-
公开(公告)号：CN114371551A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011096018.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微纳加工技术领域，特别涉及一种微镜结构及其制备方法。衬底晶圆包括相对的第一表面和第二表面，所述驱动电极层设置在所述第一表面；所述衬底晶圆和所述驱动电极层上设有通孔；所述第一绝缘层设置在所述驱动电极层的表面和所述通孔的内壁上；所述支撑梁的第一端穿过所述通孔与所述固定层连接，所述支撑梁与所述通孔之间存在第一预设间隙；所述固定层设置在所述第二表面；所述驱动电极层中设有第一驱动电极、第二驱动电极和屏蔽电极；所述微镜设置在所述支撑梁的第二端上，所述微镜与所述第一绝缘层之间存在第二预设间隙。本申请实施例所述的微镜结构可以在减小单元尺寸的同时保证微镜的面内横向位移可与入射光波长相比拟。
-
公开(公告)号：CN111721456B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010152321.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种复合触觉传感器，其包括力传感器，用于检测目标物体的压力值；摩擦发电机，该摩擦发电机与该力传感器连接，该摩擦发电机用于检测该目标物体与该摩擦发电机的接触滑移；支撑层，该支撑层上设有该力传感器和该摩擦发电机，该支撑层用于承载集成该力传感器和该摩擦发电机。本发明提供的复合触觉传感器具有能耗低的特点。
-
公开(公告)号：CN111722707A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010337982.9
申请日：2020-04-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F3/01
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，本发明公开了一种背接触触觉传感器的制作方法及背接触触觉传感器，该传感器的制作方法包括以下步骤：通过将圆片级未释放传感芯片正面的第一导电件和圆片级待键合封装基板正面的第二导电件键合；利用封装基板的力学支撑作用，对上述封装后待释放触觉传感器进行释放，能够实现超薄传感芯片的转移，在上述释放过程后，超薄传感芯片背面能够自发形成连续的硅膜结构，再将上述触觉传感器经过临时键合工艺、基板背面减薄工艺和划片工艺，得到分立的封装后背接触式触觉传感器，从而使得到的传感器能够通过组装工艺设于柔性基板上。本发明提供的触觉传感器具有尺寸小、封装成本低和大面积可扩展的特点。
-
公开(公告)号：CN106895777B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201510954769.1
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明提供一种基于量程拓展的谐振式应变结构、应变传感器及制备方法，所述基于量程拓展的谐振式应变结构包括：双端固支音叉及量程拓展梁；所述量程拓展梁位于所述双端固支音叉的两端，且与所述双端固支音叉的两端相连接。本发明中，量程拓展梁可以降低双端固支音叉的应变量，从而实现谐振式应变传感器量程的拓展；通过设计量程拓展梁与双端固支音叉的尺寸，可以设定双端固支音叉上的应变与实际应变的比例；整个结构为一体化结构，制作工艺简单，便于实现工业化。
-
公开(公告)号：CN106841396B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201510881188.X
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N29/14
Abstract: 本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法，包括：声发射敏感膜；停靠环，位于声发射敏感膜的下表面；边框，位于声发射敏感膜外围，且与声发射敏感膜相隔一定的间距；边框的上表面设有上电极，下表面设有第一绝缘层；支撑膜，位于声发射敏感膜与边框之间；下电极硅片，下表面设有下电极，上表面设有第二绝缘层；第二绝缘层与第一绝缘层上下对应，且通过焊料层焊接在一起。支撑膜在大气压作用下变形，使得停靠环贴置于下电极硅片的上表面，声发射信号可以较好地耦合到声发射敏感膜上；在大气压作用下停靠环贴置于下电极硅片的上表面之后，声发射敏感膜与下电极硅片之间形成亚微米/纳米间隙，可极大地提高传感器的灵敏度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108615704A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810261142.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构；S4，在金属电极结构上形成金凸点；S5，加热硅圆片，使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用，结合了多晶硅TSV孔径小的优点，降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。
-
公开(公告)号：CN115813353B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202211467963.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，传感器阵列包括至少4个压力传感器，各压力传感器沿第一方向排列，所述第一方向与桡动脉的延伸方向呈夹角设置，中医紧脉特征识别方法包括：获得各压力传感器在同一时刻的脉搏压力值；得到多个压力采样点，将各压力采样点连成包络曲线；获得同一脉搏周期内的多条包络曲线选取最大的纵坐标最大值所对应的包络曲线作为该脉搏周期的压力分布曲线，在各压力分布曲线中取一标识点代表该压力分布曲线的位置，统计各标识点的横坐标的变化量；将变化量与紧脉判定阈值比较，得到紧脉特征识别结果。本发明的基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，能够识别紧脉等复杂脉象。
-
公开(公告)号：CN111792621B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010640709.3
申请日：2020-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在通孔处沉积少量低熔点的封口金属就可以实现封口。
-
公开(公告)号：CN109734046B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811597857.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种真空封装工艺，包括以下步骤：提供硅圆片和玻璃圆片；在硅圆片和玻璃圆片中的一个上制作需要真空封装的结构或器件，在硅圆片和玻璃圆片中的另一个上制作敞开的凹槽，在凹槽内制作用于局域氧化的金属层；硅圆片和玻璃圆片通过阳极键合形成微腔体结构，该微腔体结构具有由凹槽形成的气密腔，金属层位于该气密腔的内部，阳极键合产生的氧气进入气密腔的内部；射频激发气密腔的内部的氧气形成氧等离子体，金属层与氧等离子体发生氧化反应以持续消耗氧气直至氧气无法启辉形成氧等离子体为止。本发明提供的真空封装工艺，利用硅‑玻璃阳极键合产生氧气以及金属薄膜在氧等离子体中持续氧化的特性，最终实现真空封装。
-
公开(公告)号：CN111792621A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010640709.3
申请日：2020-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在通孔处沉积少量低熔点的封口金属就可以实现封口。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.051 seconds)
