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公开(公告)号：CN1215342C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03116787.X
申请日：2003-05-08
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种薄膜气体传感器，包括：二片相同材料的衬底，其中一片衬底的一表面有一凹槽，带有凹槽的表面镀有无序型膜系。另一片衬底的二表面为平面，其任一平面镀有无序型膜系，在二无序型膜系之间的二侧边缘粘有特种微米小球粘胶，使其固接成一体，中间为样品室。凹槽内外的高度差分别对应二个不同的带通峰位，将其中的一个带通峰位设计至待检气体的特征吸收峰，另一个带通峰位设计在特征吸收峰附近的非吸收区作为参考峰位，利用气体吸收引起的透射峰强度的相对变化来实现气体含量的检测。本发明的薄膜气体传感器的最大优点是可以针对任何一种已知特征吸收峰的气体进行设计，使得响应具有唯一性，同时该传感器还具有灵敏度高、响应快、选择性好、重复性好、寿命长等优点，大大弥补了传统气体传感器各种性能不能兼顾的缺点。
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公开(公告)号：CN1442886A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03116408.0
申请日：2003-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海尼赛拉电子元件有限公司
IPC: H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料在离子注入形成P－N结过程中对材料产生损伤的修复方法。该方法只需在常规的碲镉汞材料离子注入形成P－N结的工艺后再用较小剂量、较低束流密度的离子再次注入该区。再注入的离子可以起到非平衡动态后处理的作用，使注入离子形成的P－N结性能有较明显改善，从而提高了光伏型红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN1289892C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310109247.9
申请日：2003-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法，该方法采用常规的透射光谱测量，将测量数据与双层近似模型拟合，获取多量子阱红外探测材料中上电极层和多量子阱区实际的厚度参数，从而为后续的器件制备工艺提供必要的实际材料结构参数；同时还可获得多量子阱区中势垒层中A1组分参数。该方法也可为材料生长过程的参数修正提供参考依据。
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公开(公告)号：CN1225802C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03129508.8
申请日：2003-06-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，其特征在于本发明提出的离子注入方法区别于传统的离子注入技术中注入离子最终停留区域的选择。传统的离子注入技术应用中为了尽可能地减小因离子注入导致的缺陷增殖数量，通常将注入离子的最终停留区域选择在衬底上，避免体现发光功能材料区域的缺陷增殖数量的急剧上升。本发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。
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公开(公告)号：CN1225318C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03115643.6
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B05D1/30 , H01L31/0256 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种溶胶-凝胶制备氧化钒薄膜材料的方法，其特征在于它用乙酰丙酮氧钒替代了五价钒的醇氧盐(VO(Opr)3)，使制备好的溶胶稳定性好，可以长期存放，多次使用。另外此溶胶毒性相对较小，有利于操作人员的健康。用该溶胶可以方便地制备出性质均一、具有高度择优取向性的氧化钒薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1187267C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN03150864.2
申请日：2003-09-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化锌材料的制备方法，该方法为表面修饰前驱体法，即在碳酸氢氨和氯化锌组成的前驱体中加入微量的阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠(C12H25NaO4S)修饰，可以得到疏松的线状前驱体，然后再对线状前驱体煅烧，便可得到分散性好、而且线性分布均匀的纳米氧化锌材料，比现有的其它制备纳米氧化锌材料的方法都简单、易操作而且价廉，适合于工业化生产。
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公开(公告)号：CN1546944A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109247.9
申请日：2003-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法，该方法采用常规的透射光谱测量，将测量数据与双层近似模型拟合，获取多量子阱红外探测材料中上电极层和多量子阱区实际的厚度参数，从而为后续的器件制备工艺提供必要的实际材料结构参数；同时还可获得多量子阱区中势垒层中Al组分参数。该方法也可为材料生长过程的参数修正提供参考依据。
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公开(公告)号：CN1540370A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200310108346.5
申请日：2003-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种滤光片式分光元件，它是通过设计一系列透射峰位连续的超窄带通滤光片，并将其集成在一起形成滤光片式的分光元件。它包括：二片衬底，二片衬底的一表面各镀有完全相同的无序型膜系，在二无序型膜系之间的四周边缘粘有高分子聚合物材料制成的微米小球胶，使其真空密封固定成一体，中间形成一真空层。其中一片衬底的无序型膜系是镀在深浅渐变的凹槽列阵上的。本发明的分光元件结构简单、体积小，分出的光束单色性好。如果加上入射狭缝和出射狭缝就可以构成一个完整的单色仪，非常有利于与其它系统的组合，构成各种光谱测量系统。
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公开(公告)号：CN1471177A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03129508.8
申请日：2003-06-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，其特征在于本发明提出的离子注入方法区别于传统的离子注入技术中注入离子最终停留区域的选择。传统的离子注入技术应用中为了尽可能地减小因离子注入导致的缺陷增殖数量，通常将注入离子的最终停留区域选择在衬底上，避免体现发光功能材料区域的缺陷增殖数量的急剧上升。本发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。
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公开(公告)号：CN1436606A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN03115643.6
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B05D1/30 , H01L31/0256 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种溶胶－凝胶制备氧化钒薄膜材料的方法，其特征在于它用乙酰丙酮氧钒替代了五价钒的醇氧盐(VO(Opr)3)，使制备好的溶胶稳定性好，可以长期存放，多次使用。另外此溶胶毒性相对较小，有利于操作人员的健康。用该溶胶可以方便地制备出性质均一、具有高度择优取向性的氧化钒薄膜。
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