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公开(公告)号：CN102376812A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110191846.4
申请日：2011-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01Q1/44
Abstract: 本发明公开一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器，具有探测灵敏度高，响应速度快，室温工作，结构紧凑可大规模集成的优点，可以对太赫兹信号进行实时探测成像。该探测器基于窄禁带半导体的热载流子吸收效应，选用适当组成的碲镉汞材料，设计合理可行的天线耦合结构，进行光刻、腐蚀、溅射工艺制作，使用前置放大电路进行信号读出，从而实现对太赫兹信号的探测。本发明器件所用材料制备工艺成熟，可实现线列或阵列探测。
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公开(公告)号：CN106374323B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201611055844.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
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公开(公告)号：CN110672211A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910856628.4
申请日：2019-09-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米金修饰的非制冷红外探测器及制作方法。通过在氮化硅微桥衬底上依次制备镍铬薄膜底电极，纳米金修饰的锰钴镍氧薄膜，单层石墨烯薄膜顶电极，实现多波段响应的非制冷红外探测。该红外探测器响应波段为0.3-2μm，3-5μm和8-14μm。其中0.3-2μm响应来自锰钴镍材料的吸收，3-5μm的响应来自于3-5μm减反谐振腔及纳米金颗粒吸收，而8-14μm波段吸收来自NiCr下电极。顶底电极结构可使锰钴镍氧探测器相比传统器件电阻减小3个数量级，器件噪声比较传统平面型器件降低1-2个数量级，易于集成。
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公开(公告)号：CN110132426A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910411823.6
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明公开了一种基于反铁磁自旋轨道扭矩的太赫兹探测器,该探测器利用铁磁材料与微波自旋共振实现自旋从铁磁层到反铁磁层的注入，通过自旋-轨道扭矩使反铁磁材料奈尔矢量自激振荡。当反铁磁材料接收外界太赫兹辐射时，震荡频率通过锁相机制产生恒定磁化强度，通过测量反铁磁材料层的磁化强度实现太赫兹信号探测。该发明利用自旋-轨道扭矩实现太赫兹探测，是一种自旋太赫兹探测器，具有响应快、易制备、宽波段调谐、可室温工作等优点。
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公开(公告)号：CN107192454B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710565864.1
申请日：2017-07-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01J3/28 , G01J3/18 , G01J3/02 , G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 本发明公开了一种基于立体相位光栅和孔径分割技术的THz光谱成像仪，所述THz光谱成像仪由前置镜、前置视场光阑、前置准直镜、立体相位光栅、后置会聚镜、后置视场光阑、后置准直镜、子孔径成像镜、探测器、探测器控制处理系统和控制采集处理计算机组成。所述探测器以孔径分割方式同时获取目标场景被立体相位光栅N个元胞所衍射的N个零级衍射光的光强信息，依据立体相位光栅的N个元胞所对应的N个光程差，获得N组光程差与光强的对应关系数据，通过傅里叶变换，实时获取目标的THz谱和像，适用于THz光谱检测、分析等相关领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784126A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710038641.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/115
CPC classification number: H01L31/115
Abstract: 本发明公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半导体材料，通过理论分析，设计合理的器件尺寸，通过前放电路对光电信号进行放大读出，实现高速光信号到电信号转换及探测。具有可室温工作，远小于半导体禁带下产生较强光电导，灵敏度高，响应迅速，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点。
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公开(公告)号：CN106374323A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611055844.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
CPC classification number: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实现太赫兹波的室温高速实时探测。该系统，解决目前太赫兹差频源低温探测局限，具有测量速度快，室温探测，体积小，结构紧凑，信噪比高等优点，便于进行实时脉冲信号探测。
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公开(公告)号：CN102354897B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110252744.9
申请日：2011-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开一种外部二次级联差频太赫兹光源发生装置及实现方法，它首先利用1064nm主泵浦激光与其自倍频532nm激光泵浦的双波长谐振腔产生的两路近简并点双波长激光分别进行差频，产生两路高功率的8-18μm范围内的中红外激光，然后将这两路中红外激光进行差频来产生高功率的太赫兹波，通过二次级联差频的方式提高了转换效率，并设计合理可行的光学结构，利用计算机进行精准控制，从而实现一种具有功率高，单色性好，调谐范围宽，结构紧凑，可全固态集成的太赫兹光源。
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公开(公告)号：CN102590095A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210019045.4
申请日：2012-01-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种二维摆镜扫描的太赫兹被动式成像系统，该系统具体利用二维摆镜逐行逐点扫描实现对成像样品的太赫兹波段成像，其扫描速度、成像时间、系统成像最佳物距可调。该成像系统不仅具有成像空间分辨率高，信噪比大，温度分辨率高等特点，同时与基于主动方式的透射和反射太赫兹成像系统相比较，还具有结构简单紧凑，无需自带本地太赫兹振荡源，无需面阵探测器而只需单元探测器等优点。
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公开(公告)号：CN106654837B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201611055856.4
申请日：2016-11-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种种子光注入高功率太赫兹差频源系统，该系统包括1064nm脉冲激光器、光学参量振荡器、种子太赫兹激光器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、太赫兹合束镜、硒化镓晶体和太赫兹透镜。该发明基于种子光注入放大原理，首先利用两束高功率近红外泵浦光源(1064nm激光器和光学参量振荡器)在硒化镓晶体中实现常规太赫兹波差频辐射，然后在此光路中注入种子太赫兹实现高功率、极窄线宽的太赫兹辐射。本发明具有结构简单，工作可靠，便于操作，相干性好，室温工作，并且能够增强辐射功率、极窄线宽、宽带、可调谐等优点。
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