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公开(公告)号:CN204230260U
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201420462905.6
申请日:2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本实用新型公开了一种势垒级联量子阱红外探测器,它由一化合物半导体材料衬底,在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层,并以此为一个周期,重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本专利采用了级联隧穿结构,在低温状态下,在红外光的辐照下,它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号,从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。