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公开(公告)号：CN113097861B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110344373.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种量子级联激光器芯片及制备方法。该量子级联激光器芯片包括：衬底；双沟脊结构，双沟脊结构设置于衬底上；第一电极，第一电极设置于双沟脊结构的目标表面上；两个半绝缘填充层，两个半绝缘填充层分别设置于双沟脊结构的两个侧面开设的凹槽中，形成针对半绝缘填充层的半绝缘掩埋结构；两个辅助脊结构，每个辅助脊结构设置于衬底上，两个辅助脊结构分别设置于双沟脊结构的相对两侧；以及两个第二电极，两个第二电极分别设置于两个辅助脊结构上，第一电极的目标表面与第二电极的目标表面之间的高度差小于或等于第一距离阈值。该量子级联激光器芯片能在提高响应速率的同时改善散热。
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公开(公告)号：CN113097861A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110344373.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种量子级联激光器芯片及制备方法。该量子级联激光器芯片包括：衬底；双沟脊结构，双沟脊结构设置于衬底上；第一电极，第一电极设置于双沟脊结构的目标表面上；两个半绝缘填充层，两个半绝缘填充层分别设置于双沟脊结构的两个侧面开设的凹槽中，形成针对半绝缘填充层的半绝缘掩埋结构；两个辅助脊结构，每个辅助脊结构设置于衬底上，两个辅助脊结构分别设置于双沟脊结构的相对两侧；以及两个第二电极，两个第二电极分别设置于两个辅助脊结构上，第一电极的目标表面与第二电极的目标表面之间的高度差小于或等于第一距离阈值。该量子级联激光器芯片能在提高响应速率的同时改善散热。
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公开(公告)号：CN104882788A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510329218.6
申请日：2015-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，包括如下步骤：步骤1：在一量子级联激光器外延片上制备掩模层；步骤2：采用光刻的方法在掩模层制备图形，开出窗口；步骤3：使用非选择性腐蚀液，腐蚀腐蚀掉窗口内量子级联激光器外延片的盖层，暴露出有源层；步骤4：使用选择性腐蚀液，腐蚀掉暴露出的有源层，暴露出衬底；步骤5：再使用非选择性腐蚀液，腐蚀窗口的侧壁及衬底的表面，获得平滑的脊型波导侧壁，完成制备。本发明明显增大了脊表面宽度与有源区宽度的比值，减小了光学模式与表面等离激元之间的损耗，改善了器件的散热，从而提高了器件性能。同时此技术显著降低了工艺中套刻电注入窗口的难度且并没有增加工艺成本。
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公开(公告)号：CN102732955B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210211614.5
申请日：2012-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B23/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，包括：一支撑板(11)；四个金属针状样品夹(12)；一辅助样品夹金属板(13)；二个辅助样品夹金属板固定螺丝(14)；四个金属针状样品夹固定螺丝(15)；以及四个金属针状样品夹圆弧形滑槽(16)。本发明提供的用于电子束蒸发的半导体外延片夹具，简单易行，对样品大小及形状没有限制、传热性能好、样品无遮挡。
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公开(公告)号：CN102735157A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210211816.X
申请日：2012-06-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01B7/26
Abstract: 本发明公开了一种量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及方法，该装置包括：一支撑板(1)；一欧姆表(2)；两条连接导线(3)，该两条连接导线(3)分别连接在欧姆表(2)的两个接口；四个固定孔(4)，该四个固定孔(4)开在在支撑板(1)上，并排成一行；两个固定支架(5)，该两个固定支架通过四个固定孔(4)固定在支撑板(1)上；两个探针(6)，该两个探针(6)通过尾部的螺旋孔分别固定在两个固定铜支架(5)上。本发明提供的这种量子级联激光器脊形腐蚀辅助检测装置及其方法，具有制作简单，成本低，灵敏度高的优点，能够有效保证具有不同掺杂平面的半导体多层结构腐蚀程度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026287A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200610003179.1
申请日：2006-02-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种GaAs基单模面发射量子级联激光器结构，包括：一衬底，及在衬底上依次生长的背欧姆接触电极、下覆盖层、下波导层、有源层、上波导层、上覆盖层、隔离层，该隔离层淀积在上覆盖层上及下波导层的两侧的上面和有源层、上波导层、上覆盖层的侧面，该隔离层的中间纵向开有一电流注入窗口；一上欧姆接触电极，该上欧姆接触电极淀积在隔离层上并覆盖电流注入窗口除去中间宽W的裸露光栅区；一表面二级分布反馈光栅，该二级分布反馈光栅制作在上覆盖层上，深度接近上覆盖层；一电极引线，该电极引线制作在表面二级分布反馈光栅两侧台阶上的上欧姆接触电极上。
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公开(公告)号：CN108631149B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810369450.6
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
Abstract: 一种太赫兹量子级联激光器双面金属键合的方法，该方法包括外延片和高掺衬底片晶向对准工艺，低温金属键合工艺、半绝缘衬底腐蚀工艺等，最终成功将生长在半绝缘衬底片上的外延结构层转移到另一个高掺杂的衬底片上。本发明的方法可以保证两个键合片之间的晶向一致性，防止激光器在解理过程中由晶向各异性带来的机械损伤；并且可以防止由于腐蚀液选择性不够带来的腐蚀不均匀及过腐蚀的问题，保证腐蚀的均匀性及完整性。本发明的方法符合标准半导体工艺流程，操作简便高效，适于工业化量产。
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公开(公告)号：CN104882788B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201510329218.6
申请日：2015-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法，包括如下步骤：步骤1：在一量子级联激光器外延片上制备掩模层；步骤2：采用光刻的方法在掩模层制备图形，开出窗口；步骤3：使用非选择性腐蚀液，腐蚀腐蚀掉窗口内量子级联激光器外延片的盖层，暴露出有源层；步骤4：使用选择性腐蚀液，腐蚀掉暴露出的有源层，暴露出衬底；步骤5：再使用非选择性腐蚀液，腐蚀窗口的侧壁及衬底的表面，获得平滑的脊型波导侧壁，完成制备。本发明明显增大了脊表面宽度与有源区宽度的比值，减小了光学模式与表面等离激元之间的损耗，改善了器件的散热，从而提高了器件性能。同时此技术显著降低了工艺中套刻电注入窗口的难度且并没有增加工艺成本。
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公开(公告)号：CN113241383B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110487994.4
申请日：2021-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09
Abstract: 一种微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法，双色量子级联红外探测器包括：半导体衬底；多个第一微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第二微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第一微腔凸台通过第一连接线连接；多个第二微腔凸台通过第二连接线连接；第一微腔凸台、第二微腔凸台、第一连接线和第二连接线均包括由下至上依次设置的下金属层、下接触层、有源层、上接触层及上金属层；下电极，定义半导体衬底上除第一连接线、第二连接线、多个第一微腔凸台和多个第二微腔凸台以外下金属层区域为下电极；第一上电极，形成于下金属层上，通过第一连接线与第一微腔凸台连接；第二上电极，形成于下金属层上，通过第二连接线与第二微腔凸台连接。
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公开(公告)号：CN113381289B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110650811.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/0225 , H01S5/02315 , H01S5/02326 , H01S5/06 , H01S5/065 , H01S5/20 , H01S5/00 , G02B5/00
Abstract: 本公开提供了一种光反馈结构及其封装方法，包括太赫兹量子级联激光器和高阻硅超球镜，所述高阻硅超球镜的入射平面的中心位于所述太赫兹量子级联激光器的前端面内，所述高阻硅超球镜的入射平面用于收集所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，所述高阻硅超球镜的出射球面用于反馈及汇聚所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，增加所述太赫兹量子级联激光器的第二激光模式的激射强度，以通过调控所述太赫兹量子级联激光器的第一激光模式和第二激光模式的强度比。本公开还提供了一种封装方法，能够实现太赫兹小尺寸平顶高斯光束的高效输出。
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