公开(公告)号：CN111792621B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202010640709.3

申请日：2020-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 钟朋 ,  裴彬彬 ,  孙珂 ,  杨恒 ,  李昕欣

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在通孔处沉积少量低熔点的封口金属就可以实现封口。

公开(公告)号：CN111792621A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010640709.3

申请日：2020-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 钟朋 ,  裴彬彬 ,  孙珂 ,  杨恒 ,  李昕欣

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在通孔处沉积少量低熔点的封口金属就可以实现封口。