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公开(公告)号：CN113625254A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110907629.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01S7/486 , G01S7/4912
Abstract: 本发明涉及一种微小型激光雷达接收装置，包括球形基体，所述球形基体的表面设有微纳光电探测阵列，所述微纳光电探测阵列由若干均匀排列的微纳光电探测单元组成。本发明的激光雷达接收装置能够检测光的方向和距离，且运算复杂程度低，同时具有小尺寸、轻量化、易于集成、跨尺度测量的优势。
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公开(公告)号：CN113514920A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110406788.6
申请日：2021-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明涉及一种星型耦合器，包括输入波导端、FPR区域和输出波导端，所述输出波导端包括多个输出波导，所述输入波导端与FPR区域的一端相连，所述FPR区域的另一端分别与所述多个输出波导相连，所述FPR区域为以所述输入波导端与所述FPR区域的耦合点为中心，以FPR区域长度为半径构成的扇形区域，所述FPR区域设置有若干规则形状单元格，根据预设成像算法和预设目标函数调整所述规则形状单元格的状态，使所述输出波导的功率均匀分布；本发明还涉及一种星型耦合器的功率均匀分配方法，能够有效克服星型耦合器的输出功率分配不均匀的问题，并且计算量小且复杂度低。
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公开(公告)号：CN113325514A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110582047.3
申请日：2021-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光功率分束器的锥形波导区设计方法，包括：将锥形波导区的初始二维几何形状数字化为若干个几何参数点；根据光功率分束器不同的光功率分配比，以多个预设波长点的传输效率作为目标优化函数，对所述若干个几何参数点进行多次迭代来优化锥形波导区的初始二维几何形状；根据光功率分束器不同的光功率分配比和多个预设波长点的传输效率，确定所述锥形波导区的最终二维几何形状；本发明还涉及一种光功率分束器；本发明采用伴随形状优化法多次迭代来优化锥形波导区的初始二维几何形状，并通过样条插值法定义锥形波导区的几何形状，避免生成需要小特征尺寸的尖锐角结构。
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公开(公告)号：CN112817086A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110014134.9
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于TM0模式光的马赫曾德尔干涉仪及其制备方法，结构包括：输入波导、第一模式转换器、连接臂、第二模式转换器及输出波导，其中，第二模式转化器与第一模式转换器的结构相同，具有双层锥形结构。本发明实现无论输入端输入TM0模式的入射光还是TE1模式的输入光，连接臂包括直波导段，其输出端均可以输出TM0模式和TE1模式的出射光；可以有效解决现有技术存在的马赫曾德尔干涉仪对温度较为敏感、结构复杂、尺寸大等问题：可以实现与CMOS工艺兼容，便于批量化生产。
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公开(公告)号：CN111600195A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010383180.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体和光电集成技术领域，特别是涉及一种硅基单片集成激光器及其制备方法，包括：衬底层、埋氧化层、硅波导器件、上覆层和三维波导器件；所述埋氧化层上设有图形化的限向结构；所述限向结构内设有激光器结构；所述硅波导器件设置在所述埋氧化层上；所述埋氧化层、所述激光器结构和所述硅波导器件远离所述衬底层的表面形成第一表面，所述上覆层设置在所述第一表面上；所述三维波导器件设置在所述上覆层上。通过在激光器结构有源区上方引入三维波导结构，实现激光器结构有源区和硅波导之间高质量的光学连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112462469B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202011479959.X
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明涉及一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪，包括输入Y分支波导和输出Y分支波导，所述输入Y分支波导和输出Y分支波导的结构相同，所述输入Y分支波导的第一输出端通过第一直波导与输出Y分支波导的第一输入端相连；所述输入Y分支波导的第二输出端与第一弯曲波导的一端相连，所述输出Y分支波导的第二输入端与第二弯曲波导的一端相连，所述第一弯曲波导的另一端与所述第二弯曲波导的另一端通过所述第二直波导相连；所述第一弯曲波导与第二弯曲波导结构相同，并沿着第二直波导的中线对称。本发明能够使得波导长度在10μm到40μm变化时具有稳定的传输效率。
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公开(公告)号：CN118584589A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410660454.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种任意功分比的光耦合装置及其制备方法，装置包括：前端过渡区，包括两条前端过渡波导；光耦合区，包括两条耦合波导，所述耦合波导的第一端与对应的所述前端过渡波导连接，其中一条所述耦合波导的宽度沿其第一端向第二端逐渐变宽，另一条所述耦合波导的宽度沿其第一端向第二端逐渐变窄；后端过渡区，包括两条后端过渡波导，所述后端过渡波导的第一端与对应的所述耦合波导的第二端连接；由所述前端过渡波导射入的光束经所述耦合波导耦合后通过所述后端过渡波导分光输出，两路输出的功分比通过调节两条所述耦合波导的第二端的宽度之间的差值来调节。本发明的光耦合器具有任意功分比，且兼具超大带宽，低损耗，小尺寸的特点。
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公开(公告)号：CN112240754B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202011284798.9
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及一种微小空间三维形貌测量装置，包括光源组件和至少两组探测组件，所述探测组件包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，所述电位测量计与处理器相连；所述光源组件通过激光对被测样品表面进行逐行扫描，被测样品反射的激光照射到所述探测组件上时，硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制，所述处理器根据与硅导线相连的电位测量计输出的连续信号计算出被测样品表面反光点的位置信息。本发明具有体积小、精度高、非接触等优点。
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公开(公告)号：CN118409444A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410606575.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅基非易失片上模式选择器，包括：解复用器、复用器、第一模式选择通过型耦合器和第二模式选择通过型耦合器；第一模式选择通过型耦合器的第一输入端与解复用器的第一输出端相连，第一模式选择通过型耦合器的第一输出端与复用器的第一输入端相连；第二模式选择通过型耦合器的第一输入端与解复用器的第二输出端相连，第二模式选择通过型耦合器的第一输出端与复用器的第二输入端相连；第一模式选择通过型耦合器和第二模式选择通过型耦合器均采用控制相变材料在晶态和非晶态之间的转换来实现对输入光信号的选择性通过的控制。本发明能够实现高效的模式选择。
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公开(公告)号：CN118377161A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410408723.9
申请日：2024-04-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种不等比例L型U型三维掺杂硅基耗尽型电光调制器及其制备方法，所述电光调制器在光传播方向上设有单个周期波导，所述波导中央设置有脊波导，所述脊波导在光传播方向上设有第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)；所述第一轻掺杂区(1)的L型PN结与第二轻掺杂区(2)的U型PN结在第一轻掺杂区(1)和第二轻掺杂区(2)的交界面形成一个三维PN结。本发明通过构造L型PN结‑U型PN结的不等比例三维掺杂结构，实现了高效调制的硅基耗尽型调制器；这种调制器在低压下具有高带宽的优势，可实现低功耗大规模数据传输，具有良好的市场应用前景。
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