-
公开(公告)号：CN101777424B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010101878.6
申请日：2010-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明一种PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的光刻制备方法，其特征在于步骤如下：在衬底上利用热蒸发设备低温沉积金属底电极后在底电极上溅射生长二氧化硅或氮化硅介电绝缘层；光刻腐蚀二氧化硅或氮化硅介电绝缘层，形成PVDF有机聚合物薄膜功能区开孔；制备PVDF有机聚合物薄膜；在PVDF有机聚合物薄膜上低温沉积金属上电极；光刻腐蚀金属上电极；氧等离子体刻蚀去除非功能区PVDF有机聚合物薄膜及残余光刻胶；在金属上电极上热蒸发低温沉积包裹电极；光刻腐蚀去除多余包裹电极，完成PVDF有机聚合物薄膜电容器器件的制备。本发明光刻制备方法提高了器件的稳定性和可靠性，使小面元、线列、面阵器件的制备及集成工艺成为可能。
-
公开(公告)号：CN101471180A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710173510.9
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种三元铁电聚合物薄膜材料的制备方法，该方法包括：溶剂为二甲基亚砜，溶质为三元聚合物P(VDF－TrFE－CFE)前驱体溶液的配制；在LB设备上采用水平提拉法生长薄膜及薄膜的热处理。最后得到纳米尺度上可控、排列高度有序、结晶度高的聚合物薄膜，本发明制备的薄膜材料为研究薄膜的弛豫铁电性起源提供了平台。同时，所生长的P(VDF－TrFE－CFE)三元铁电聚合物薄膜具有研制实用能量存储器件所需的性能。
-
公开(公告)号：CN100479214C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710045149.1
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有自极化效应的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，该方法是采用化学溶液沉积法：溶液由醋酸铅、醋酸镁、乙醇铌、正丁醇钛、乙二醇甲醚和乙酰丙酮组成，配制成0.1-0.3M的前驱体溶液；采用旋转镀膜方式得到凝胶膜，然后在快速退火中分段进行热处理，形成薄膜材料；重复该过程，直至得到理想厚度的薄膜材料。本发明的优点是：整个工艺过程操作简便、成本较低、可制备大面积均匀薄膜。采用本发明方法在LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si基片上得到的薄膜，经测量不施加偏场时的热释电系数可达1.6×10-8Ccm-2K-1。
-
公开(公告)号：CN100365160C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510029084.2
申请日：2005-08-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种低电阻率金属氧化物镍酸镧薄膜的制备方法，该方法是通过采用磁控溅射的方法沉积镍酸镧薄膜，然后对镍酸镧薄膜进行高压氧热处理得到低电阻率的导电金属氧化物镍酸镧薄膜。该方法的优点是得到的薄膜电阻率极低，有利于器件的铁电性能充分发挥，并可降低器件的工作电压。制备方法简单，生长的薄膜材料性能稳定、重复性好、成本低。薄膜材料的整个生长和后处理温度都低于硅读出电路的最高容忍温度450℃，因此用本发明方法制备的LNO薄膜材料作为铁电微器件的底电极可以和硅读出电路集成。
-
公开(公告)号：CN1327085A
公开(公告)日：2001-12-19
申请号：CN01112710.4
申请日：2001-04-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法,该方法包括先驱体溶液的配制,即将溶剂醋酸、去离子水、乙酰丙酮和溶质醋酸镧、醋酸锶和醋酸钴以0.2－0.4M的浓度在一定的温度下混合和将配制好的先驱体溶液用匀胶机甩开得到干膜,然后在快速热退火炉中分段升温进行热处理,得到所需厚度的LSCO薄膜材料。该薄膜性能优良,电阻率值为0.95mΩ·cm,晶粒尺寸为50～100nm,表面粗糙度为2.7nm,用该薄膜做铁电存储器的电极经标准铁电测量系统测试,3×109次翻转后不显示疲劳。表明此薄膜材料适合做铁电存储器的电极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1267654A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN00115348.X
申请日：2000-04-06
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C04B35/624 , C04B35/491
Abstract: 本发明提供了一种锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法,前驱体溶液由硝酸锆、钛酸四丁酯、醋酸铅、醋酸、去离子水和氨基酸组成。凝胶膜由匀胶机将滴到基片上的前驱体溶液甩胶形成,然后在快速退火炉中分段升温进行热处理,重复上述过程,直至得到所需厚度的薄膜材料。该薄膜材料具有良好的铁电特性,在5V偏压下的剩余极化可达10μC/cm2,适用于做动态随机存储器或非挥发性存储器。
-
公开(公告)号：CN107749433B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710760252.8
申请日：2017-08-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二维范德华异质结构光电探测器及其制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离技术制备金属电极，最终形成范德华异质结构光电探测器。区别于其他二维材料光电探测器，该结构制备工艺简单，成本低，无须栅压调控，在小偏压下实现探测，功耗极低，且可拓展探测器响应波段、提高灵敏度和实现快速响应。
-
公开(公告)号：CN105762281A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610236535.8
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/428 , H01L51/0003 , H01L51/004
Abstract: 本发明公开了一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、二维半导体，金属源漏电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合剥离工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，然后在该结构上制备铁电薄膜，随后在铁电薄膜上制备半透明或透明电极，形成二维半导体探测器结构。器件首先需要通过极化铁电材料，使得二维半导体沟道背景载流子完全耗尽，源极和漏极间施加一微小电压，通过测量光照下的电流信号变化，进而实现光电探测。该探测器具有高灵敏、快速响应、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。
-
公开(公告)号：CN104409626A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410546469.5
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法。其特征在于，将PVDF基有机铁电聚合物溶入二甲基亚砜溶液中，通过朗缪尔-布罗基特方法，逐层交替地将不同的PVDF基有机铁电聚合物转移至衬底上，经过退火处理，去除界面残留溶剂及保证薄膜具有良好结晶特性，形成一种PVDF基有机聚合物复合结构。本发明制备PVDF基高压电系数薄膜结构，方法及工艺简单，可精确控制单层薄膜厚度，为研究PVDF基有机铁电聚合物复合结构的压电性能提供了保证。实验发现，PVDF基有机铁电聚合物复合结构的压电系数得到显著提高。
-
公开(公告)号：CN103848997A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020895.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法。将PVDF基有机铁电聚合物溶入二甲基亚砜溶液中，通过朗缪尔-布罗基特方法，交替厚度可调节地将不同的PVDF基有机铁电聚合物转移至衬底上，经过退火处理，去除界面残留溶剂及保证超晶格具有良好结晶特性，形成一种PVDF有机聚合物超晶格结构。本发明制备PVDF基有机铁电聚合物超晶格，方法及工艺简单，可精确控制单层薄膜厚度，为研究PVDF基有机铁电聚合物超晶格结构的奇特相变、电学及光学特性以及相关器件提供了保证。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.025 seconds)
