公开(公告)号：CN100505159C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710045107.8

申请日：2007-08-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李刚 ,  周洪波 ,  孙晓娜 ,  姚源 ,  赵建龙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  B81C1/00

Abstract: 一种非平面表面金属微细图形化的方法，首先在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层，并使下层金属牺牲层的标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势，然后通过旋涂光刻胶及湿法腐蚀等以形成图形化上层金属牺牲层，并使图形化上层金属牺牲层仅覆盖基片的待金属化非平面结构的表面，接着在上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物等以形成聚合层，并在所述聚合层上旋涂光刻胶等以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层，然后采用电化学阳极腐蚀上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶，最后去除下层金属牺牲层，并在具有光刻胶层的表面沉积一的金属层，再采用剥离工艺去除光刻胶层以形成图形化金属层，如此可实现非平面结构中残留的光刻胶的有效去除。

公开(公告)号：CN101172185A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710046237.3

申请日：2007-09-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李刚 ,  周洪波 ,  孙晓娜 ,  姚源 ,  赵建龙

IPC: A61N1/05 ,  A61B5/04 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明涉及一种植入式双面柔性微阵列电极的制备方法，该方法以柔性聚合物作为微电极基底材料，首先在硅基片上制作牺牲层，通过剥离(Lift－off)、聚合物图形化制作正面电极；然后将硅基片电极面与已完成聚合物图形化的玻璃基片通过热压局部键合，并通过腐蚀牺牲层去除硅基片，实现电极反转；最后通过剥离、聚合物图形化来制作背面电极，并以凹槽结构定义双面电极的轮廓，实现双面电极结构。本发明提供的基于聚合物基底的双面电极制备方法具有与微机电加工工艺兼容、可标准化大批量制作的特点，所制作的植入式双面柔性电极可以在同样损伤的情况下，提供比单面电极高一倍的刺激或记录分辨率。

公开(公告)号：CN101110355A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710045107.8

申请日：2007-08-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李刚 ,  周洪波 ,  孙晓娜 ,  姚源 ,  赵建龙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  B81C1/00

Abstract: 一种非平面表面金属微细图形化的方法，首先在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层，并使下层金属牺牲层的标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势，然后通过旋涂光刻胶及湿法腐蚀等以形成图形化上层金属牺牲层，并使图形化上层金属牺牲层仅覆盖基片的待金属化非平面结构的表面，接着在上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物等以形成聚合层，并在所述聚合层上旋涂光刻胶等以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层，然后采用电化学阳极腐蚀上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶，最后去除下层金属牺牲层，并在具有光刻胶层的表面沉积一的金属层，再采用剥离工艺去除光刻胶层以形成图形化金属层，如此可实现非平面结构中残留的光刻胶的有效去除。