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公开(公告)号：CN102064261B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010534772.5
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构，包括：一导电衬底；一p型GaN层，该p型GaN层制作在导电衬底上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在p型GaN层上；一n型GaN层，该n型GaN层制作在多量子阱有源层上；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的中间；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分，并围绕N电极；一栅电极，制作在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN102064261A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010534772.5
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种栅极调制垂直结构GaN基发光二极管结构，包括：一导电衬底；一p型GaN层，该p型GaN层制作在导电衬底上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在p型GaN层上；一n型GaN层，该n型GaN层制作在多量子阱有源层上；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的中间；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在n型GaN层上没有N电极的部分，并围绕N电极；一栅电极，制作在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN102983234A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210513689.9
申请日：2012-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法，包括：步选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底，及在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、n型GaN层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上制备金属层；在金属层上转移一衬底；将外延结构中的蓝宝石衬底从非故意掺杂氮化镓层分离；腐蚀，将非故意掺杂氮化镓层向下腐蚀，腐蚀深度到达金属层，形成分离金字塔型阵列；在金字塔型阵列的侧面涂覆绝缘材料；用等离子体处理涂覆绝缘材料，使金字塔型阵列上端的非故意掺杂氮化镓层暴露出来；在涂覆绝缘材料和非故意掺杂氮化镓层的上面沉积一层透明导电薄膜；在透明导电薄膜上通过光刻方法沉积图形金属电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN102208502B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110152869.4
申请日：2011-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层；步骤2：在外延层上沉积SiO2层；步骤3：运用光刻技术，通过匀胶，前烘，曝光，坚膜，在SiO2层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积；步骤4：腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层，露出外延层；步骤5：剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶；步骤6：在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上，蒸镀ITO层；步骤7：在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边，蒸发接触金属电极，完成二极管隐形电极的制作。
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公开(公告)号：CN102751408A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210217242.7
申请日：2012-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的发光二极管，包括：一衬底；一载流子注入层，其制作在衬底上；一发光层，其制作在载流子注入层上面的一侧，宽度小于载流子注入层的宽度，使载流子注入层形成一台面；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一下金属电极，其制作于载流子注入层的台面上；一上金属电极，其制作于石墨烯薄膜上。本发明是通过使用石墨烯薄膜作为载流子注入层的方法，提高空穴注入，减小电子注入层厚度，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102751407A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210217051.0
申请日：2012-06-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种应用石墨烯薄膜作为载流子注入层的垂直结构发光二极管，包括：一衬底；一下金属电极，其制作于衬底上；一载流子注入层，其形成于金属电极上；一发光层，其制作在载流子注入层上；一石墨烯薄膜，其制作在发光层上；一上金属电极，其制作于石墨烯薄膜上。本发明是通过使用石墨烯薄膜作为新型载流子注入层的方法，提高空穴注入，减小电子注入层厚度，降低成本。
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公开(公告)号：CN101937951B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010251509.5
申请日：2010-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层；步骤2：在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底；步骤3：减薄转移衬底，然后抛光；步骤4：用激光刻划方法在转移衬底的表面上刻划图形，作为光刻对准标记；步骤5：在作好光刻对准标记的转移衬底上采用光刻方法，通过前烘，匀胶，曝光，显影，坚膜，在转移衬底上面的中间形成光刻胶图形，该光刻胶图形的面积小于转移衬底的面积；步骤6：选择腐蚀液腐蚀掉未被光刻胶图形覆盖的转移衬底，使转移衬底四周形成台面；步骤7：剥离光刻胶，清洗吹干，完成转移衬底的腐蚀。
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公开(公告)号：CN102208502A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110152869.4
申请日：2011-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层；步骤2：在外延层上沉积SiO2层；步骤3：运用光刻技术，通过匀胶，前烘，曝光，坚膜，在SiO2层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积；步骤4：腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层，露出外延层；步骤5：剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶；步骤6：在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上，蒸镀ITO层；步骤7：在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边，蒸发接触金属电极，完成二极管隐形电极的制作。
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公开(公告)号：CN102064260A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010534622.4
申请日：2010-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种栅极调制正装结构GaN基发光二极管结构，包括：一蓝宝石衬底；一n型GaN层，该n型GaN层制作在蓝宝石衬底上，该n型GaN层上面的一侧形成有一台面，该台面的深度小于n型GaN层的厚度；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在n型GaN层上面没有台面的另一侧上；一p型GaN层，该p型GaN层制作在多量子阱有源层上；一P电极，该p电极制作在p型GaN层上面远离台面的一侧；一N电极，该N电极制作在n型GaN层上面的台面上；一栅极绝缘层，该栅极绝缘层制作在p型GaN层上面没有P电极的另一侧；一栅电极，该电极制作在栅极绝缘层上。
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公开(公告)号：CN102956774B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210436128.3
申请日：2012-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；沉积金属层；腐蚀掉SiO2层和金属层；在p型GaN层向下腐蚀，形成纳米级GaN柱阵列；在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；在芯片的表面蒸镀透明导电层；在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；划片裂片封装，完成制备。
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