的屏蔽结构及其制作工艺。所述屏蔽结构包括柔性基板，所述柔性基板包覆在元器件上，所述柔性基板和元器件之间填充有灌封胶，所述柔性基板包覆有至少一层屏蔽层，所述屏蔽层接地或者接电源，所述带有屏蔽层的柔性基板外表面设有多个封装引脚，所述封装引脚和柔性基板之间电连接，所述柔性基板通过封装引脚和印制电路板之间进行互连。本发明提供的基于柔性基板封装的屏蔽结构，所使用的制造工艺基本成熟且封装重量轻，能够有效提高小型化封装系统的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN102117768A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910244525.9
申请日：2009-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作具有多电极超低电感的多槽PN结电容器的方法，通过一系列理论的论证和假设，将原来半导体PN结电容器加以改进，使改进后的电容具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺简单等特点，特别是可实现串联电感大大降低，这样可使电容工作在更高的频率内。该电容可广泛用于高频高速功率电子系统中的退耦，滤波，匹配，静电和电涌防护等功能。
-
公开(公告)号：CN101923194A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200910087342.0
申请日：2009-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及甚短距离光互连技术及电子封装领域，公开了一种多路并行光电模块装配结构。具体地说，是将多路并行光电模块中的光电转换器件和驱动(接收)芯片分别装配在两块载片上，然后将两块载片互相垂直进行装配和电连接，从而使得光电器件的出光(受光)面垂直于驱动(接收)芯片所在的基板平面，以达到降低该光电模块的高度，满足电子系统高密度小体积要求。该结构既可以用于制备独立的光电收发模块，也可以进一步与平面光波导耦合，实现光路无需转折的板内光互连。
-
公开(公告)号：CN101814531A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910077360.0
申请日：2009-02-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/92 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体PN结结电容构成的电容器及其制作方法。该电容器以一块半导体作为基材，其电容是半导体PN结的结电容，具体包括：在一块高掺杂低阻的P型或N型半导体基材上采用扩散法或离子注入法在特定区域内形成的PN结；在形成PN结的半导体的N型区域和P型区域上采用热蒸发法、电子束蒸发法或溅射法制作的一金属膜层；在该金属膜层上采用电镀方法或丝网印刷方法制作的电极凸点；根据实际需要，引出电极可以在半导体基材的两面，或者只在刻蚀区面。本发明制作的电容器，具有结构简单，电容密度大，寄生参数小，制作工艺过程简单等优点，该电容还具有对静电和电涌的防护功能，可广泛用于高频高速高功率电子系统中。
-
公开(公告)号：CN101382622B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710121368.3
申请日：2007-09-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及光通信技术中光电器件阵列的光耦合封装技术领域，公开了一种光电器件阵列与光纤阵列的无源耦合方法，包括：对基片一面进行深刻蚀形成穿透整个基片的微通孔阵列；将光电器件阵列倒扣安装在基片另一面，且光电器件阵列中的每个管芯的有源区与微通孔阵列中对应的每个微通孔中心轴线垂直对准；将光纤阵列插入微通孔阵列并固定。本发明同时公开了一种制备光纤阵列的装置及方法。本发明提供的无源耦合方法具有定位精确、耦合效率高、实现工艺简单的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.031 seconds)
